本實用新型涉及到石英晶體的測試領(lǐng)域，具體的是指一種用于測量石英晶體晶片的治具。

背景技術(shù)：

在小型石英晶體生產(chǎn)領(lǐng)域，晶片在濺射鍍膜后，需確認其特性參數(shù)，如頻率、電阻等。傳統(tǒng)的檢測方式是通過探針上下探測方式進行測量，費時費力，效率低下；另外，因晶片厚度較薄，側(cè)邊鍍層導通性不佳，在測量側(cè)邊鍍層特性參數(shù)時使用探針不容易形成導通，需要通過晶體的表面鍍層來間接進行測量，參數(shù)的準確性得不到保證。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中石英晶體晶片參數(shù)測量過程中存在的上述缺點和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、參數(shù)測量準確的用于測量石英晶體晶片的治具。

為實現(xiàn)以上目的，本實用新型的技術(shù)解決方案是：一種用于測量石英晶體晶片的治具，包括底座，其特征在于：所述底座之上設置有定位槽，定位槽的另一側(cè)設置有移動夾具，移動夾具包括旋鈕開關(guān)、擺臂和滑塊，旋鈕開關(guān)與兩條擺臂相連，擺臂之間設置有彈簧，擺臂分別與滑塊相連，滑塊靠近定位槽的兩側(cè)設置有測量彈片。

本實用新型的有益效果為：

1、本設計包含定位槽和移動夾具，其中移動夾具包括旋鈕開關(guān)、擺臂和滑塊，

旋鈕開關(guān)與兩條擺臂相連，擺臂之間設置有彈簧，擺臂分別與滑塊相連，滑塊靠近定位槽的兩側(cè)設置有測量彈片，測量時，轉(zhuǎn)動旋鈕開關(guān)，擺臂向往擺動，以帶動兩側(cè)滑塊及兩側(cè)的測量彈片張開，然后將待測量的晶片放置在定位槽內(nèi)，再轉(zhuǎn)動旋鈕開關(guān)使測量彈片夾緊晶片的側(cè)邊鍍層，使兩者之間形成緊密的接觸，以完成晶片特性參數(shù)的測量。

2、本設計中兩條擺臂之間設置有彈簧，在測試彈片夾緊晶片的側(cè)邊鍍層時能給予滑塊向內(nèi)的壓力，使得測量彈片與晶片的側(cè)邊鍍層接觸的跟緊密；復位時在彈簧的帶動下滑塊能更輕松的回復原位。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：底座1，定位槽2，移動夾具3，旋鈕開關(guān)4，擺臂5，滑塊6，彈簧7，測量彈片8。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖說明和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

參見圖1，一種用于測量石英晶體晶片的治具，包括底座1，其特征在于：所述底座1之上設置有定位槽2，定位槽2的另一側(cè)設置有移動夾具3，移動夾具3包括旋鈕開關(guān)4、擺臂5和滑塊6，旋鈕開關(guān)4與兩條擺臂5相連，擺臂5之間設置有彈簧7，擺臂5分別與滑塊6相連，滑塊6靠近定位槽2的兩側(cè)設置有測量彈片8。

本設計包含定位槽2和移動夾具3，其中移動夾具3包括旋鈕開關(guān)4、擺臂5和滑塊6，旋鈕開關(guān)4與兩條擺臂5相連，擺臂5之間設置有彈簧7，擺臂5分別與滑塊6相連，滑塊6靠近定位槽2的兩側(cè)設置有測量彈片8，測量時，轉(zhuǎn)動旋鈕開關(guān)4，擺臂5向往擺動，以帶動兩側(cè)滑塊6及兩側(cè)的測量彈片8張開，然后將待測量的晶片放置在定位槽2內(nèi)，再轉(zhuǎn)動旋鈕開關(guān)4使測量彈片8夾緊晶片的側(cè)邊鍍層，使兩者之間形成緊密的接觸，以完成晶片特性參數(shù)的測量。本設計中兩條擺臂5之間設置有彈簧7，在測量彈片8夾緊晶片的側(cè)邊鍍層時能給予滑塊6向內(nèi)的壓力，使得測試彈片8與晶片的側(cè)邊鍍層接觸的更緊密；復位時在彈簧7的帶動下滑塊6能更輕松的回復原位。本設計中定位槽2起支撐、和定位晶片作用，可供全尺寸晶片的放置。測量彈片8分左右兩個，分別安裝在左右兩側(cè)的滑塊6上。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、參數(shù)測量準確。