本實(shí)用新型涉及一種陽(yáng)極裝置，尤其涉及一種探測(cè)器陽(yáng)極裝置。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有的探測(cè)器的陽(yáng)極板只有一塊，無(wú)論何種分辨率，由此只能成一個(gè)分辨率的圖像，如果需要更改分辨率，就只能改用其他探測(cè)器，因?yàn)闊o(wú)法將探測(cè)器的陽(yáng)極板進(jìn)行更換。

因此，現(xiàn)有的陽(yáng)極裝置的設(shè)置不夠靈活。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種探測(cè)器陽(yáng)極裝置，利用兩塊不同的陽(yáng)極板，實(shí)現(xiàn)不同精度的電子位置檢測(cè)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種探測(cè)器陽(yáng)極裝置，所述探測(cè)器陽(yáng)極裝置包括：

第一陽(yáng)極板，所述第一陽(yáng)極板具有第一信號(hào)陣列；

第二陽(yáng)極板，所述第二陽(yáng)極板的面積小于第一陽(yáng)極板，并且位于所述第一陽(yáng)極板內(nèi)，所述第二陽(yáng)極板具有第二信號(hào)陣列；

第一ASIC芯片，與所述第一陽(yáng)極板相連接，當(dāng)電子打在所述第一陽(yáng)極板時(shí)，檢測(cè)所述第一陽(yáng)極板產(chǎn)生的第一信號(hào)；

第二ASIC芯片，與所述第二陽(yáng)極板相連接，當(dāng)電子打在所述第二陽(yáng)極板時(shí)，檢測(cè)所述第二陽(yáng)極板產(chǎn)生的第二信號(hào)；

電子學(xué)處理器，與所述第一ASIC芯片和第二ASIC芯片相連接，根據(jù)所述第一信號(hào)和第二信號(hào)得到電子打在所述第一陽(yáng)極板或者第二陽(yáng)極板的位置；

所述第一信號(hào)陣列為N×M陣列，N為第一陣列行數(shù)，M為第一陣列列數(shù)；

所述第二信號(hào)陣列為P×Q陣列，P為第二陣列行數(shù)，Q為第二陣列列數(shù)。

進(jìn)一步，所述第一ASIC芯片具有N+M路信號(hào)輸入。

進(jìn)一步，所述第二ASIC芯片具有P+Q路信號(hào)輸入。

進(jìn)一步，所述電子學(xué)處理器具體根據(jù)所述第一信號(hào)和第二信號(hào)得到所述電子的行位置和列位置，從而得到所述電子打在所述第一陽(yáng)極板或者第二陽(yáng)極板的位置。

進(jìn)一步，所述電子學(xué)處理器包括FPGA，與所述第一ASIC芯片和第二ASIC芯片相連接。

本實(shí)用新型實(shí)施例探測(cè)器陽(yáng)極裝置，利用兩塊不同的陽(yáng)極板，實(shí)現(xiàn)了不同精度的電子位置檢測(cè)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的示意圖；

圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的電子陣列示意圖之一；

圖2B為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的電子陣列示意圖之二；

圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的電子陣列示意圖之三。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的示意圖，如圖所示，本實(shí)用新型實(shí)施例的探測(cè)器陽(yáng)極裝置包括：第一陽(yáng)極板11、第二陽(yáng)極板12、第一專用集成電路(Application Specific Integrated Circuits，ASIC)芯片21、第二ASIC芯片22和電子學(xué)處理器3。

第一陽(yáng)極板11具有第一信號(hào)陣列。第二陽(yáng)極板12的面積小于第一陽(yáng)極板11，并且位于第一陽(yáng)極板11內(nèi)，第二陽(yáng)極板12具有第二信號(hào)陣列。

第一ASIC芯片21與第一陽(yáng)極板11相連接，當(dāng)電子打在所述第一陽(yáng)極板11時(shí)，檢測(cè)第一陽(yáng)極板11產(chǎn)生的第一信號(hào)；第二ASIC芯片22與第二陽(yáng)極板12相連接，當(dāng)電子打在第二陽(yáng)極板12時(shí)，檢測(cè)第二陽(yáng)極板12產(chǎn)生的第二信號(hào)。

電子學(xué)處理器3與第一ASIC芯片21和第二ASIC芯片22相連接，根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)得到電子打在第一陽(yáng)極板11或者第二陽(yáng)極板12的位置。

具體的，第一陽(yáng)極板11的第一陣列為N×M陣列，N為第一陣列行數(shù)，M為第一陣列列數(shù)?？蛇x的，M和N均為64。因?yàn)榈谝籄SIC芯片21需要檢測(cè)電子打在第一陣列的位置，所以第一ASIC芯片21具有N+M路輸出，也就是64+64路信號(hào)輸出需要第一ASIC芯片21來(lái)處理。

同理，第二陽(yáng)極板12的第二陣列為P×Q陣列，P為第二陣列行數(shù)，Q為第二陣列列數(shù)?？蛇x的，P和Q均為64。因?yàn)榈诙嗀SIC芯片22需要檢測(cè)電子打在第二陣列的位置，所以第二ASIC芯片22具有P+Q路輸出，也就是64+64路信號(hào)輸出需要第二ASIC芯片22來(lái)處理。

電子學(xué)處理器3具體根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)得到電子的行位置和列位置，從而得到電子打在所述第一陽(yáng)極板或者第二陽(yáng)極板的位置。

圖2A和圖2B分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的電子陣列示意圖，如圖所示，例如，電子打在陣列(4,4)上，則陣列行數(shù)Y的4與列數(shù)X的4都會(huì)產(chǎn)生信號(hào)，通過(guò)X4、Y4產(chǎn)生的第一信號(hào)來(lái)確定電子打在pad(4，4)上，由此得知電子打在第一陽(yáng)極板21上。

圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的探測(cè)器陽(yáng)極裝置的電子陣列示意圖之三。例如，電子打在陣列(6,6)上，則陣列行數(shù)Y的6與列數(shù)X的6都會(huì)產(chǎn)生信號(hào)，通過(guò)X6、Y6產(chǎn)生的第二信號(hào)來(lái)確定電子打在pad(6，6)上，由此得知電子打在第二陽(yáng)極板22上。

可選的，電子學(xué)處理器3包括現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field－Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)，與第一ASIC芯片和第二ASIC芯片相連接。第一陽(yáng)極板11的面積大于第二陽(yáng)極板12，可選的第一陽(yáng)極板尺寸為(200X200)mm，第二陽(yáng)極板的尺寸為(43.3X43.3)mm，第一陽(yáng)極板的陣列數(shù)與第二陽(yáng)極板的陣列數(shù)相同，均為64X64＝128路，單位面積內(nèi)第二陽(yáng)極板12的像素點(diǎn)為第一陽(yáng)極板11像素點(diǎn)的200/43.3≈4.6倍，當(dāng)同樣大小的光斑分別照射到第一陽(yáng)極板11和第二陽(yáng)極板12時(shí)，光斑在第二陽(yáng)極板12上所能覆蓋的像素點(diǎn)約為光斑在第一陽(yáng)極板所能覆蓋像素點(diǎn)的4.6倍，第二陽(yáng)極板32的精度即為第一陽(yáng)極板精度的4.6倍，從而達(dá)到了同一個(gè)探測(cè)器不同精度電子位置檢測(cè)的目的。

專業(yè)人員應(yīng)該還可以進(jìn)一步意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開(kāi)的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說(shuō)明硬件和軟件的可互換性，在上述說(shuō)明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來(lái)執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來(lái)使用不同方法來(lái)實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本實(shí)用新型的范圍。

結(jié)合本文中所公開(kāi)的實(shí)施例描述的方法或算法的步驟可以用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來(lái)實(shí)施。軟件模塊可以置于隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動(dòng)磁盤、CD-ROM、或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲(chǔ)介質(zhì)中。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。