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      一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器的制作方法

      文檔序號(hào):12591861閱讀:953來源:國知局
      一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器的制作方法與工藝

      本發(fā)明是一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,屬于微電子器件技術(shù)領(lǐng)域。



      背景技術(shù):

      壓力傳感器是工業(yè)實(shí)踐中最為常用的一種傳感器,其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境,涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機(jī)床、管道等眾多行業(yè)。近年來,壓力傳感器的發(fā)展越來越趨向于微型化。微壓力傳感器是采用半導(dǎo)體材料和MEMS工藝制造的新型壓力傳感器。與傳統(tǒng)壓力傳感器比擬,微壓力傳感用具有精度高、敏捷度高、動(dòng)態(tài)特性好、體積小、耐侵蝕、成本低等長(zhǎng)處。近年來,我國物聯(lián)網(wǎng)取得了長(zhǎng)足發(fā)展,而傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)中的必要組成部分,也必將得到進(jìn)一步推廣和應(yīng)用,在這樣的形勢(shì)下,開展壓力傳感器產(chǎn)業(yè)化方面的工作是非常有意義的。

      因此,本發(fā)明是基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,當(dāng)腔體薄膜所受壓力發(fā)生變化時(shí),腔體薄膜發(fā)生形變,薄膜內(nèi)應(yīng)力改變,由于壓阻效應(yīng)導(dǎo)致匹配電阻的阻值發(fā)生變化,從而產(chǎn)生失配,導(dǎo)致一部分微波功率發(fā)生反射,這會(huì)使得熱電堆輸出的熱電勢(shì)發(fā)生改變,從而實(shí)現(xiàn)壓力的測(cè)量。相比而言,基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器具有以下主要特點(diǎn):一、MEMS終端式微波功率傳感器的具有壓阻效應(yīng)的匹配電阻阻值改變對(duì)微波功率的反射非常敏感,因此可以提高靈敏度;二、該壓力傳感器為電壓輸出,相較于傳統(tǒng)壓力傳感器的電容或電阻變化量的輸出更易于測(cè)量;三、該壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、且消耗的功率低,可以實(shí)現(xiàn)高可靠、微型化和低功耗的應(yīng)用需求;四、該壓力傳感器的制作無需特殊的材料并且與Si或GaAs工藝完全兼容。

      基于以上MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器特點(diǎn),很明顯的可以看出本發(fā)明與傳統(tǒng)的壓力傳感器相比提高了靈敏度,輸出測(cè)量更加簡(jiǎn)易,并具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、功耗低的特點(diǎn)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)與Si或GaAs工藝兼容,具有高重復(fù)性、低生產(chǎn)成本等優(yōu)點(diǎn),很好的滿足了集成電路對(duì)器件的基本要求。因此,基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器具有較好的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的市場(chǎng)潛力。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      技術(shù)問題:本發(fā)明的目的是提供一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,該壓力傳感器利用腔體薄膜感應(yīng)壓力的變化,通過壓力變化時(shí)腔體薄膜發(fā)生形變,薄膜內(nèi)應(yīng)力改變,使得由于壓阻效應(yīng)導(dǎo)致匹配電阻的阻值發(fā)生變化,從而產(chǎn)生失配,導(dǎo)致一部分微波功率發(fā)生反射,這會(huì)使得熱電堆輸出的熱電勢(shì)發(fā)生改變,從而實(shí)現(xiàn)壓力的測(cè)量。采用該結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度、電壓輸出和低功耗,并且能與Si或GaAs工藝相兼容,解決在材料、工藝、可靠性、可重復(fù)性和生產(chǎn)成本等諸多方面的問題,從而為實(shí)現(xiàn)基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器在工業(yè)自控領(lǐng)域中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了支持和保證。

      技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,該壓力傳感器包括感知壓力的腔體薄膜和設(shè)置在腔體薄膜表面的終端式微波功率傳感器;其中,終端式微波功率傳感器包括并聯(lián)的第一匹配電阻、第二匹配電阻、共面波導(dǎo)信號(hào)線、第一共面波導(dǎo)地線、第二共面波導(dǎo)地線和熱電堆;

      第一共面波導(dǎo)地線和第二共面波導(dǎo)地線分別設(shè)置在共面波導(dǎo)信號(hào)線兩側(cè)且相距一定距離;第一匹配電阻布置在共面波導(dǎo)信號(hào)線和第一共面波導(dǎo)地線之間,第二匹配電阻布置在共面波導(dǎo)信號(hào)線和第二共面波導(dǎo)地線之間;熱電堆設(shè)置在共面波導(dǎo)信號(hào)線相對(duì)的位置且與其相距一定距離;

      當(dāng)外界壓力發(fā)生變化時(shí),造成腔體薄膜發(fā)生形變,導(dǎo)致薄膜內(nèi)應(yīng)力改變,使得第一匹配電阻、第二匹配電阻由于壓阻效應(yīng)阻值發(fā)生變化。

      有益效果:近年來,壓力傳感器的發(fā)展越來越趨向于微型化,本發(fā)明是基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,當(dāng)腔體薄膜所受壓力發(fā)生變化時(shí),腔體薄膜發(fā)生形變,薄膜內(nèi)應(yīng)力改變,由于壓阻效應(yīng)導(dǎo)致匹配電阻的阻值發(fā)生變化,從而產(chǎn)生失配,導(dǎo)致一部分微波功率發(fā)生反射,這會(huì)使得熱電堆輸出的熱電勢(shì)發(fā)生改變,從而實(shí)現(xiàn)壓力的測(cè)量。該壓力傳感器具有高的靈敏度,且通過電壓輸出易于測(cè)量,極大拓展了壓力傳感器的實(shí)際適用性。同時(shí),基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、功耗低、可靠性高等諸多優(yōu)點(diǎn)。

      附圖說明

      圖1是基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器俯視圖。

      其中有:腔體薄膜1、終端式微波功率傳感器2、第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2、共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1、第一共面波導(dǎo)地線2b2、第二共面波導(dǎo)地線2b3和熱電堆2c。

      圖2是基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器剖面圖。

      其中有:腔體薄膜1、第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2、共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1、第一共面波導(dǎo)地線2b2、第二共面波導(dǎo)地線2b3和腔體3。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

      參見圖1,本發(fā)明提供了一種基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器,該壓力傳感器包括感知壓力的腔體薄膜1和設(shè)置在腔體薄膜1表面的終端式微波功率傳感器2;其中,終端式微波功率傳感器2包括并聯(lián)的第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2、共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1、第一共面波導(dǎo)地線2b2、第二共面波導(dǎo)地線2b3和熱電堆2c;

      第一共面波導(dǎo)地線2b2和第二共面波導(dǎo)地線2b3分別設(shè)置在共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1兩側(cè)且相距一定距離;第一匹配電阻2a1布置在共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1和第一共面波導(dǎo)地線2b2之間,第二匹配電阻2a2布置在共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1和第二共面波導(dǎo)地線2b3之間;熱電堆2c設(shè)置在共面波導(dǎo)信號(hào)線2b1相對(duì)的位置且與其相距一定距離;

      當(dāng)外界壓力發(fā)生變化時(shí),造成腔體薄膜1發(fā)生形變,導(dǎo)致薄膜1內(nèi)應(yīng)力改變,使得第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2由于壓阻效應(yīng)阻值發(fā)生變化。微波功率在得第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2上被消耗并產(chǎn)生熱量,造成得第一匹配電阻2a1、第二匹配電阻2a2周圍的溫度變化,熱電堆2c感應(yīng)這種溫度變化并輸出熱電勢(shì),通過對(duì)輸出熱電勢(shì)加以測(cè)量,從而實(shí)現(xiàn)壓力的測(cè)量。

      微波功率在電阻上被消耗并產(chǎn)生熱量,造成電阻周圍的溫度變化,熱電堆感應(yīng)這種溫度變化并輸出熱電勢(shì),通過對(duì)輸出熱電勢(shì)加以測(cè)量,從而得出微波功率的大??;當(dāng)外界壓力發(fā)生變化時(shí),造成腔體薄膜發(fā)生形變,導(dǎo)致薄膜內(nèi)應(yīng)力改變,由于壓阻效應(yīng)改變了匹配電阻的阻值,而這會(huì)產(chǎn)生失配,從而導(dǎo)致一部分微波功率發(fā)生反射,最終使得熱電堆輸出的熱電勢(shì)發(fā)生改變,從而實(shí)現(xiàn)壓力的測(cè)量。

      本發(fā)明中基于MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu)的壓力傳感器不同于傳統(tǒng)的壓力傳感器,該壓力傳感器具有以下主要特點(diǎn):一、MEMS終端式微波功率傳感器的具有壓阻效應(yīng)的匹配電阻阻值改變對(duì)微波功率的反射非常敏感,因此可以提高靈敏度;二、該壓力傳感器為電壓輸出,相較于傳統(tǒng)壓力傳感器的電容或電阻變化量的輸出更易于測(cè)量;三、該壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、且消耗的功率低,可以實(shí)現(xiàn)高可靠、微型化和低功耗的應(yīng)用需求;四、該壓力傳感器的制作無需特殊的材料并且與Si或GaAs工藝完全兼容。

      區(qū)分是否為該結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)如下:

      (a)采用MEMS終端式微波功率傳感器結(jié)構(gòu),

      (b)采用腔體薄膜感應(yīng)壓力變化,

      (c)采用具有壓阻效應(yīng)的匹配電阻結(jié)構(gòu)感應(yīng)腔體薄膜的應(yīng)力變化。

      滿足以上三個(gè)條件的結(jié)構(gòu)即應(yīng)視為該結(jié)構(gòu)的壓力傳感器。

      該壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,整個(gè)傳感器通過微電子加工工藝,結(jié)構(gòu)尺寸的精度可以達(dá)到較高水平,體積大幅縮小,有利于實(shí)現(xiàn)傳感器的小型化;該壓力傳感器選用腔體薄膜來感應(yīng)壓力的變化,通過具有壓阻效應(yīng)的匹配電阻變化實(shí)現(xiàn)壓力測(cè)量,靈敏度高。

      以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實(shí)施方式為限,但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化,皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。

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