本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法。

背景技術(shù)：

目前，肖特基二極管被廣泛的應(yīng)用于軍事、航天等領(lǐng)域，由于工作在太空高輻照環(huán)境下，勢(shì)必要受到來自宇宙射線、太陽等離子氣、Van Allen帶的各種射線(比如α、β、中子、高能粒子、γ射線、χ射線等)的輻照及核輻射，在金屬與半導(dǎo)體材料的界面處形成界面陷阱電荷，發(fā)生輻照損傷，造成器件性能降低甚至失效，進(jìn)而影響電路板、子系統(tǒng)，嚴(yán)重時(shí)可造成造價(jià)高達(dá)幾億元的航天器的失效。；因此為了保證進(jìn)入太空的肖特基二極管具有較好的抗輻射性能，肖特基二極管在使用前都需要進(jìn)行抗輻照能力測(cè)驗(yàn)，以篩選出抗輻照能力較強(qiáng)的肖特基二極管，保證其工作時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。

現(xiàn)有的肖特基二極管測(cè)試篩選方法主要有兩種：“輻照-退火”方法和多元回歸分析法；其中，輻照-退火篩選方法以試驗(yàn)測(cè)試為主，美軍標(biāo)MIL-STD-883D給出了具體的實(shí)驗(yàn)方法，首先對(duì)待篩選器件進(jìn)行額定劑量的輻照，然后選擇一種或者幾種靈敏電參數(shù)，在兩小時(shí)內(nèi)完成對(duì)選取的參量進(jìn)行測(cè)試和分析，篩選掉不符合要求的器件。接著進(jìn)行50％額定劑量的輻照；接著加壓退火后再次進(jìn)行電測(cè)試；篩選出合適的器件；具體過程如圖1所示。該方法存在有兩方面的局限性：一是檢測(cè)成本高，時(shí)間長(zhǎng)；二是檢測(cè)本身常常具有破壞性，即最后篩選出的器件都經(jīng)過了輻照，使器件壽命本身已經(jīng)降低，而且由于采用大劑量率試驗(yàn)來等效空間低劑量率輻照環(huán)境的方法，模擬結(jié)果往往不準(zhǔn)確?，F(xiàn)有技術(shù)中的多元回歸分析方法的技術(shù)難點(diǎn)是如何選擇敏感的信息參數(shù)，既可以實(shí)現(xiàn)輻照前的抗輻照能力預(yù)測(cè)，又與器件的微觀損傷緊密聯(lián)系，通常的做法是選用輻照前的正向壓降和反向擊穿電壓作為信息參數(shù)，輻照后的反向漏電流退化作為輻射性能參數(shù)，此種方式忽視了噪聲參量而得出的SBD器件的反向漏電流漂移預(yù)測(cè)不準(zhǔn)確，最終影響肖特基二極管器件的篩選的準(zhǔn)確性和可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置，以解決上述問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法，包括：

獲取輻照前作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流、反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值；

獲取經(jīng)過輻照后的所述作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流；

基于輻照前的肖特基二極管的反向漏電流和經(jīng)過輻照后的肖特基二極管的反向漏電流，計(jì)算輻前照后的反向漏電流退化量；

對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以所述反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值作為信息參數(shù)，以所述反向漏電流退化量作為輻照性能參數(shù)，建立多元線性回歸方程，并估計(jì)線性回歸方程中的系數(shù)向量；

基于所述系數(shù)向量，建立所述信息參數(shù)、噪聲電壓功率譜幅值和輻照性能參數(shù)之間的無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程；

利用所述無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能，對(duì)同批其他肖特基二極管器件進(jìn)行篩選。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第一種可能的實(shí)施方式，其中：

所述獲取隨機(jī)子樣肖特基二極管的噪聲電壓功率譜幅值包括：

設(shè)置肖特基二極管的偏置電流；

在肖特基二極管兩端引出噪聲信號(hào)；

對(duì)所述噪聲信號(hào)進(jìn)行前置放大，得到前置放大信號(hào)；

采集所述前置放大信號(hào)，計(jì)算得到噪聲電壓功率譜幅值。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第二種可能的實(shí)施方式，其中：

所述利用所述無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，測(cè)試單個(gè)肖特基二極管的抗輻照性能，對(duì)同批肖特基二極管進(jìn)行篩選，包括：

獲取待篩選肖特基二極管的反向擊穿電壓和低頻噪聲幅值；

基于所述反向擊穿電壓和低頻噪聲幅值，利用所述回歸預(yù)測(cè)方程，得到此肖特基二極管的反向漏電流退化量預(yù)測(cè)值；

將所述反向漏電流退化量預(yù)測(cè)值和此批肖特基二極管的反向漏電流漂移容限進(jìn)行比較，如果此預(yù)測(cè)值在此類肖特基二極管的反向漏電流漂移容限之內(nèi)，則認(rèn)為此肖特基二極管為合格產(chǎn)品；反之，如果得到的預(yù)測(cè)值落在此類肖特基二極管的反向漏電流漂移容限之外，則認(rèn)為此肖特基二極管為不合格產(chǎn)品。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選裝置，包括：

第一獲取單元，用于獲取輻照前作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流、反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值；

第二獲取單元，用于獲取經(jīng)過輻照后的所述作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流經(jīng)過輻照后的；

計(jì)算單元，基于輻照前的肖特基二極管的反向漏電流和經(jīng)過輻照后的肖特基二極管的反向漏電流，計(jì)算輻前照后的反向漏電流退化量；

線性回歸方程建立單元，用于對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以所述反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值作為信息參數(shù)，以所述反向漏電流退化量作為輻照性能參數(shù)，建立多元線性回歸方程，并估計(jì)線性回歸方程中的系數(shù)向量；

無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程建立單元，用于基于所述系數(shù)向量，建立所述信息參數(shù)、噪聲電壓功率譜幅值和輻照性能參數(shù)之間的無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程；

測(cè)試單元，用于利用所述無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能，對(duì)同批其他肖特基二極管器件進(jìn)行篩選。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的方法以及裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)在對(duì)肖特基二極管無損壞的前提下，進(jìn)行對(duì)肖特基二極管抗輻照能力進(jìn)行檢驗(yàn)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、高效的篩選出抗輻照能力強(qiáng)的肖特基二極管元器件。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中“輻照-退火”方法流程示意圖；

圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法的方法流程示意圖；

圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例所提供的噪聲電壓功率譜幅值B的測(cè)量系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

對(duì)于SBD器件，現(xiàn)有技術(shù)中的多元回歸分析方法的技術(shù)難點(diǎn)是如何選擇敏感的信息參數(shù)，既可以實(shí)現(xiàn)輻照前的抗輻照能力預(yù)測(cè)，又與器件的微觀損傷緊密聯(lián)系。通常的做法是選用輻照前的正向壓降和反向擊穿電壓作為信息參數(shù)，輻照后的反向漏電流退化作為輻射性能參數(shù)。從微觀機(jī)制上分析可得的，正向壓降受輻照影響比較小，甚至可以忽略，而噪聲參量在電學(xué)參量表征失效的情況下，能顯著反應(yīng)出器件輻照損傷效應(yīng)，而常規(guī)的多元回歸分析方法由于忽視了噪聲參量而得出的SBD器件的反向漏電流漂移，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致預(yù)測(cè)不準(zhǔn)確，最終影響SBD器件的篩選精確度；基于此，本發(fā)明實(shí)施例所提供的方法能夠在做到對(duì)肖特基二極管無損傷的前提下，通過使用噪聲幅值這一參數(shù)進(jìn)行回歸分析，提高了測(cè)試準(zhǔn)確度，保證被篩選肖特基二極管元器件的可靠性。

下面通過具體實(shí)施例進(jìn)行對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的詳細(xì)介紹。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法，包括如下步驟：

S201、獲取輻照前作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流I_S、反向擊穿電壓V_BR和噪聲電壓功率譜幅值B；

進(jìn)行上述步驟中之前，首先需從一批肖特基二極管的抽樣母體中按照簡(jiǎn)單隨機(jī)抽樣原則抽取n個(gè)隨機(jī)子樣，n大于等于20；測(cè)量這些隨機(jī)子樣肖特基二極管的反向漏電流I_S、反向擊穿電壓V_BR和噪聲電壓功率譜幅值B，并記錄測(cè)試條件；

上述測(cè)量SBD的反向擊穿電壓V_BR時(shí)，流過SBD規(guī)定的反向電流為1mA，加于SBD兩極的電壓為其最小擊穿電壓V_BR。如果大于這個(gè)電流值，器件將會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，器件也將被損壞。而且可以反應(yīng)輻照誘生界面態(tài)，界面態(tài)密度分布改變，導(dǎo)致器件有效肖特基勢(shì)壘高度減小，肖特基勢(shì)壘高度的費(fèi)米能級(jí)釘扎位置變化。

S202、獲取經(jīng)過輻照后的所述作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流I_S′；

需要說明的是，上述輻照實(shí)驗(yàn)的輻照的劑量率和總劑量要根據(jù)具體具體SBD器件額定輻照劑量來設(shè)定，為了模擬空間輻照環(huán)境，優(yōu)選地，劑量率設(shè)置在50到300rad(Si)/s之間，且要限制在輻照后兩個(gè)小時(shí)之內(nèi)完成測(cè)量，以免器件退火嚴(yán)重影響測(cè)試結(jié)果。

S203、基于輻照前的肖特基二極管的反向漏電流I_S和經(jīng)過輻照后的肖特基二極管的反向漏電流I_S′，計(jì)算輻前照后的反向漏電流退化量：ΔI_s＝I_S′-I_S；；

S204、對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以上述反向擊穿電壓V_BR和噪聲電壓功率譜幅值B作為信息參數(shù)，以上述反向漏電流退化量ΔI_s作為輻照性能參數(shù)，建立多元線性回歸方程并估計(jì)線性回歸方程中的系數(shù)向量

進(jìn)一步的，選反向擊穿電壓V_BR和l/f噪聲電壓功率譜幅值B為信息參數(shù)，反向漏電流退化量ΔI_s為輻照性能參數(shù)，采用線性回歸法建立V_BR，B和ΔI_s之間的線性回歸方程為：其中，X是由輻照前的擊穿電壓V_BR和l/f噪聲電壓功率譜幅值B的測(cè)量值構(gòu)成的已知常數(shù)矩陣，是殘差；

并通過以下方式估計(jì)線性回歸方的系數(shù)向量

(1)將多元線性回歸方程進(jìn)一步展開為

其中，ΔI_s1、ΔI_s2、…、ΔI_sn為第1、2、…、n個(gè)隨機(jī)子樣的輻照后反向漏電流退化量；

V_BR1、V_BR2、…、V_BR3為第1、2、…、n個(gè)隨機(jī)子樣的輻照前擊穿電壓；

B₁、B₂、…、B_n為第1、2、…、n個(gè)隨機(jī)子樣的輻照前噪聲電壓功率譜幅值；

β₀、β₁和β₂分別為常數(shù)項(xiàng)、擊穿電壓的系數(shù)和l/f噪聲電壓功率譜幅值的系數(shù)；

ε₁、ε₂、…、ε_n分別為第1、2、…、n個(gè)隨機(jī)子樣的線性回歸方程的殘差；

(2)利用最小二乘估計(jì)法估計(jì)出信息參數(shù)的系數(shù)向量為：

其中，X^T為X的轉(zhuǎn)置矩陣。

S205、基于系數(shù)向量建立信息參數(shù)V_BR、噪聲電壓功率譜幅值B和輻照性能參數(shù)ΔI_s之間的無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程；

在給定的1-α置信度下，待篩選SBD器件信息參數(shù)向量為：其中，V_BRk和B_k分別為待篩選器件實(shí)測(cè)的擊穿電壓和l/f噪聲幅值，則其輻照后反向漏電流漂移量的無損篩選回歸預(yù)測(cè)值為：

其中，t(1-α/2，(n-3))是置信度為1-α的t分布，

MSE定義如下：

SSE為方差平方和，為殘差

S206、利用上述無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能，對(duì)同批其他肖特基二極管器件進(jìn)行篩選肖特基二極管。

進(jìn)一步的，利用無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，測(cè)試單個(gè)肖特基二極管的抗輻照性能，對(duì)同批肖特基二極管進(jìn)行篩選，包括：

首先，測(cè)量待篩選SBD器件的反向擊穿電壓V_BR和l/f低頻噪聲幅值B，測(cè)量條件和步驟S201中的測(cè)量條件相同；接著把這兩個(gè)參數(shù)帶入回歸預(yù)測(cè)方程，得到此SBD器件的反向漏電流退化量預(yù)測(cè)值；查找此類型SBD器件說明書，確定其反向漏電流漂移容限；將反向漏電流退化量預(yù)測(cè)值和此批SBD器件的反向漏電流漂移容限進(jìn)行比較，如果此預(yù)測(cè)值在此批器件的反向漏電流漂移容限之內(nèi)，則認(rèn)為此器件通過篩選，為合格產(chǎn)品；反之，如果得到的預(yù)測(cè)值落在此批器件的反向漏電流退化容限之外，則認(rèn)為此器件沒有通過篩選，被剔除掉；例如，對(duì)于普軍級(jí)SBD 2DK 140，反向漏電流允許范圍是0～1mA。首先測(cè)量待篩選器件的反向擊穿電壓和噪聲幅值，按照第二步的說明和此器件的說明書，測(cè)量條件設(shè)定如下：

反向擊穿電壓測(cè)量條件：I_R＝1mA；

l/f噪聲幅值測(cè)量偏置條件：I_F＞1mA；

把待篩選器件的反向擊穿電壓和l/f噪聲的測(cè)量值帶入回歸預(yù)測(cè)方程，得到其反向漏電流的預(yù)測(cè)值。如果反向漏電流的預(yù)測(cè)值在0～1mA這個(gè)范圍之內(nèi)，則認(rèn)為該器件符合要求，可以被選用；如果反向漏電流漂移的預(yù)測(cè)值超出0～1mA這個(gè)范圍，則認(rèn)為該器件不符合要求，被篩選掉。

需要說明的是，電子器件的低頻噪聲十分微弱，要能有效地檢測(cè)這種噪聲，測(cè)試系統(tǒng)必須具有足夠高的靈敏度。為此，本發(fā)明l/f噪聲電壓功率譜幅值B的測(cè)量采用如圖3所示的噪聲電壓功率譜幅值B的測(cè)量系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖進(jìn)行，該系統(tǒng)包括：電源、肖特基二極管適配器、偏置器、低噪聲前置放大器和數(shù)據(jù)采集與分析系統(tǒng)；其中，肖特基二極管適配器和偏置器主要是根據(jù)待測(cè)器件噪聲測(cè)試的具體要求，提供偏置電流，使之處于相應(yīng)的偏置條件。待測(cè)的噪聲信號(hào)經(jīng)過前置放大器和數(shù)據(jù)采集卡被送至數(shù)據(jù)采集與分析系統(tǒng)的微機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)的分析處理、存儲(chǔ)和打印輸出。為了實(shí)現(xiàn)信號(hào)實(shí)時(shí)、快速、準(zhǔn)確的采集，我們采用DAQ2010數(shù)據(jù)采集卡，其最大采樣速率為2MHz，以保證l/f噪聲測(cè)試頻率范圍；量化精度為14bit，以保證測(cè)試精度和動(dòng)態(tài)范圍。該數(shù)據(jù)采集卡還帶有程控增益放大器、DA轉(zhuǎn)換器，為儀器的功能拓展創(chuàng)造了條件。數(shù)據(jù)的傳輸采用異步雙緩沖直接內(nèi)存訪問的方式，保證了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目焖俸瓦B續(xù)。信號(hào)連續(xù)雙通道采集的實(shí)現(xiàn)為后續(xù)時(shí)域分析和頻域分析創(chuàng)造了先決條件。測(cè)量l/f噪聲幅值B時(shí)，所加的偏置應(yīng)該使SBD器件處于大偏置電流條件，因?yàn)閘/f噪聲幅值B在大偏置電流時(shí)反映的是界面態(tài)和體陷阱的信息，與偏置電流的平方成比例，反映了輻照誘生界面態(tài)增大表面復(fù)合速度對(duì)反向電流漂移的作用。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的篩選方法與現(xiàn)有的SBD篩選方法相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、篩選出來的器件是未經(jīng)過輻照的，屬于“無損篩選”，因此篩選過程不會(huì)減少器件壽命。

2、所選用的信息參數(shù)，即l/f噪聲電壓功率譜幅值B和擊穿電壓，涵蓋了SBD器件輻照時(shí)反向漏電流漂移的兩個(gè)因素，篩選準(zhǔn)確度高。

3、只需測(cè)量待篩選器件的兩個(gè)參數(shù)，篩選周期短，方法簡(jiǎn)單，便于實(shí)用。

4、SBD的生產(chǎn)商應(yīng)用本發(fā)明的方法可以對(duì)各種抗輻射加固設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)進(jìn)行快速評(píng)估，縮短此類模塊的研發(fā)周期，降低研究、開發(fā)和生產(chǎn)的成本。

5、SBD的用戶可以應(yīng)用本發(fā)明的方法可對(duì)其進(jìn)行100％檢測(cè)和篩選，從而提高批量器件的平均抗輻射水平；同時(shí)，還可用于檢測(cè)在安裝、調(diào)試、試驗(yàn)過程中是否因引入了隱性損傷或潛在缺陷而降低了器件的抗輻射能力，從而為上機(jī)器件的應(yīng)用可靠性提供進(jìn)一步的保障。

6、本發(fā)明可作為檢測(cè)SBD輻射效應(yīng)的新工具，有助于弄清輻射誘生缺陷的起源，從而找到減少缺陷、提高器件抗輻射能力的途徑和措施。

如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選裝置，包括：

第一獲取單元410，用于獲取輻照前作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流、反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值；

第二獲取單元420，用于獲取經(jīng)過輻照后的所述作為隨機(jī)子樣的肖特基二極管的反向漏電流；

計(jì)算單元430，用于基于輻照前的肖特基二極管的反向漏電流和經(jīng)過輻照后的肖特基二極管的反向漏電流，計(jì)算輻前照后的反向漏電流退化量；

線性回歸方程建立單元440，用于對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以所述反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值作為信息參數(shù)，以所述反向漏電流退化量作為輻照性能參數(shù)，建立多元線性回歸方程，并估計(jì)線性回歸方程中的系數(shù)向量；

無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程建立單元450，用于基于所述系數(shù)向量，建立所述信息參數(shù)、噪聲電壓功率譜幅值和輻照性能參數(shù)之間的無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程；

測(cè)試單元460，用于利用所述無損篩選回歸預(yù)測(cè)方程，預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能，對(duì)同批其他肖特基二極管器件進(jìn)行篩選。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過程，在此不再贅述。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。