本發(fā)明涉和家電設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種過(guò)零檢測(cè)電路和一種家電設(shè)備。

背景技術(shù)：

在家電設(shè)備接入交流市電(通常包括市電零線N、市電火線L和市電地線三相交流信號(hào))工作時(shí)，需要設(shè)置過(guò)零檢測(cè)電路來(lái)控制家電設(shè)備中的大功率負(fù)載的開啟點(diǎn)和關(guān)閉點(diǎn)，特別是用于減少負(fù)載開啟瞬間的沖擊電流，從而降低家電設(shè)備中器件損壞的風(fēng)險(xiǎn)和電網(wǎng)波動(dòng)。

相關(guān)技術(shù)中，過(guò)零檢測(cè)電路的連接方式如圖1所示，具體包括限流電阻R1、光耦模塊(或稱為光電耦合器)IC、整流二極管D1、上拉電阻R3、輸出保護(hù)電阻R4和濾波電容C等器件，其中，限流電阻R1用于控制光耦模塊IC的工作電流I滿足1mA≤I≤50mA。

如圖2所示，光耦模塊IC包括發(fā)光二極管和光敏器件，上拉電阻R3和光敏器件串聯(lián)于直流源U和地線GND之間，當(dāng)光耦模塊IC的陽(yáng)極接口a1與陰極接口a2的電勢(shì)差大于發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，發(fā)光二極管導(dǎo)通發(fā)光。

當(dāng)交流市電發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)光二極管不導(dǎo)通發(fā)光，由于光敏器件在發(fā)光二極管發(fā)光和不發(fā)光兩種情況下，光敏器件的電信號(hào)如分壓值和電流值均不相同，因此，通過(guò)光耦模塊IC的第一輸出端a3和第二輸出端a4將電信號(hào)作為觸發(fā)信號(hào)通過(guò)輸出保護(hù)電阻R4和濾波電容C傳輸至處理器的一個(gè)指定I/O接口。

但是，相關(guān)技術(shù)中的過(guò)零檢測(cè)電路至少存在以下技術(shù)缺陷：

(1)如圖1所示的過(guò)零檢測(cè)電路應(yīng)用在歐洲國(guó)家時(shí)，其交流市電為230V/50Hz，過(guò)零檢測(cè)電路的消耗功率約為0.24瓦特，對(duì)于歐盟提出的家電關(guān)屏待機(jī)功耗要不大于0.5瓦特的要求，已經(jīng)占了將近一半的功耗。

(2)光耦模塊的CTR(Current Transfer Ratio，電流傳輸比)值會(huì)隨著溫度的升高而衰減，因此必須保證光耦模塊的輸入端電流大于或等于1毫安，因此，必須匹配相應(yīng)的限流電阻，導(dǎo)致了過(guò)零檢測(cè)電路通用性比較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。

為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出了一種過(guò)零檢測(cè)電路。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出了一種家電設(shè)備。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的技術(shù)方案，提出了一種過(guò)零檢測(cè)電路，包括：晶體管開關(guān)，串聯(lián)連接于光耦模塊的陰極接口與市電火線的采樣端L之間；限流電阻，限流電阻串聯(lián)連接于晶體管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)端和市電零線的采樣端之間，其中，晶體管開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，光耦模塊的第一輸出端向負(fù)載控制模塊輸出過(guò)零信號(hào)。

在該技術(shù)方案中，上述過(guò)零檢測(cè)電路還包括光耦模塊，光耦模塊的第一輸出端連接至負(fù)載控制模塊，結(jié)合光耦模塊和晶體管開關(guān)對(duì)市電進(jìn)行采樣，在限流電阻的作用下晶體管開關(guān)能夠在較小的電流變化下進(jìn)入飽和狀態(tài)，從而觸發(fā)光耦模塊導(dǎo)通，光耦模塊輸出過(guò)零信號(hào)，進(jìn)而達(dá)到過(guò)零檢測(cè)的目的。

值得特別指出的是，通過(guò)將限流電阻和晶體管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)端串聯(lián)，晶體管開關(guān)可以在不同的交流市電下得到較小的電流，有效地降低了過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，提高了過(guò)零檢測(cè)電路的通用性。

根據(jù)本發(fā)明的上述技術(shù)方案的過(guò)零檢測(cè)電路，還可以具有以下技術(shù)特征：

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，晶體管開關(guān)為三極管時(shí)，驅(qū)動(dòng)端為三極管的基極，三極管的集電極連接至光耦模塊的陰極接口，三極管的發(fā)射極連接至地線。

在該技術(shù)方案中，在晶體管開關(guān)為三極管時(shí)，以三極管的基極作為驅(qū)動(dòng)端，并將三極管的集電極連接至光耦模塊的陰極接口，三級(jí)管的發(fā)射極接地。

具體地，三極管控制光耦模塊的陽(yáng)極接口和陰極接口的導(dǎo)通和截止，三極管的導(dǎo)通(飽和或放大)與截止由正弦交流市電的正半周和負(fù)半周來(lái)決定，當(dāng)三極管為NPN型時(shí)，其基極和發(fā)射極之間的電壓大于0.7V時(shí)，非常小的基極電流就能使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，從而使光耦模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)。

其中，三極管可以根據(jù)檢測(cè)過(guò)零點(diǎn)的實(shí)際需求選擇為NPN型或PNP型。

通過(guò)設(shè)置三極管的發(fā)射極與市電火線的采樣端L連接，基極通過(guò)串聯(lián)連接的限流電阻與市電零線的采樣端連接，對(duì)于任何國(guó)家的市電來(lái)說(shuō)，都能在市電的正半周到來(lái)時(shí)，使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，又因?yàn)槿龢O管的基極電流需求比較小，一般為微安級(jí)，所以限流電阻的阻值可以取得非常大。

具體地，根據(jù)功率公式P＝U×U/R可知，電阻R越大，功率P就越小，假設(shè)使用上述過(guò)零檢測(cè)電路的電器設(shè)備在歐洲使用，交流市電為230V，取限流電阻的阻值為3兆歐，那么電路的功率為P＝230×230/3000000＝0.0176W，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，可滿足待機(jī)功耗要求。

其中，限流電阻可以是多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的電阻元件，也可以是一個(gè)阻值較大的電阻元件。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：第一二極管，第一二極管的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，第一二極管的陰極連接至市電火線的采樣端L。

在該技術(shù)方案中，在三極管的發(fā)射極和市電火線的采樣端L之間連接第一二極管，并且第一二極管的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，陰極連接至上述市電火線的采樣端L，這樣，由于二極管的單向?qū)щ娦裕?dāng)交流市電在交流市電的負(fù)半周到來(lái)時(shí)，第一二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)三極管退出飽和狀態(tài)，使光耦模塊處于截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)交流市電在交流市電的正半周到來(lái)時(shí)，電流能夠通過(guò)第一二極管，此時(shí)三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，使光耦模塊導(dǎo)通，從而可以根據(jù)光耦模塊的輸出端采集到的電平狀態(tài)的變化，判斷市電過(guò)零點(diǎn)的時(shí)間。

其中，二極管的單向?qū)щ娦允嵌O管中的PN結(jié)的作用，當(dāng)反向電壓較大時(shí)，可能導(dǎo)致PN結(jié)被損壞，即當(dāng)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，如果交流市電超出二極管的反向擊穿電壓，則可能導(dǎo)致二極管被反向擊穿，二極管被反向擊穿時(shí)，可能導(dǎo)致電路中的電流急劇增加，可能破壞過(guò)零檢測(cè)電路中的其他元器件。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：第二二極管，第二二極管的陰極連接至三極管的基極，第二二極管的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)在三極管的基極和發(fā)射極兩端之間連接第二二極管，并且上述第二二極管的陰極連接至三極管的基極，陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，減小了三極管被反向擊穿的可能性，提升了過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，限流電阻的阻值大于或等于3兆歐。

在該技術(shù)方案中，由于三極管的基極電流需求比較小，一般為微安級(jí)，所以為了降低過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，需要降低過(guò)零檢測(cè)電路中的電流值，故而將限流電阻的阻值取得非常大。

其中，當(dāng)限流電阻的阻值大于或等于3兆歐時(shí)，根據(jù)功率的計(jì)算公式可以得出，針對(duì)當(dāng)前世界各國(guó)不同的交流市電而言，過(guò)零檢測(cè)電路的功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上對(duì)家電設(shè)備的待機(jī)功耗的要求。

比如，帶有上述過(guò)零檢測(cè)電路的電器設(shè)備在歐洲使用時(shí)，交流市電為230V，取限流電阻的阻值為3兆歐，那么電路的功率為P＝230×230/3000000＝0.0176W，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，可滿足待機(jī)功耗要求。其中，限流電阻可以采用多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的電阻元件的方式，也可以使用一個(gè)電阻，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)踐情況確定。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，光耦模塊包括相對(duì)設(shè)置的發(fā)光二極管和光敏器件，光耦模塊的第一輸出端連接至光敏器件的第一端，光敏器件的第二端連接至地線，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：高頻變壓繞組；第三二極管，第三二極管的陽(yáng)極連接至高頻變壓繞組的第一輸出端，第三二極管的陰極連接至陽(yáng)極接口；電解電容，電解電容的正極連接至第三二極管的陰極，電解電容的負(fù)極同時(shí)連接至地線和高頻變壓繞組的第二輸出端，其中，第三二極管的陰極和電解電容的正極同時(shí)連接至光耦模塊的陽(yáng)極接口，用于向發(fā)光二極管提供發(fā)光電信號(hào)，陰極接口連接至發(fā)光二極管的陰極，陽(yáng)極接口連接至發(fā)光二極管的陽(yáng)極。

在該技術(shù)方案中，光耦模塊包括相對(duì)設(shè)置的發(fā)光二級(jí)管和光敏器件，是一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件，發(fā)光源和受光器位于同一密閉的殼體內(nèi)，彼此用透明絕緣體隔離，常用的發(fā)光源為發(fā)光二級(jí)管，受光器為光敏器件，一般為光敏電阻。

發(fā)光二級(jí)管在輸入電信號(hào)的作用下發(fā)出特定波長(zhǎng)的光，被光敏器件接收到而產(chǎn)生光電流輸出，光耦模塊的輸入輸出之間電隔離，電信號(hào)的傳輸具有單向性，因此，發(fā)光二級(jí)管對(duì)輸入、輸出電信號(hào)具有良好的隔離作用，抗干擾能力較好，減少了過(guò)零檢測(cè)電路中因?yàn)橥獠扛蓴_或電路中的波動(dòng)干擾導(dǎo)致的不穩(wěn)定信號(hào)。

其中，通過(guò)多組高頻變壓繞組(一個(gè)主繞組和多個(gè)輔助繞組)產(chǎn)生的電壓作為光耦模塊的供電壓，也可以使用一組高頻變壓繞組，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二級(jí)管發(fā)光。

具體地，由于高頻變壓繞組的工作頻率較高，可以分為幾個(gè)檔次，在開關(guān)頻率較高的情況下，輸出電壓的紋波較小，電壓平滑穩(wěn)定，同時(shí)，因?yàn)楣ぷ黝l率較高，電壓的傳輸效率更高，能夠進(jìn)一步降低過(guò)零檢測(cè)電路的功耗。

另外，過(guò)零檢測(cè)電路中還包括第三二極管和電解電容，用于對(duì)高頻變壓繞組產(chǎn)生的電壓進(jìn)行整流和濾波，從而保護(hù)光耦模塊，減小光耦模塊被高頻變壓繞組產(chǎn)生的大的瞬間電流損壞的可能性，進(jìn)而提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，光耦模塊的第二輸出端連接至地線，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：直流源，連接至光耦模塊的第一輸出端；上拉電阻，串聯(lián)連接于直流源與光耦模塊的第一輸出端之間；輸出保護(hù)電阻，串聯(lián)連接于光耦模塊的第一輸出端與負(fù)載控制模塊之間；濾波電容，串聯(lián)連接于負(fù)載控制模塊與地線之間。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)置上拉電阻與光敏器件串聯(lián)，也即在光敏器件導(dǎo)通時(shí)，上拉電阻起到分壓和保護(hù)的作用，另外，通過(guò)在光耦模塊的第一輸出端和負(fù)載控制模塊之間串聯(lián)連接輸出保護(hù)電阻，可以進(jìn)一步減小到達(dá)負(fù)載控制模塊的電流，減小該電流對(duì)負(fù)載控制模塊造成損壞的可能性。還可以在負(fù)載控制模塊和地線之間串聯(lián)連接濾波電容，減小電路中的電壓波動(dòng)對(duì)負(fù)載控制模塊的影響，提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，直流源輸出的電壓范圍為3～24伏。

在該技術(shù)方案中，直流源可以設(shè)置為3～24伏的直流源，其中，當(dāng)直流源電壓大于5V時(shí)，需要使用三極管進(jìn)行隔離，以減小更大的電壓對(duì)過(guò)零檢測(cè)電路造成損壞的可能性，但電路功耗會(huì)提高，優(yōu)選直流源的電壓范圍為3.0～5V，通常采用直流源為3.5V的直流源。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：陽(yáng)極保護(hù)電阻，串聯(lián)連接于第三二極管的陰極與光耦模塊的陽(yáng)極接口之間。

在該技術(shù)方案中，在第三二極管的陰極與光耦模塊的陽(yáng)極接口之間串聯(lián)連接陽(yáng)極保護(hù)電阻，能夠?qū)Ω哳l變壓繞組傳輸?shù)墓╇妷哼M(jìn)行分壓，從而減小高頻變壓繞組產(chǎn)生的電流損壞發(fā)光二級(jí)管的可能性，提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

根據(jù)本發(fā)明第二方面的技術(shù)方案，還提出了一種家電設(shè)備，包括：如本發(fā)明第一方面的任一項(xiàng)技術(shù)方案中提出的過(guò)零檢測(cè)電路，因此，本發(fā)明第二方面的技術(shù)方案提出的家電設(shè)備，具有本發(fā)明第一方面的技術(shù)方案提出的過(guò)零檢測(cè)電路的全部有益效果，在此不再贅述。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中過(guò)零檢測(cè)電路的電路結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中過(guò)零檢測(cè)電路的電壓波形的示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的過(guò)零檢測(cè)電路的實(shí)施例一的電路結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的過(guò)零檢測(cè)電路的實(shí)施例二的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

在圖1和圖2所示的現(xiàn)有過(guò)零檢測(cè)電路的基礎(chǔ)上，下面結(jié)合圖3和圖4對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的過(guò)零檢測(cè)電路進(jìn)行具體說(shuō)明。

實(shí)施例一：

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的過(guò)零檢測(cè)電路的實(shí)施例一的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例一的過(guò)零檢測(cè)電路，包括：晶體管開關(guān)Q，串聯(lián)連接于光耦模塊IC的陰極接口a2與市電火線的采樣端L之間；限流電阻R1，限流電阻R1串聯(lián)連接于晶體管開關(guān)Q的驅(qū)動(dòng)端和市電零線的采樣端N之間，其中，晶體管開關(guān)Q導(dǎo)通時(shí)，光耦模塊IC的第一輸出端a3向負(fù)載控制模塊輸出過(guò)零信號(hào)(I/O口表示負(fù)載控制模塊的一個(gè)通用接口)。

在該技術(shù)方案中，上述過(guò)零檢測(cè)電路還包括光耦模塊IC，光耦模塊IC的第一輸出端a3連接至負(fù)載控制模塊，結(jié)合光耦模塊IC和晶體管開關(guān)Q對(duì)市電進(jìn)行采樣，在限流電阻R1的作用下晶體管開關(guān)Q能夠在較小的電流變化下進(jìn)入飽和狀態(tài)，從而在光耦模塊IC的第一輸出端a3連接的電壓U2的作用下觸發(fā)光耦模塊IC導(dǎo)通，光耦模塊IC輸出過(guò)零信號(hào)，進(jìn)而達(dá)到過(guò)零檢測(cè)的目的。

值得特別指出的是，通過(guò)將限流電阻R1和晶體管開關(guān)Q的驅(qū)動(dòng)端串聯(lián)，晶體管開關(guān)Q可以在不同的交流市電下得到較小的電流，有效地降低了過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，提高了過(guò)零檢測(cè)電路的通用性。

其中，晶體管開關(guān)Q可以是PNP結(jié)構(gòu)，也可以是NPN結(jié)構(gòu)，也可以是MOS管，但整個(gè)過(guò)零檢測(cè)電路的控制方法是一樣的，都是根據(jù)正弦交流市電的正負(fù)半周(包括正弦交流市電全波和半波方式)來(lái)使晶體管開關(guān)Q工作在導(dǎo)通(飽和或放大)或截止?fàn)顟B(tài)，從而決定光耦模塊IC的導(dǎo)通或截止，進(jìn)而決定光耦模塊IC的輸出電平的高低，確定是否過(guò)零點(diǎn)。限流電阻R1可以是多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的電阻元件，也可以是一個(gè)阻值較大的電阻元件，但其目的都是通過(guò)選擇較大阻值的電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗的需求。

另外，由于在交流市電下，晶體管開關(guān)Q的驅(qū)動(dòng)端中的電流的很小變化就能使晶體管開關(guān)Q進(jìn)入飽和狀態(tài)，因此，在晶體管開關(guān)Q的驅(qū)動(dòng)端和市電零線的采樣端N之間串聯(lián)連接限流電阻R1，減小過(guò)零檢測(cè)電路中的電流，就能在晶體管開關(guān)Q能夠進(jìn)入飽和狀態(tài)控制光耦模塊IC的前提下，降低過(guò)零檢測(cè)電路的功率，從而降低待機(jī)狀態(tài)下該電路所在電器設(shè)備的功耗。

進(jìn)一步地，由于限流電阻R1的存在，對(duì)于不同國(guó)家的交流市電，都能將過(guò)零檢測(cè)電路中的電流限制到很小，使過(guò)零檢測(cè)電路的功耗降低到需求范圍內(nèi)，從而提高過(guò)零檢測(cè)電路的通用性。

實(shí)施例二：

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的過(guò)零檢測(cè)電路的實(shí)施例二的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

如圖4所示，在實(shí)施例一的過(guò)零檢測(cè)電路的基礎(chǔ)上，優(yōu)選地，晶體管開關(guān)Q為三極管時(shí)，驅(qū)動(dòng)端為三極管的基極，三極管的集電極連接至光耦模塊IC的陰極接口a2，三極管的發(fā)射極連接至地線。

在該技術(shù)方案中，在晶體管開關(guān)Q為三極管時(shí)，以三極管的基極作為驅(qū)動(dòng)端，并將三極管的集電極連接至光耦模塊IC的陰極接口a2，三級(jí)管的發(fā)射極接地。

具體地，三極管控制光耦模塊IC的陽(yáng)極接口a1和陰極接口a2的導(dǎo)通和截止，三極管的導(dǎo)通(飽和或放大)與截止由正弦交流市電的正半周和負(fù)半周來(lái)決定，當(dāng)三極管為NPN型時(shí)，其基極和發(fā)射極之間的電壓大于0.7V時(shí)，非常小的基極電流就能使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，從而使光耦模塊IC處于導(dǎo)通狀態(tài)。

其中，三極管可以根據(jù)檢測(cè)過(guò)零點(diǎn)的實(shí)際需求選擇為NPN型或PNP型。

通過(guò)設(shè)置三極管的發(fā)射極與市電火線的采樣端L連接，基極通過(guò)串聯(lián)連接的限流電阻R1與市電零線的采樣端N連接，對(duì)于任何國(guó)家的市電來(lái)說(shuō)，都能在市電的正半周到來(lái)時(shí)，使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，又因?yàn)槿龢O管的基極電流需求比較小，一般為微安級(jí)，所以限流電阻R1的阻值可以取得非常大。

具體地，根據(jù)功率公式P＝U×U/R可知，電阻R越大，功率P就越小，假設(shè)使用上述過(guò)零檢測(cè)電路的電器設(shè)備在歐洲使用，交流市電為230V，取限流電阻R1的阻值為3兆歐，那么電路的功率為P＝230×230/3000000＝0.0176W，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，可滿足待機(jī)功耗要求。

其中，限流電阻R1可以是多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的電阻元件，也可以是一個(gè)阻值較大的電阻元件。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：第一二極管D1，第一二極管D1的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，第一二極管D1的陰極連接至市電火線的采樣端L。

在該技術(shù)方案中，在三極管的發(fā)射極和市電火線的采樣端L之間連接第一二極管D1，并且第一二極管D1的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，陰極連接至上述市電火線的采樣端L，這樣，由于二極管的單向?qū)щ娦?，在交流市電的?fù)半周到來(lái)時(shí)，第一二極管D1處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)三極管退出飽和狀態(tài)，使光耦模塊IC處于截止?fàn)顟B(tài)，在交流市電的正半周到來(lái)時(shí)，電流能夠通過(guò)第一二極管D1，此時(shí)三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，使光耦模塊IC導(dǎo)通，從而可以根據(jù)光耦模塊IC的輸出端采集到的電平狀態(tài)的變化，判斷市電過(guò)零點(diǎn)的時(shí)間。

其中，二極管的單向?qū)щ娦允嵌O管中的PN結(jié)的作用，當(dāng)反向電壓較大時(shí)，可能導(dǎo)致PN結(jié)被損壞，即當(dāng)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，如果交流市電超出二極管的反向擊穿電壓，則可能導(dǎo)致二極管被反向擊穿，二極管被反向擊穿時(shí)，可能導(dǎo)致電路中的電流急劇增加，可能破壞過(guò)零檢測(cè)電路中的其他元器件。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：第二二極管D2，第二二極管D2的陰極連接至三極管的基極，第二二極管D2的陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)在三極管的基極和發(fā)射極兩端之間連接第二二極管D2，并且上述第二二極管D2的陰極連接至三極管的基極，陽(yáng)極連接至三極管的發(fā)射極，減小了三極管被反向擊穿的可能性，提升了過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，限流電阻R1的阻值大于或等于3兆歐。

在該技術(shù)方案中，由于三極管的基極電流需求比較小，一般為微安級(jí)，所以為了降低過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，需要降低過(guò)零檢測(cè)電路中的電流值，故而將限流電阻R1的阻值取得非常大。

其中，當(dāng)限流電阻R1的阻值大于或等于3兆歐時(shí)，根據(jù)功率的計(jì)算公式可以得出，針對(duì)當(dāng)前世界各國(guó)不同的交流市電而言，過(guò)零檢測(cè)電路的功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上對(duì)家電設(shè)備的待機(jī)功耗的要求。

比如，帶有上述過(guò)零檢測(cè)電路的電器設(shè)備在歐洲使用時(shí)，交流市電為230V，取限流電阻R1的阻值為3兆歐，那么電路的功率為P＝230×230/3000000＝0.0176W，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，可滿足待機(jī)功耗要求。其中，限流電阻R1可以采用多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的電阻元件的方式，也可以使用一個(gè)電阻，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)踐情況確定。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，光耦模塊IC包括相對(duì)設(shè)置的發(fā)光二極管LED和光敏器件PR，光耦模塊IC的第一輸出端a3連接至光敏器件PR的第一端，光敏器件PR的第二端連接至地線GND，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：高頻變壓繞組T1(可另外設(shè)置輔助繞組T2)；第三二極管D3，第三二極管D3的陽(yáng)極連接至高頻變壓繞組的第一輸出端d，第三二極管D3的陰極c連接至陽(yáng)極接口a1；電解電容E，電解電容E的正極連接至第三二極管D3的陰極c，電解電容E的負(fù)極同時(shí)連接至地線和高頻變壓繞組的第二輸出端b，其中，第三二極管D3的陰極和電解電容的正極同時(shí)連接至光耦模塊IC的陽(yáng)極接口a1，用于向發(fā)光二極管LED提供發(fā)光電信號(hào)，陰極接口a2連接至發(fā)光二極管LED的陰極，陽(yáng)極接口a1連接至發(fā)光二極管LED的陽(yáng)極。

在該技術(shù)方案中，光耦模塊IC包括相對(duì)設(shè)置的發(fā)光二級(jí)管LED和光敏器件PR，是一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件，發(fā)光源和受光器位于同一密閉的殼體內(nèi)，彼此用透明絕緣體隔離，常用的發(fā)光源為發(fā)光二級(jí)管LED，受光器為光敏器件PR，一般為光敏電阻。

發(fā)光二級(jí)管LED在輸入電信號(hào)的作用下發(fā)出特定波長(zhǎng)的光，被光敏器件PR接收到而產(chǎn)生光電流輸出，光耦模塊IC的輸入輸出之間電隔離，電信號(hào)的傳輸具有單向性，因此，發(fā)光二級(jí)管LED對(duì)輸入、輸出電信號(hào)具有良好的隔離作用，抗干擾能力較好，減少了過(guò)零檢測(cè)電路中因?yàn)橥獠扛蓴_或電路中的波動(dòng)干擾導(dǎo)致的不穩(wěn)定信號(hào)。

其中，多組通過(guò)多組高頻變壓繞組T1和另外設(shè)置輔助繞組T2產(chǎn)生的電壓作為光耦模塊IC的供電壓，也可以使用一組高頻變壓繞組T1，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二級(jí)管LED發(fā)光。

具體地，由于高頻變壓繞組T1的工作頻率較高，可以分為幾個(gè)檔次，在開關(guān)頻率較高的情況下，輸出電壓的紋波較小，電壓平滑穩(wěn)定，同時(shí)，因?yàn)楣ぷ黝l率較高，電壓的傳輸效率更高，能夠進(jìn)一步降低過(guò)零檢測(cè)電路的功耗。

另外，過(guò)零檢測(cè)電路中還包括第三二極管D3和電解電容E，用于對(duì)高頻變壓繞組T1產(chǎn)生的電壓進(jìn)行整流和濾波，從而保護(hù)光耦模塊IC，減小光耦模塊IC被高頻變壓繞組T1產(chǎn)生的大的瞬間電流損壞的可能性，進(jìn)而提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，光耦模塊IC的第二輸出端a4連接至地線GND，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：直流源U1，連接至光耦模塊IC的第一輸出端a3；上拉電阻R3，串聯(lián)連接于直流源U1與光耦模塊IC的第一輸出端a3之間；輸出保護(hù)電阻R4，串聯(lián)連接于光耦模塊IC的第一輸出端a3與負(fù)載控制模塊之間；濾波電容C，串聯(lián)連接于負(fù)載控制模塊與地線GND之間。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)置上拉電阻R3與光敏器件PR串聯(lián)，也即在光敏器件PR導(dǎo)通時(shí)，上拉電阻R3起到分壓和保護(hù)的作用，另外，通過(guò)在光耦模塊IC的第一輸出端a3和負(fù)載控制模塊之間串聯(lián)連接輸出保護(hù)電阻R4，可以進(jìn)一步減小到達(dá)負(fù)載控制模塊的電流，減小該電流對(duì)負(fù)載控制模塊造成損壞的可能性。還可以在負(fù)載控制模塊和地線GND之間串聯(lián)連接濾波電容C，減小電路中的電壓波動(dòng)對(duì)負(fù)載控制模塊的影響，提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，直流源U1輸出的電壓范圍為3～24伏。

在該技術(shù)方案中，直流源U1可以設(shè)置為3～24伏的直流源，其中，當(dāng)直流源U1電壓大于5V時(shí)，需要使用三極管進(jìn)行隔離，以減小更大的電壓對(duì)過(guò)零檢測(cè)電路造成損壞的可能性，但電路功耗會(huì)提高，優(yōu)選直流源的電壓范圍為3.0～5V，通常采用直流源為3.5V的直流源U1。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，過(guò)零檢測(cè)電路還包括：陽(yáng)極保護(hù)電阻R2，串聯(lián)連接于第三二極管D3的陰極與光耦模塊IC的陽(yáng)極接口a1之間。

在該技術(shù)方案中，在第三二極管D3的陰極與光耦模塊IC的陽(yáng)極接口a1之間串聯(lián)連接陽(yáng)極保護(hù)電阻R2，能夠?qū)Ω哳l變壓繞組T1傳輸?shù)墓╇妷哼M(jìn)行分壓，從而減小高頻變壓繞組T1產(chǎn)生的電流損壞發(fā)光二級(jí)管LED的可能性，提高過(guò)零檢測(cè)電路的可靠性。

其中，家電設(shè)備包括但不限于電冰箱、洗衣機(jī)、電飯煲、電磁爐和電視機(jī)。

值得特別指出的是，本技術(shù)方案中的過(guò)零檢測(cè)電路是由分立的元件搭建起來(lái)的，屬于模擬信號(hào)電路，因此，該電路的抗漏波干擾能力比較強(qiáng)。其中，漏波干擾是指微波設(shè)備在微波工作過(guò)程中，因?yàn)槲⒉ㄅ龅浇饘贂?huì)反射的特性，在安裝電路控制板處一般會(huì)產(chǎn)生0.1至3毫瓦左右的漏波干擾信號(hào)，能夠通過(guò)空間輻射直接作用在電路控制板的元件本體上，對(duì)比較器等比較敏感的器件造成較大的影響，使其工作異常。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，考慮到相關(guān)技術(shù)中提出的現(xiàn)有的過(guò)零檢測(cè)電路功耗較高且電路通用性差的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種過(guò)零檢測(cè)方案，通過(guò)將限流電阻和晶體管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)端串聯(lián)，晶體管開關(guān)可以在不同的交流市電下得到較小的電流，有效地降低了過(guò)零檢測(cè)電路的功耗，提高了過(guò)零檢測(cè)電路的通用性。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。