本發(fā)明涉及CO濃度檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種CO濃度檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法。
背景技術(shù):
在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,一氧化碳為無(wú)色、無(wú)臭、無(wú)刺激性的氣體。一氧化碳極易與血紅蛋白結(jié)合,形成碳氧血紅蛋白,使血紅蛋白喪失攜氧的能力和作用,造成組織窒息,嚴(yán)重時(shí)死亡。一氧化碳對(duì)全身的組織細(xì)胞均有毒性作用,尤其對(duì)大腦皮質(zhì)的影響最為嚴(yán)重??諝庵械囊谎趸紳舛冗_(dá)到50ppm時(shí),健康成年人可以承受8小時(shí);達(dá)到200ppm時(shí),健康成年人2~3小時(shí)后,輕微頭痛、乏力;達(dá)到400ppm時(shí),健康成年人1~2小時(shí)內(nèi)前額痛,3小時(shí)后威脅生命;到800ppm時(shí),健康成年人45分鐘內(nèi),眼花、惡心、痙攣,2小時(shí)內(nèi)失去知覺(jué),2~3小時(shí)內(nèi)死亡;達(dá)到1600ppm時(shí),健康成年人20分鐘內(nèi)頭痛、眼花、惡心,1小時(shí)內(nèi)死亡;達(dá)到3200ppm時(shí),健康成年人5~10分鐘內(nèi)頭痛、眼花、惡心,25~30分鐘內(nèi)死亡;達(dá)到6400ppm時(shí),健康成年人1~2分鐘內(nèi)頭痛、眼花、惡心,10~15分鐘死亡;達(dá)到12800ppm時(shí),健康成年人1~3分鐘內(nèi)死亡。
現(xiàn)有的CO氣體檢測(cè)系統(tǒng)僅僅是通過(guò)CO氣體傳感器進(jìn)行直接測(cè)量和報(bào)警,由于CO氣體傳感器對(duì)檢測(cè)環(huán)境的敏感度高,很容易受到干擾,導(dǎo)致直接用CO氣體傳感器的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行報(bào)警判定準(zhǔn)確度低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種CO濃度檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法,能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,提高對(duì)于環(huán)境中CO濃度檢測(cè)報(bào)警的準(zhǔn)確度。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下。
一種CO濃度檢測(cè)裝置,其特征在于:包括,
CO氣體傳感器,用于檢測(cè)CO氣體濃度;
采樣機(jī)構(gòu),用于在檢測(cè)區(qū)域內(nèi)采集氣體樣本;
中央處理模塊,用于對(duì)CO氣體傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行處理;
濾波模塊,用于對(duì)CO氣體傳感器的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波,并將濾波后的信號(hào)傳輸至中央處理模塊;
通訊模塊,用于將中央處理模塊的處理結(jié)果進(jìn)行輸出;
報(bào)警模塊,用于進(jìn)行聲光報(bào)警;
反饋模塊,用于根據(jù)中央處理模塊的處理結(jié)果對(duì)中央處理模塊(3)發(fā)出反饋控制信號(hào);
人機(jī)交互模塊,用于對(duì)中央處理模塊和反饋模塊的運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行顯示和控制。
作為優(yōu)選,所述采樣機(jī)構(gòu)包括機(jī)殼,機(jī)殼的進(jìn)氣口設(shè)置有濾網(wǎng),機(jī)殼的進(jìn)氣口和出氣口之間設(shè)置有氣腔,氣腔上方設(shè)置有采樣腔,氣腔內(nèi)設(shè)置有攪拌葉片,采樣腔內(nèi)通過(guò)豎向滑軌設(shè)置有孔板,孔板通過(guò)電機(jī)帶動(dòng)上下移動(dòng)。
作為優(yōu)選,所述濾波模塊的輸入端通過(guò)第一電阻連接至第一運(yùn)放的反相輸入端,濾波模塊的輸入端通過(guò)第二電阻連接至第一運(yùn)放的正相輸入端,第一運(yùn)放的正相輸入端通過(guò)第一電容接地,第一運(yùn)放的反相輸入端通過(guò)第三電阻連接至第一三極管的基極,第一三極管的基極通過(guò)第二電容連接至第一三極管的集電極,第一三極管的發(fā)射極通過(guò)第四電阻接地,第一三極管的集電極通過(guò)第五電阻連接至第二三極管的基極,第一三極管的集電極通過(guò)第六電阻連接至第二三極管的集電極,第二三極管的發(fā)射極通過(guò)第三電容接地,第二三極管的集電極通過(guò)第七電阻連接至第一運(yùn)放的輸出端,第一運(yùn)放的輸出端通過(guò)第八電阻連接至第二運(yùn)放的反相輸入端,第二運(yùn)放的正相輸入端通過(guò)第九電阻接地,第二運(yùn)放的反相輸入端通過(guò)第十電阻連接至第二運(yùn)放的輸出端,第二運(yùn)放的輸出端通過(guò)第十一電阻連接至第一三極管的集電極,第二運(yùn)放的反相輸入端通過(guò)第十二電阻連接至濾波模塊的輸出端。
一種上述的CO濃度檢測(cè)裝置的檢測(cè)方法,包括以下步驟:
A、采樣機(jī)構(gòu)對(duì)檢測(cè)空間內(nèi)的氣體樣本進(jìn)行采樣,CO氣體傳感器對(duì)采樣氣體進(jìn)行檢測(cè);
B、CO氣體傳感器將檢測(cè)結(jié)果通過(guò)濾波模塊發(fā)送至中央處理模塊;
C、中央處理模塊使用T1和T2兩個(gè)時(shí)間段的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度低于閾值,則擴(kuò)大檢測(cè)時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)進(jìn)行再次擬合,若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度仍低于閾值,則使用上一次得到的有效結(jié)果作為處理結(jié)果進(jìn)行輸出;若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度大于等于閾值,則使用本次得到的處理結(jié)果作為有效結(jié)果輸出;
D、反饋模塊根據(jù)中央處理模塊的輸出結(jié)果和人機(jī)交互模塊的設(shè)定對(duì)中央處理模塊進(jìn)行反饋控制。
作為優(yōu)選,步驟D中,若中央處理模塊輸出結(jié)果為濃度超標(biāo)報(bào)警,并且濃度值未降低,則反饋模塊將中央處理模塊的檢測(cè)頻率進(jìn)行提高,中央處理模塊檢測(cè)頻率的提高幅度與濃度超標(biāo)時(shí)長(zhǎng)成正比,其比例系數(shù)通過(guò)人機(jī)交互模塊進(jìn)行設(shè)定。
采用上述技術(shù)方案所帶來(lái)的有益效果在于:本發(fā)明對(duì)于外界干擾可以進(jìn)行有效的過(guò)濾,降低由于外界環(huán)境因素的變化對(duì)于檢測(cè)報(bào)警結(jié)果的干擾,檢測(cè)可靠性高,報(bào)警準(zhǔn)確及時(shí),非常適合室內(nèi)CO的檢測(cè)。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式的原理圖。
圖2是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式中采樣機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式中濾波模塊的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明中使用到的標(biāo)準(zhǔn)零件均可以從市場(chǎng)上購(gòu)買(mǎi),異形件根據(jù)說(shuō)明書(shū)的和附圖的記載均可以進(jìn)行訂制,各個(gè)零件的具體連接方式均采用現(xiàn)有技術(shù)中成熟的螺栓、鉚釘、焊接、粘貼等常規(guī)手段,在此不再詳述。
參照?qǐng)D1-3,本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式包括CO氣體傳感器1,用于檢測(cè)CO氣體濃度;
采樣機(jī)構(gòu)2,用于在檢測(cè)區(qū)域內(nèi)采集氣體樣本;
中央處理模塊3,用于對(duì)CO氣體傳感器1輸出的信號(hào)進(jìn)行處理;
濾波模塊4,用于對(duì)CO氣體傳感器1的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波,并將濾波后的信號(hào)傳輸至中央處理模塊3;
通訊模塊5,用于將中央處理模塊3的處理結(jié)果進(jìn)行輸出;
報(bào)警模塊6,用于進(jìn)行聲光報(bào)警;
反饋模塊8,用于根據(jù)中央處理模塊3的處理結(jié)果對(duì)中央處理模塊3發(fā)出反饋控制信號(hào);
人機(jī)交互模塊7,用于對(duì)中央處理模塊3和反饋模塊8的運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行顯示和控制。
采樣機(jī)構(gòu)2包括機(jī)殼9,機(jī)殼9的進(jìn)氣口11設(shè)置有濾網(wǎng)10,機(jī)殼的進(jìn)氣口11和出氣口12之間設(shè)置有氣腔13,氣腔13上方設(shè)置有采樣腔14,氣腔13內(nèi)設(shè)置有攪拌葉片15,采樣腔14內(nèi)通過(guò)豎向滑軌16設(shè)置有孔板17,孔板17通過(guò)電機(jī)18帶動(dòng)上下移動(dòng)。
濾波模塊4的輸入端IN通過(guò)第一電阻R1連接至第一運(yùn)放A1的反相輸入端,濾波模塊4的輸入端IN通過(guò)第二電阻R2連接至第一運(yùn)放A1的正相輸入端,第一運(yùn)放A1的正相輸入端通過(guò)第一電容C1接地,第一運(yùn)放A1的反相輸入端通過(guò)第三電阻R3連接至第一三極管Q1的基極,第一三極管Q1的基極通過(guò)第二電容C2連接至第一三極管Q1的集電極,第一三極管Q1的發(fā)射極通過(guò)第四電阻R4接地,第一三極管Q1的集電極通過(guò)第五電阻R5連接至第二三極管Q2的基極,第一三極管Q1的集電極通過(guò)第六電阻R6連接至第二三極管Q2的集電極,第二三極管Q2的發(fā)射極通過(guò)第三電容C3接地,第二三極管Q2的集電極通過(guò)第七電阻R7連接至第一運(yùn)放A1的輸出端,第一運(yùn)放A1的輸出端通過(guò)第八電阻R8連接至第二運(yùn)放A2的反相輸入端,第二運(yùn)放A2的正相輸入端通過(guò)第九電阻R9接地,第二運(yùn)放A2的反相輸入端通過(guò)第十電阻R10連接至第二運(yùn)放A2的輸出端,第二運(yùn)放A2的輸出端通過(guò)第十一電阻R11連接至第一三極管Q1的集電極,第二運(yùn)放A2的反相輸入端通過(guò)第十二電阻R12連接至濾波模塊4的輸出端。
其中,第一電阻R1為2.5kΩ、第二電阻R2為3kΩ、第三電阻R3為12kΩ、第四電阻R4為7kΩ、第五電阻R5為1.5kΩ、第六電阻R6為2kΩ、第七電阻R7為4kΩ、第八電阻R8為4kΩ、第九電阻R9為7kΩ、第十電阻R10為8.5kΩ、第十一電阻R11為5kΩ、第十二電阻R12為2.5kΩ。第一電容C1為350μF、第二電容C2為600μF、第三電容C3為450μF。
一種上述的CO濃度檢測(cè)裝置的檢測(cè)方法,包括以下步驟:
A、采樣機(jī)構(gòu)2對(duì)檢測(cè)空間內(nèi)的氣體樣本進(jìn)行采樣,CO氣體傳感器1對(duì)采樣氣體進(jìn)行檢測(cè);
B、CO氣體傳感器1將檢測(cè)結(jié)果通過(guò)濾波模塊4發(fā)送至中央處理模塊3;
C、中央處理模塊3使用T1和T2兩個(gè)時(shí)間段的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度低于閾值,則擴(kuò)大檢測(cè)時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)進(jìn)行再次擬合,若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度仍低于閾值,則使用上一次得到的有效結(jié)果作為處理結(jié)果進(jìn)行輸出;若擬合后的數(shù)據(jù)的線性相關(guān)度大于等于閾值,則使用本次得到的處理結(jié)果作為有效結(jié)果輸出;
D、反饋模塊8根據(jù)中央處理模塊3的輸出結(jié)果和人機(jī)交互模塊7的設(shè)定對(duì)中央處理模塊3進(jìn)行反饋控制。
步驟D中,若中央處理模塊3輸出結(jié)果為濃度超標(biāo)報(bào)警,并且濃度值未降低,則反饋模塊8將中央處理模塊3的檢測(cè)頻率進(jìn)行提高,中央處理模塊3檢測(cè)頻率的提高幅度與濃度超標(biāo)時(shí)長(zhǎng)成正比,其比例系數(shù)通過(guò)人機(jī)交互模塊7進(jìn)行設(shè)定。
T1和T2兩個(gè)時(shí)間段在選取時(shí),時(shí)長(zhǎng)保持在5~6s,兩個(gè)時(shí)間段保持有至少80%的重疊區(qū)域。
在中央處理模塊3提高檢測(cè)頻率的同時(shí),使孔板17向上移動(dòng),加快采樣腔14內(nèi)氣體的循環(huán)速度。
現(xiàn)有技術(shù)的CO氣體傳感器是通過(guò)CO氣體在電極上發(fā)生氧化或者還原反應(yīng),傳感器通過(guò)檢測(cè)反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的電荷電位,對(duì)氣體濃度進(jìn)行判斷。并通過(guò)設(shè)置化學(xué)過(guò)濾器對(duì)干擾氣體進(jìn)行去除,通過(guò)設(shè)置偏置電壓使電化學(xué)反應(yīng)活性較低的氣體可以實(shí)現(xiàn)氧化或者還原反應(yīng),提高傳感器的靈敏度。發(fā)明人通過(guò)對(duì)傳感器檢測(cè)原理的研究,通過(guò)增加比表面積來(lái)提高傳感器的檢測(cè)靈敏度,增加比表面積的方法是采用金剛石絮狀網(wǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn),金剛石薄膜對(duì)CO分子敏感,利用金剛石多層多孔薄膜可以實(shí)現(xiàn)對(duì)CO的檢測(cè),具體做法是先在SiO2基板上生長(zhǎng)一層金剛石薄膜,然后在金剛石薄膜上面生長(zhǎng)一層SiO2,接著利用光刻膠覆蓋,用光刻技術(shù)在SiO2上面繪制微溝道,使用酸腐蝕法腐蝕掉一部分SiO2,去掉部分SiO2,在上面繼續(xù)生長(zhǎng)金剛石,然后重復(fù)生長(zhǎng)SiO2,光刻,再生長(zhǎng)金剛石,如此生長(zhǎng)多層。最后將金剛石薄膜放入酸中腐蝕掉SiO2形成微溝道管道,最后在金剛石薄膜上接上歐姆電極。CO分子可以方便的進(jìn)入微溝道,從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)CO的高精度測(cè)量。在生長(zhǎng)時(shí)可摻入少量的硼。
在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。