本申請涉及蒸鍍工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種導(dǎo)向管、薄膜厚度傳感器及蒸鍍設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前，蒸鍍工藝廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品的制造中，蒸鍍是在真空中將待成膜的物質(zhì)進(jìn)行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基片表面析出形成薄膜的過程。例如，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(Organic Electroluminesence Display,OLED)的制作過程中，需要蒸鍍多層有機(jī)材料薄膜。在蒸鍍的過程中，需要使用薄膜厚度傳感器實(shí)時檢測薄膜的厚度，從而對蒸發(fā)進(jìn)行控制。具體地，薄膜厚度傳感器中設(shè)置有晶體振子，由于晶體振子具有諧振頻率隨其質(zhì)量變化的特性，在蒸鍍過程中晶體振子諧振頻率的變化反映了晶體振子上薄膜厚度的變化，因此檢測晶體振子的諧振頻率即可得到薄膜厚度。

如圖1所示，通常薄膜厚度傳感器包括：導(dǎo)向管1、晶體振子2和用于檢測晶體振子2諧振頻率的檢測裝置3；其中，導(dǎo)向管1通常為中空圓柱形，包括：蒸鍍物入口11和蒸鍍物出口12，晶體振子2設(shè)置在導(dǎo)向管1的蒸鍍物出口12處。在OLED蒸鍍工藝中，當(dāng)使用薄膜厚度傳感器長時間檢測薄膜厚度，蒸鍍物容易堆積在導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口處(簡稱導(dǎo)向管入口處)，使得晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物減少，從而造成檢測的薄膜厚度不準(zhǔn)確。

基于此，如何減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請實(shí)施例提供了一種導(dǎo)向管、薄膜厚度傳感器及蒸鍍設(shè)備，用以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響。

本申請實(shí)施例提供的一種導(dǎo)向管，用于薄膜厚度傳感器，所述導(dǎo)向管中空，包括：蒸鍍物入口和蒸鍍物出口；其中，所述蒸鍍物入口的截面積大于所述蒸鍍物出口的截面積。

本申請實(shí)施例提供的導(dǎo)向管，由于導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的截面積大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物出口的截面積，這樣，使用該導(dǎo)向管的薄膜厚度傳感器在檢測薄膜厚度時，可以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物的影響，從而減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，提高了薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

較佳地，從所述蒸鍍物入口到所述蒸鍍物出口，所述導(dǎo)向管的截面積逐漸減小。

較佳地，所述導(dǎo)向管分為兩段，從所述蒸鍍物入口到所述蒸鍍物出口，靠近所述蒸鍍物入口的一段導(dǎo)向管的截面積與所述蒸鍍物入口的截面積相同，另一段導(dǎo)向管的截面積逐漸減小。

較佳地，所述導(dǎo)向管分為兩段，從所述蒸鍍物入口到所述蒸鍍物出口，靠近所述蒸鍍物入口的一段導(dǎo)向管的截面積逐漸減小到與所述蒸鍍物出口的截面積相同，另一段導(dǎo)向管的截面積與所述蒸鍍物出口的截面積相同。

較佳地，所述導(dǎo)向管分為兩段，從所述蒸鍍物入口到所述蒸鍍物出口，靠近所述蒸鍍物入口的一段導(dǎo)向管的截面積逐漸增大，另一段導(dǎo)向管的截面積逐漸減小。

較佳地，所述導(dǎo)向管沿所述蒸鍍物入口的中心點(diǎn)與所述蒸鍍物出口的中心點(diǎn)連線呈軸對稱。

由于導(dǎo)向管沿蒸鍍物入口的中心點(diǎn)與蒸鍍物出口的中心點(diǎn)連線呈軸對稱，這樣便于生產(chǎn)。

較佳地，所述導(dǎo)向管的截面為圓形、橢圓形或方形。

本申請實(shí)施例還提供了一種薄膜厚度傳感器，包括：本申請任意實(shí)施例提供的導(dǎo)向管，設(shè)置在所述導(dǎo)向管的蒸鍍物出口處的晶體振子，以及與所述晶體振子連接的用于檢測所述晶體振子諧振頻率的檢測裝置。

由于本申請實(shí)施例提供的薄膜厚度傳感器采用上述的導(dǎo)向管，而導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的截面積大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物出口的截面積，這樣，在檢測薄膜厚度時，可以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物的影響，從而減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，提高了薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

本申請實(shí)施例還提供了一種蒸鍍設(shè)備，包括：至少一個蒸發(fā)源和本申請任意實(shí)施例提供的薄膜厚度傳感器；其中，所述薄膜厚度傳感器的一根導(dǎo)向管的蒸鍍物入口朝向一個所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)面。

由于本申請實(shí)施例提供的蒸鍍設(shè)備采用上述的薄膜厚度傳感器，同時薄膜厚度傳感器采用上述的導(dǎo)向管，而導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的截面積大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物出口的截面積，這樣，在檢測薄膜厚度時，可以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物的影響，從而減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，提高了薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

較佳地，所述蒸發(fā)源為多個且排列成排，所述導(dǎo)向管的截面為橢圓形，所述導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的短軸的長度不大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物入口所朝向的蒸發(fā)源的蒸發(fā)面沿所述多個蒸發(fā)源的排列方向的最大長度。

上述蒸鍍設(shè)備，由于導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的短軸的長度不大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物入口所朝向的蒸發(fā)源的蒸發(fā)面沿所述多個蒸發(fā)源的排列方向的最大長度，這樣，使用該導(dǎo)向管的薄膜厚度傳感器在檢測薄膜厚度時，可以避免鄰近蒸發(fā)源的蒸鍍物對該薄膜厚度傳感器產(chǎn)生影響，因此，可以提高薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜厚度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請實(shí)施例一提供的導(dǎo)向管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請實(shí)施例二提供的導(dǎo)向管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請實(shí)施例三提供的導(dǎo)向管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請實(shí)施例四提供的導(dǎo)向管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請實(shí)施例提供的一種薄膜厚度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請實(shí)施例提供的一種蒸鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請實(shí)施例提供的一種蒸鍍設(shè)備中蒸發(fā)源與導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的俯視圖；

圖9為本申請實(shí)施例提供的另一種蒸鍍設(shè)備中蒸發(fā)源與導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的俯視圖。

具體實(shí)施方式

本申請實(shí)施例提供了一種導(dǎo)向管、薄膜厚度傳感器及蒸鍍設(shè)備，用以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響。

下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。

需要說明的是，本申請附圖中各器件的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本申請內(nèi)容。

實(shí)施例一：

參見圖2，本申請實(shí)施例一提供的一種導(dǎo)向管，用于薄膜厚度傳感器，導(dǎo)向管中空，包括：蒸鍍物入口11和蒸鍍物出口12；其中，蒸鍍物入口11的截面積大于蒸鍍物出口12的截面積，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，該導(dǎo)向管的截面積逐漸減小。

由于導(dǎo)向管的蒸鍍物入口11的截面積大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物出口12的截面積，這樣，使用該導(dǎo)向管的薄膜厚度傳感器在檢測薄膜厚度時，可以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物的影響，從而減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，提高了薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

其中，導(dǎo)向管的截面可以為圓形、橢圓形或方形等，本申請實(shí)施例對此并不進(jìn)行限定。

若導(dǎo)向管的截面為圓形，上述蒸鍍物入口11的截面積大于蒸鍍物出口12的截面積，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，該導(dǎo)向管的截面積逐漸減小，即蒸鍍物入口11的口徑大于蒸鍍物出口12的口徑，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，該導(dǎo)向管的口徑逐漸減小，如圖2所示。

在一較佳實(shí)施方式中，如圖2所示，導(dǎo)向管沿蒸鍍物入口11的中心點(diǎn)與蒸鍍物出口12的中心點(diǎn)連線13呈軸對稱。

由于導(dǎo)向管沿蒸鍍物入口11的中心點(diǎn)與蒸鍍物出口12的中心點(diǎn)連線13呈軸對稱，這樣便于生產(chǎn)。

實(shí)施例二：

本申請實(shí)施例二提供的導(dǎo)向管與本申請實(shí)施例一提供的導(dǎo)向管相類似，相同的部分在此不再贅述，下面只描述不同的部分。

參見圖3，本申請實(shí)施例二提供的導(dǎo)向管分為兩段，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的截面積與蒸鍍物入口11的截面積相同，另一段導(dǎo)向管102的截面積逐漸減小；若導(dǎo)向管的截面為圓形，可表述為從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的口徑與蒸鍍物入口11的口徑相同，另一段導(dǎo)向管102的口徑逐漸減小。

實(shí)施例三：

本申請實(shí)施例三提供的導(dǎo)向管與本申請實(shí)施例一提供的導(dǎo)向管相類似，相同的部分在此不再贅述，下面只描述不同的部分。

參見圖4，本申請實(shí)施例三提供的導(dǎo)向管分為兩段，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的截面積逐漸減小到與蒸鍍物出口12的截面積相同，另一段導(dǎo)向管102的截面積與蒸鍍物出口12的截面積相同；若導(dǎo)向管的截面為圓形，可表述為從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的口徑逐漸減小到與蒸鍍物出口12的口徑相同，另一段導(dǎo)向管102的口徑與蒸鍍物出口12的口徑相同。

實(shí)施例四：

本申請實(shí)施例四提供的導(dǎo)向管與本申請實(shí)施例一提供的導(dǎo)向管相類似，相同的部分在此不再贅述，下面只描述不同的部分。

參見圖5，本申請實(shí)施例四提供的導(dǎo)向管分為兩段，從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的截面積逐漸增大，另一段導(dǎo)向管102的截面積逐漸減小；若導(dǎo)向管的截面為圓形，可表述為從蒸鍍物入口11到蒸鍍物出口12，靠近蒸鍍物入口11的一段導(dǎo)向管101的口徑逐漸增大，另一段導(dǎo)向管102的口徑逐漸減小。

需要說明的是，本申請實(shí)施例提供的導(dǎo)向管還可根據(jù)口徑的變化分為三段或三段以上，例如：若導(dǎo)向管分為三段，可在本申請實(shí)施例二提供的導(dǎo)向管的形狀基礎(chǔ)上，在導(dǎo)向管102的后面再包括一段口徑與蒸鍍物出口12的口徑相同的導(dǎo)向管；或者，可在本申請實(shí)施例三提供的導(dǎo)向管的形狀基礎(chǔ)上，在導(dǎo)向管101的前面再包括一段口徑與蒸鍍物入口11的口徑相同的導(dǎo)向管；或者，可在本申請實(shí)施例四提供的導(dǎo)向管的形狀基礎(chǔ)上，在導(dǎo)向管101的前面再包括一段口徑與蒸鍍物入口11的口徑相同的導(dǎo)向管，或在導(dǎo)向管102的后面再包括一段口徑與蒸鍍物出口12的口徑相同的導(dǎo)向管；若導(dǎo)向管分為四段，可在本申請實(shí)施例四提供的導(dǎo)向管的形狀基礎(chǔ)上，在導(dǎo)向管101的前面再包括一段口徑與蒸鍍物入口11的口徑相同的導(dǎo)向管，以及在導(dǎo)向管102的后面再包括一段口徑與蒸鍍物出口12的口徑相同的導(dǎo)向管。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請實(shí)施例還提供了一種薄膜厚度傳感器，用于蒸鍍工藝中薄膜厚度檢測，參見圖6，該薄膜厚度傳感器包括：本申請任意實(shí)施例提供的導(dǎo)向管1，設(shè)置在導(dǎo)向管1的蒸鍍物出口12處的晶體振子2，以及與晶體振子2連接的用于檢測晶體振子2諧振頻率的檢測裝置3。

在一較佳實(shí)施方式中，上述薄膜厚度傳感器還可以包括：與檢測裝置3電連接的用于根據(jù)晶體振子2諧振頻率確定薄膜厚度的處理器。

在一較佳實(shí)施方式中，上述薄膜厚度傳感器還可以包括：與處理器電連接的顯示裝置，該顯示裝置用于顯示薄膜厚度。

其中，顯示裝置可以為數(shù)字顯示器或表盤顯示器。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請實(shí)施例還提供了一種蒸鍍設(shè)備，參見圖7，該蒸鍍設(shè)備包括：至少一個蒸發(fā)源71和本申請任意實(shí)施例提供的薄膜厚度傳感器72(如圖7中虛線框所示)；其中，薄膜厚度傳感器72的一根導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11朝向一個蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面73。

其中，蒸發(fā)源的蒸發(fā)面指蒸發(fā)源產(chǎn)生蒸發(fā)的開口。

在一較佳實(shí)施方式中，蒸發(fā)源71為多個且排列成排，導(dǎo)向管的截面為橢圓形，通常情況下，只有位于同一排的蒸發(fā)源71中鄰近蒸發(fā)源71的蒸鍍物才會對檢測的膜層厚度產(chǎn)生影響，而不同排的蒸發(fā)源71的蒸鍍物不會對檢測的膜層厚度產(chǎn)生影響，為了提高薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度，如圖8、圖9所示，導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11的短軸a的長度可以設(shè)置成等于該導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11所朝向的蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面73沿該多個蒸發(fā)源71的排列方向的最大長度L，這樣，使用該導(dǎo)向管1的薄膜厚度傳感器72在檢測薄膜厚度時，可以避免鄰近蒸發(fā)源71的蒸鍍物對該薄膜厚度傳感器72產(chǎn)生影響，因此，可以提高薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。當(dāng)然，導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11的短軸的長度也可以設(shè)置成小于該導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11所朝向的蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面沿該多個蒸發(fā)源71的排列方向的最大長度。

其中，蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面73可以為圓形，如圖8所示，蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面73也可以為矩形，如圖9所示，當(dāng)然，還可以為其他的形狀，本申請實(shí)施例并不對其進(jìn)行限定。

若導(dǎo)向管1的截面為圓形，為了避免鄰近蒸發(fā)源71的蒸鍍物的影響，提高薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度，可以設(shè)置導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11的口徑不大于該導(dǎo)向管1的蒸鍍物入口11所朝向的蒸發(fā)源71的蒸發(fā)面沿該多個蒸發(fā)源71的排列方向的最大長度。

綜上所述，本申請實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，由于導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的截面積大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物出口的截面積，這樣，使用該導(dǎo)向管的薄膜厚度傳感器在檢測薄膜厚度時，可以減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對晶體振子可以感應(yīng)的蒸鍍物的影響，從而減小因?qū)蚬苋肟谔幷翦兾锒逊e對薄膜厚度檢測準(zhǔn)確度的影響，提高了薄膜厚度檢測的準(zhǔn)確度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。