技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電流傳感器領(lǐng)域，具體為一種基于磁場檢測的電流測量方法及電流傳感系統(tǒng)，導(dǎo)體通入待測電流IT為下層，帶四個磁傳感器的硅片件放置于導(dǎo)體上方為上層，第一磁傳感器位于所述導(dǎo)體上的U形凹槽前端的開口垂直映射到上層的位置，第二磁傳感器件于所述U形凹槽開口反方向垂直映射到上層的位置，第三磁傳感器位于所述第一磁傳感器一側(cè)且位于所述導(dǎo)體正上方垂直映射到上層的位置，第四磁傳感器位于所述第一磁傳感器另一側(cè)且位于所述U形凹槽開口反方向垂直映射到上層的位置或者導(dǎo)體正上方垂直映射到上層的位置，求出B的同時衰減外部干擾源所產(chǎn)生的干擾信號，根據(jù)待處理磁通量B求出待測電流IT的大小，有效解決傳統(tǒng)方法中抗干擾性差的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：黃海濱;尹有杰;馬輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.24
技術(shù)公布日：2017.07.21