本發(fā)明涉及壓縮科學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究領(lǐng)域，具體涉及一種適合于mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮技術(shù)的測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法。

背景技術(shù)：

柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器(以下簡(jiǎn)稱mc-1)是利用炸藥爆炸驅(qū)動(dòng)金屬筒體壓縮其空腔內(nèi)的初始磁通量，將炸藥化學(xué)能轉(zhuǎn)化為磁場(chǎng)能，使之在軸線附近體積內(nèi)聚積，形成超強(qiáng)磁場(chǎng)，并對(duì)其中的樣品靶實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)等熵壓縮，其具有加載壓力高(tpa)，溫升低(1000k量級(jí))、樣品尺寸大和等熵好的特定。

目前，國(guó)際上在利用mc-1開(kāi)展準(zhǔn)等熵壓縮材料物理實(shí)驗(yàn)時(shí)，主要是利用閃光照相技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)材料壓縮狀態(tài)的動(dòng)態(tài)觀測(cè)(陰影照相，類似醫(yī)院的x光照片)，配合磁流體動(dòng)力學(xué)編碼最終獲得材料壓縮狀態(tài)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。這種研究方法存在三方面的問(wèn)題，一是對(duì)實(shí)驗(yàn)條件要求較高，需要高能、高分辨率的閃光照相設(shè)備；二是mc-1實(shí)驗(yàn)裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且存在運(yùn)動(dòng)模糊等問(wèn)題導(dǎo)致利用閃光照相方法獲得的數(shù)據(jù)精度是極為有限的，其獲得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)精度也僅約為20％，達(dá)不到精密物理實(shí)驗(yàn)的需要；三是利用閃光照相方法每次實(shí)驗(yàn)只能獲得有限幾幅照片，因而獲得的數(shù)據(jù)量有限，僅有幾個(gè)離散時(shí)間點(diǎn)的數(shù)據(jù)。

另外國(guó)內(nèi)也有利用激光測(cè)速法測(cè)量柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶內(nèi)壁自由面速度的方法獲得材料高壓物性數(shù)據(jù)，雖然該方法能夠克服上述閃光照相方法難以獲得高精度連續(xù)的自由面速度數(shù)據(jù)的問(wèn)題，但是由于其難以獲得非透明材料的界面速度，給后續(xù)的數(shù)據(jù)帶來(lái)了困難，并且導(dǎo)致其最終得到的高壓物性數(shù)據(jù)精度受限。

本發(fā)明提出了適合于mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮的新測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法，該新測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法通過(guò)新型的雙層筒狀準(zhǔn)等熵壓縮靶設(shè)計(jì)，以及利用磁感應(yīng)原理測(cè)量界面速度，激光測(cè)速法測(cè)量樣品靶內(nèi)壁自由面速度，解決了難以同時(shí)獲得界面和自由面速度的難題。本測(cè)量方法不需要復(fù)雜的閃光照相裝置，大大降低了測(cè)量的技術(shù)難度，并顯著提高了高壓物性數(shù)據(jù)精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種適合于mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮的測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法，解決現(xiàn)有mc-1準(zhǔn)等熵壓縮物理實(shí)驗(yàn)存在的測(cè)量數(shù)據(jù)量有限，難以同時(shí)獲得界面和自由面速度的難題，以及測(cè)量精度較低的問(wèn)題。

本發(fā)明通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種適合于mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮的測(cè)量結(jié)構(gòu)，包括金屬筒體，在金屬筒體的內(nèi)部軸線處設(shè)置有柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶，在柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的內(nèi)部軸線處安裝有測(cè)量探頭；通過(guò)樣品管限位塞將測(cè)量探頭限位固定到柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的端部，使測(cè)量探頭的至少一路激光測(cè)量點(diǎn)和至少一個(gè)磁感應(yīng)線圈位于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面上。

所述的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶為兩層中空管形靶，包括軸向長(zhǎng)度相等的絕緣待測(cè)材料區(qū)、標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)，絕緣待測(cè)材料區(qū)為柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的內(nèi)壁，標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)為柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的外壁，絕緣待測(cè)材料區(qū)和標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)的軸線與金屬筒體的軸線位于同一直線，且共中平面。進(jìn)一步的，上述柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶設(shè)計(jì)為雙層筒狀結(jié)構(gòu)，柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶外層為柱面標(biāo)準(zhǔn)材料區(qū)，內(nèi)層為絕緣待測(cè)材料區(qū)。絕緣待測(cè)材料區(qū)和標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)長(zhǎng)度相等，實(shí)驗(yàn)裝配時(shí)保證柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的軸線與金屬筒體的軸線位于同一直線，且共中平面。

所述的測(cè)量探頭包括多路激光測(cè)速光纖探針、支撐定位桿和絕緣保護(hù)套，所述支撐定位桿位于測(cè)量探頭的軸線上，多路激光測(cè)速光纖探針按特定軸向和周向排布粘接固定在支撐定位桿上；絕緣保護(hù)套設(shè)置在激光測(cè)速光纖探針、支撐定位桿外部，且激光測(cè)速光纖探針的激光束能夠無(wú)遮擋地通過(guò)絕緣保護(hù)套的開(kāi)孔。進(jìn)一步的，上述測(cè)量探頭包括至少一路激光測(cè)速光纖探針、支撐定位桿、絕緣保護(hù)套、和至少一個(gè)磁感應(yīng)線圈。測(cè)量探頭裝配時(shí)，首先在支撐定位桿中平面凹槽處使用絕緣細(xì)導(dǎo)線繞制磁感應(yīng)線圈，并將其引線雙絞后經(jīng)過(guò)支撐定位桿的軸向線槽引出；然后將至少一路激光測(cè)速光纖探針周向均布地粘接到支撐定位桿上，并激光測(cè)速光纖探針的激光測(cè)量點(diǎn)位于支撐定位桿中平面上；而后套裝絕緣保護(hù)套，并保證激光測(cè)速光纖探針的激光束能夠無(wú)遮擋地通過(guò)絕緣保護(hù)套的開(kāi)孔，并利用兩個(gè)測(cè)量探頭限位塞進(jìn)行限位固定；最后使用絕緣細(xì)導(dǎo)線在套裝絕緣保護(hù)套開(kāi)孔邊分別繞制至少一個(gè)磁感應(yīng)線圈，并將該磁感應(yīng)線圈的引線雙絞后沿絕緣保護(hù)套外壁軸向引出。

還包括至少1個(gè)第一磁感應(yīng)線圈，所述第一磁感應(yīng)線圈設(shè)置在支撐定位桿的中平面的環(huán)向凹槽處，由絕緣細(xì)導(dǎo)線周向方向纏繞而成，其引線雙絞后經(jīng)由支撐定位桿的軸向線槽引出。

還包括第二磁感應(yīng)線圈，所述第二磁感應(yīng)線圈設(shè)置在絕緣保護(hù)套開(kāi)孔邊緣，由絕緣細(xì)導(dǎo)線沿絕緣保護(hù)套外表面周向方向纏繞，并將其引線雙絞后沿絕緣保護(hù)套的軸向引出。

基于上述的測(cè)量結(jié)構(gòu)的測(cè)量方法如下：

(a)安裝測(cè)量探頭：利用樣品管限位塞將測(cè)量探頭限位固定于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的軸線處，并使測(cè)量探頭的至少一路激光測(cè)速光纖探針的激光測(cè)量點(diǎn)和至少一個(gè)第二磁感應(yīng)線圈位于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面上；

(b)布置柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶：將裝配有測(cè)量探頭的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶安裝在金屬筒體的軸線處，并保證柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面與金屬筒體的對(duì)稱面重合；

(c)柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器的兩個(gè)線圈通電，在金屬筒體內(nèi)部建立初始磁場(chǎng)；

(d)當(dāng)初始磁場(chǎng)的強(qiáng)度臨近最大值時(shí)，利用同步起爆網(wǎng)絡(luò)引爆炸藥環(huán)，驅(qū)動(dòng)金屬筒體高速內(nèi)爆壓縮內(nèi)部磁場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)其中的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶施加磁壓力；

(e)分別測(cè)量多路激光測(cè)速光纖探針和多個(gè)第一磁感應(yīng)線圈、第二磁感應(yīng)線圈的輸出信號(hào)，從而得到柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶內(nèi)表面自由面速度歷史和感應(yīng)電壓信號(hào)；

(f)數(shù)據(jù)處理：首先由第一磁感應(yīng)線圈、第二磁感應(yīng)線圈測(cè)量得到的感應(yīng)電壓信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理獲得磁場(chǎng)-時(shí)間曲線，而后依據(jù)磁通守恒原則及相應(yīng)的修正算法獲得絕緣待測(cè)材料區(qū)和標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)界面速度歷史；

(g)最后該界面速度歷史結(jié)合由激光測(cè)速光纖探針獲得的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶內(nèi)表面自由面速度歷史，利用流體動(dòng)力學(xué)編碼，最終獲得絕緣待測(cè)材料區(qū)的高壓物性數(shù)據(jù)。

本發(fā)明創(chuàng)新性地利用磁場(chǎng)可以穿透絕緣材料的性質(zhì)，及柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器在靶區(qū)存在初始背景磁場(chǎng)的特點(diǎn)，利用磁感應(yīng)的原理測(cè)量絕緣待試材料和外層金屬材料界面速度歷史。這樣能夠同時(shí)獲得自由面和界面速度歷史，可以為磁流體動(dòng)力學(xué)編碼的提供高精度的速度信息，因而能夠最終得到待測(cè)材料高精度的高壓物性數(shù)據(jù)。

本發(fā)明改變了柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的結(jié)構(gòu)，將柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶直接設(shè)置為等高的一體結(jié)構(gòu)，即絕緣待測(cè)材料區(qū)、標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)高度相等，絕緣待測(cè)材料區(qū)設(shè)定在內(nèi)層，標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)設(shè)定在外層，絕緣待測(cè)材料區(qū)與標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)同軸緊密配合安裝，所安裝形成的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶為中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)；通過(guò)將柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的兩端都設(shè)置為一樣的材質(zhì)和結(jié)構(gòu)，使之受到的磁壓力都均勻、相等，解決了因誤差因素影響測(cè)量精度的問(wèn)題。

還包括樣品管限位塞，所述樣品管限位塞與柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的端面匹配，且位于安裝有測(cè)量探頭的一端。進(jìn)一步的，樣品管限位塞安裝在設(shè)定有測(cè)量探頭的一端，因?yàn)闇y(cè)量探頭的測(cè)量點(diǎn)必須位于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面上，柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶有多個(gè)沿徑向方向的面，該中平面是指多個(gè)沿徑向方向的面中位于中間的那個(gè)面，樣品管限位塞用于穩(wěn)定測(cè)量探頭，從而保證測(cè)量探頭的測(cè)量點(diǎn)位于中平面上。

相比現(xiàn)有的mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮實(shí)驗(yàn)僅僅只能對(duì)待測(cè)材料自由面速度數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)定，本發(fā)明創(chuàng)新性地利用磁場(chǎng)可以穿透絕緣材料的性質(zhì)，及柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器在靶區(qū)存在初始背景磁場(chǎng)的特點(diǎn)，利用磁感應(yīng)的原理測(cè)量絕緣待試材料和外層金屬材料界面速度歷史。這樣能夠同時(shí)獲得自由面和界面速度歷史，可以為磁流體動(dòng)力學(xué)編碼的提供高精度的速度信息，因而能夠最終得到待測(cè)材料的高壓物性數(shù)據(jù)的精度大幅提高，且使數(shù)據(jù)處理過(guò)程簡(jiǎn)化。同時(shí)因?yàn)槔眉す鉁y(cè)速技術(shù)進(jìn)行內(nèi)表面自由面速度的測(cè)量，以及利用磁感應(yīng)的方法測(cè)量界面速度歷史，可以大幅度提高現(xiàn)有的mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)測(cè)量精度、并且能夠降低測(cè)量的困難度，不需要昂貴的閃光照相設(shè)備。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

(1)本發(fā)明創(chuàng)新性地利用磁場(chǎng)可以穿透絕緣材料的性質(zhì)，及柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器在靶區(qū)存在初始背景磁場(chǎng)的特點(diǎn)，利用磁感應(yīng)的原理測(cè)量絕緣待試材料和外層金屬材料界面速度歷史。同時(shí)利用激光測(cè)速技術(shù)進(jìn)行筒狀樣品靶內(nèi)表面自由面速度的測(cè)量，這樣能夠同時(shí)獲得自由面和界面速度歷史，可以為磁流體動(dòng)力學(xué)編碼的提供完整和高精度的速度信息，這樣能夠簡(jiǎn)化后續(xù)數(shù)據(jù)處理，并大大提高了待測(cè)材料的高壓物性數(shù)據(jù)的精度；

(2)由于采用激光測(cè)速和磁感應(yīng)測(cè)速方法，避免了在閃光照相技術(shù)中需要的大型閃光設(shè)備，并能夠獲得連續(xù)的數(shù)據(jù)信號(hào)；

(3)本發(fā)明改變了柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的結(jié)構(gòu)，將柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶直接設(shè)置為等高的一體結(jié)構(gòu)，即絕緣待測(cè)材料區(qū)、標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)高度相等，絕緣待測(cè)材料區(qū)設(shè)定在內(nèi)層，標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)設(shè)定在外層，絕緣待測(cè)材料區(qū)與標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)同軸緊密配合安裝，所安裝形成的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶為中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)；避免現(xiàn)有柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶中要求解決了樣品靶所受到的磁壓力關(guān)于中平面必須對(duì)稱和均勻的要求，可顯著提高數(shù)據(jù)測(cè)量精度。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的放大結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中標(biāo)記及對(duì)應(yīng)的零部件名稱：

1-金屬筒體，2-線圈，3-炸藥環(huán)，4-同步起爆網(wǎng)絡(luò)，5-測(cè)量探頭，6-絕緣待測(cè)材料區(qū)，7-標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)，8-樣品管限位塞，501-激光測(cè)速光纖探針，502-支撐定位桿，503-絕緣保護(hù)套，504-第一磁感應(yīng)線圈，505-第二磁感應(yīng)線圈，9-測(cè)量探頭限位塞。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的示意性實(shí)施方式及其說(shuō)明僅用于解釋本發(fā)明，并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

實(shí)施例1

如圖1、圖2所示，本發(fā)明一種適合于mc-1柱面準(zhǔn)等熵壓縮的測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法，本實(shí)施例是對(duì)絕緣材料進(jìn)行的柱面準(zhǔn)等熵壓縮實(shí)驗(yàn)，獲得其高壓物性數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)裝置包括柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器，柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器包括一個(gè)金屬筒體1，金屬筒體1的外側(cè)對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)線圈2，在兩個(gè)線圈2之間有一個(gè)炸藥環(huán)3，炸藥環(huán)3外側(cè)設(shè)置有同步起爆網(wǎng)絡(luò)4，在金屬套筒1的內(nèi)部設(shè)置有柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶，柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶為雙層筒狀結(jié)構(gòu)，其外層為標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)7、內(nèi)層為絕緣待測(cè)材料區(qū)6。準(zhǔn)金屬材料區(qū)7和絕緣待測(cè)材料區(qū)6軸向高度相同，并緊配合安裝為一體。柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶軸線處設(shè)置有測(cè)量探頭5，測(cè)量探頭5包含2個(gè)激光測(cè)速光纖探針501和2個(gè)第一磁感應(yīng)線圈504，1個(gè)第二磁感應(yīng)線圈505，設(shè)置多組探頭和線圈可獲得更多的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，其可以互為備份，保證了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)獲取成功率，并有利于后續(xù)的數(shù)據(jù)處理工作。

測(cè)量探頭5包括兩個(gè)激光測(cè)速光纖探針501、支撐定位桿502、絕緣保護(hù)套503、第一磁感應(yīng)線圈504和第二磁感應(yīng)線圈505，測(cè)量探頭5裝配時(shí)，首先在支撐定位桿502中平面環(huán)向凹槽處使用絕緣細(xì)導(dǎo)線繞制第二磁感應(yīng)線圈505，并將其引線雙絞后經(jīng)過(guò)支撐定位桿502的軸向線槽引出；然后將兩個(gè)激光測(cè)速光纖探針501粘接到支撐定位桿502上，粘接時(shí)使兩個(gè)激光測(cè)速光纖探針501呈180度，且其出光點(diǎn)位于支撐定位桿502中平面上；而后套裝絕緣保護(hù)套503，并保證兩個(gè)激光測(cè)速光纖探針501的激光束能夠無(wú)遮擋地通過(guò)絕緣保護(hù)套503的開(kāi)孔，并利用兩個(gè)測(cè)量探頭限位塞9進(jìn)行限位固定；最后使用絕緣細(xì)導(dǎo)線在套裝絕緣保護(hù)套503開(kāi)孔邊分別繞制磁感應(yīng)線圈504，并將兩個(gè)第一磁感應(yīng)線圈504的引線雙絞后沿絕緣保護(hù)套503外壁軸向引出。

基于上述的測(cè)量結(jié)構(gòu)的測(cè)量方法如下：

(a)安裝測(cè)量探頭5：利用樣品管限位塞8將測(cè)量探頭5限位固定于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的軸線處，并使測(cè)量探頭5的至少一路激光測(cè)速光纖探針501的激光測(cè)量點(diǎn)和至少一個(gè)第二磁感應(yīng)線圈505位于柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面上；

(b)布置柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶：將裝配有測(cè)量探頭5的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶安裝在金屬筒體1的軸線處，并保證柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶的中平面與金屬筒體1的對(duì)稱面重合；

(c)柱面內(nèi)爆磁通量壓縮發(fā)生器的兩個(gè)線圈2通電，在金屬筒體1內(nèi)部建立初始磁場(chǎng)；

(d)當(dāng)初始磁場(chǎng)的強(qiáng)度臨近最大值時(shí)，利用同步起爆網(wǎng)絡(luò)4引爆炸藥環(huán)3，驅(qū)動(dòng)金屬筒體(1)高速內(nèi)爆壓縮內(nèi)部磁場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)其中的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶施加磁壓力；

(e)分別測(cè)量多路激光測(cè)速光纖探針501和多個(gè)第一磁感應(yīng)線圈504、第二磁感應(yīng)線圈(505)的輸出信號(hào)，從而得到柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶內(nèi)表面自由面速度歷史和感應(yīng)電壓信號(hào)；

(f)數(shù)據(jù)處理：首先由第一磁感應(yīng)線圈504、第二磁感應(yīng)線圈505測(cè)量得到的感應(yīng)電壓信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理獲得磁場(chǎng)-時(shí)間曲線，而后依據(jù)磁通守恒原則及相應(yīng)的修正算法獲得絕緣待測(cè)材料區(qū)(6)和標(biāo)準(zhǔn)金屬材料區(qū)7界面速度歷史；

(g)最后該界面速度歷史結(jié)合由激光測(cè)速光纖探針501獲得的柱面準(zhǔn)等熵壓縮靶內(nèi)表面自由面速度歷史，利用流體動(dòng)力學(xué)編碼，最終獲得絕緣待測(cè)材料區(qū)6的高壓物性數(shù)據(jù)。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。