本發(fā)明涉及射線(xiàn)檢測(cè)儀器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種α/β表面污染陣列探測(cè)器及探測(cè)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

α/β表面污染陣列探測(cè)器廣泛應(yīng)用于環(huán)境輻射、核電站、同位素生產(chǎn)、醫(yī)院、反應(yīng)堆場(chǎng)所的地面、衣物工作臺(tái)、地板等表面的α、β放射性污染的測(cè)量。核探測(cè)器很多都工作于現(xiàn)場(chǎng)，現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境因素的變化需要對(duì)物體表面進(jìn)行多點(diǎn)多次測(cè)量，同時(shí)由于物體不規(guī)則表面，則需要控制每個(gè)探測(cè)器與物體表面的距離，其次在探測(cè)器在滿(mǎn)足功能的同時(shí)又需要操作方便等特點(diǎn)?，F(xiàn)有的核探測(cè)器中只有單個(gè)探頭，當(dāng)被測(cè)物體表面面積大，就無(wú)法同時(shí)進(jìn)行全面的測(cè)量并對(duì)各點(diǎn)的污染進(jìn)行實(shí)時(shí)的對(duì)比，從而在某種程度上降低了物體表面污染的檢測(cè)精度，另外需要對(duì)不規(guī)則表面進(jìn)行測(cè)量時(shí)，現(xiàn)有的核探測(cè)器中探頭無(wú)法自動(dòng)伸縮，從而固定了探頭與物體表面的距離，由于α射線(xiàn)在空氣中射程短，探測(cè)距離如果不能調(diào)整到合適距離，就會(huì)降低了物體表面污染檢測(cè)的精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種α/β表面污染陣列探測(cè)器及探測(cè)系統(tǒng)，以改善上述的問(wèn)題。

為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下所述：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種α/β表面污染陣列探測(cè)器，包括控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、計(jì)數(shù)器、多道比較器、高壓模塊及多個(gè)探測(cè)器單元，每個(gè)所述探測(cè)器單元包括直線(xiàn)電機(jī)及依次電性連接的前放電路、光電倍增管及α/β復(fù)合探測(cè)器，所述α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭設(shè)置在所述直線(xiàn)電機(jī)的伸縮機(jī)構(gòu)上，可隨所述伸縮機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路與所述直線(xiàn)電機(jī)、控制器均電連接，所述多道比較器與所述前放電路、計(jì)數(shù)器均電連接，所述高壓模塊與所述光電倍增管、控制器均電連接，所述控制器還與所述計(jì)數(shù)器電連接，

所述α/β復(fù)合探測(cè)器被配置為吸收物體表面的α/β射線(xiàn)，產(chǎn)生光電子；

所述光電倍增管被配置為將所述光電子轉(zhuǎn)換為電脈沖，并輸出至所述前放電路；

所述前放電路被配置為將所述電脈沖進(jìn)行放大并將放大后的電脈沖發(fā)送至所述多道比較器；

所述多道比較器被配置為將所述電脈沖與預(yù)設(shè)的閾值進(jìn)行比較，以甄別α波或β波并將所述電脈沖發(fā)送至所述計(jì)數(shù)器；

所述計(jì)數(shù)器被配置為對(duì)所述電脈沖中表征的α波和β波分別進(jìn)行計(jì)數(shù)，并將計(jì)數(shù)結(jié)果發(fā)送至所述控制器；

所述控制器被配置為將所述計(jì)數(shù)結(jié)果發(fā)送至一上位機(jī)進(jìn)行歸納統(tǒng)計(jì)；

所述高壓模塊被配置為響應(yīng)所述控制器的控制輸出電壓至所述光電倍增管以控制所述光電倍增管的轉(zhuǎn)換放大倍數(shù)；

所述控制器被配置為響應(yīng)所述上位機(jī)發(fā)送的調(diào)節(jié)信號(hào)，向所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào)；

所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路被配置為響應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)，控制對(duì)應(yīng)的所述直線(xiàn)電機(jī)伸縮以帶動(dòng)對(duì)應(yīng)的α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭運(yùn)動(dòng)。

進(jìn)一步地，所述多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)排列呈M行N列的矩陣，M>0，N>0，所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括第一繼電器模塊和第二繼電器模塊，所述第一繼電器模塊和所述第二繼電器模塊均與所述控制器電連接，所述第一繼電器模塊和第二繼電器模塊均包括多個(gè)繼電器，所述第一繼電器模塊中的多個(gè)繼電器中M個(gè)繼電器與所述多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)中的每行直線(xiàn)電機(jī)的正極一一對(duì)應(yīng)連接，所述第二繼電器模塊中的多個(gè)繼電器中N個(gè)繼電器與所述多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)中的每列直線(xiàn)電機(jī)的負(fù)極一一對(duì)應(yīng)連接。

進(jìn)一步地，所述前放電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容及運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的反相輸入引腳依次通過(guò)所述第一電容、第一電阻、第二電容與所述光電倍增管的輸出端連接，所述反相輸入引腳通過(guò)所述第二電阻接地，所述反相輸入引腳分別通過(guò)所述第三電阻、所述第三電容與所述運(yùn)算放大器的輸出引腳連接，所述運(yùn)算放大器的同相輸入引腳通過(guò)所述第四電阻接地，所述運(yùn)算放大器的第一電源引腳通過(guò)所述第五電阻與正向電壓連接，所述運(yùn)算放大器的第二電源引腳通過(guò)所述第六電阻與負(fù)向電壓連接，所述輸出引腳依次通過(guò)所述第四電容、所述第五電容與所述多道比較器連接，所述第四電容通過(guò)所述第七電阻接地，所述第五電容通過(guò)所述第八電阻接地。

進(jìn)一步地，所述前放電路還包括濾波電路，所述濾波電路包括第九電阻、第十電阻、第六電容、第七電容，所述第九電阻的一端與所述高壓模塊連接，所述第九電阻的另一端通過(guò)所述第十電阻與所述光電倍增管的輸出端連接，所述第九電阻的一端通過(guò)第六電容接地，所述第十電阻通過(guò)所述第七電容接地。

進(jìn)一步地，所述前放電路還包括第一二極管和第二二極管，所述第一二極管的正極與所述運(yùn)算放大器的反相輸入引腳和所述第一電阻連接，所述第一二極管的負(fù)極接地，所述第二二極管的負(fù)極與所述運(yùn)算放大器的反相輸入引腳和所述第一電阻連接，所述第二二極管的正極接地。

進(jìn)一步地，所述多道比較器的個(gè)數(shù)為所述探測(cè)器單元的個(gè)數(shù)的一半，每個(gè)所述多道比較器包括四個(gè)電壓比較器，每個(gè)所述多道比較器中的兩個(gè)電壓比較器的輸入引腳與一個(gè)所述前放電路的輸出端電連接。

進(jìn)一步地，還包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器與所述多道比較器、控制器均電連接，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器被配置為響應(yīng)所述控制器的控制輸出對(duì)應(yīng)的電壓值至所述多道比較器，以設(shè)置所述預(yù)設(shè)的閾值的大小。

進(jìn)一步地，所述閾值包括第一閾值和第二閾值，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器包括第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器和第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，所述第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器與每個(gè)所述多道比較器均電連接，所述第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器與每個(gè)所述多道比較器均電連接，所述第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器被配置為設(shè)置所述第一閾值的大小，所述第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器被配置為設(shè)置所述第二閾值的大小。

進(jìn)一步地，所述計(jì)數(shù)器為現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種α/β表面污染探測(cè)系統(tǒng)，包括上位機(jī)和上述的α/β表面污染陣列探測(cè)器，所述α/β表面污染陣列探測(cè)器與所述上位機(jī)通信連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器及探測(cè)系統(tǒng)，該α/β表面污染陣列探測(cè)器包括控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、計(jì)數(shù)器、多道比較器、高壓模塊及多個(gè)探測(cè)器單元。每個(gè)探測(cè)器單元包括直線(xiàn)電機(jī)及依次電性連接的前放電路、光電倍增管及α/β復(fù)合探測(cè)器，α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭設(shè)置在直線(xiàn)電機(jī)的伸縮機(jī)構(gòu)上，可隨伸縮機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路與直線(xiàn)電機(jī)、控制器均電連接，多道比較器與前放電路、計(jì)數(shù)器均電連接，高壓模塊與光電倍增管、控制器均電連接，控制器還與計(jì)數(shù)器電連接。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置多個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器，控制器通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和直線(xiàn)電機(jī)來(lái)控制每個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭的伸縮距離，從而達(dá)到多點(diǎn)測(cè)量以及精準(zhǔn)測(cè)量的目的，操作方便。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染探測(cè)系統(tǒng)的組成示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器的電氣連接示意圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的前放電路的電路連接示意圖。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器的另一種電氣連接示意圖。

圖標(biāo):10-α/β表面污染探測(cè)系統(tǒng)；100-α/β表面污染陣列探測(cè)器；110-控制器；120-電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路；121-第一繼電器模塊；122-第二繼電器模塊；130-計(jì)數(shù)器；140-多道比較器；150-高壓模塊；160-探測(cè)器單元；161-α/β復(fù)合探測(cè)器；162-光電倍增管；163-前放電路；164-直線(xiàn)電機(jī)；170-數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器；200-上位機(jī)。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。

因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染探測(cè)系統(tǒng)10的系統(tǒng)組成示意圖，包括α/β表面污染陣列探測(cè)器100和上位機(jī)200。

請(qǐng)參照?qǐng)D2，是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器100的結(jié)構(gòu)示意圖，該α/β表面污染陣列探測(cè)器100包括多個(gè)探測(cè)器單元160，多個(gè)探測(cè)器單元160排列呈矩陣狀，在本實(shí)施例中，探測(cè)器單元160的數(shù)量為36個(gè)，按照6×6的矩陣排列，但不限于此，在其他實(shí)施例中，探測(cè)器單元160的個(gè)數(shù)可以為其他數(shù)量，按照其他排列方式排列，比如64個(gè)探測(cè)器單元160，按照8×8的矩陣排列，本實(shí)施例對(duì)此不作限定。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，是本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器100的電氣連接圖。該α/β表面污染陣列探測(cè)器100包括控制器110、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120、計(jì)數(shù)器130、多道比較器140、高壓模塊150及多個(gè)探測(cè)器單元160。該控制器110為微控制單元(Microcontroller Unit；MCU)。該計(jì)數(shù)器130為現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列(Field－Programmable Gate Array；FPGA)，本實(shí)施例對(duì)其型號(hào)不做限定，例如可以選擇型號(hào)為EP3C40Q240C8的FPGA。高壓模塊150可以是各種符合要求的電源芯片，比如型號(hào)為MA5P4。

每個(gè)探測(cè)器單元160包括直線(xiàn)電機(jī)164及依次電性連接的前放電路163、光電倍增管162及α/β復(fù)合探測(cè)器161。α/β復(fù)合探測(cè)器161的探頭設(shè)置在直線(xiàn)電機(jī)164的伸縮機(jī)構(gòu)上，可隨伸縮機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，伸縮機(jī)構(gòu)可以是指直線(xiàn)電機(jī)164的推桿或者由直線(xiàn)電機(jī)164帶動(dòng)而運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)，由于直線(xiàn)電機(jī)164為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120與直線(xiàn)電機(jī)164、控制器110均電連接，多道比較器140與前放電路163、計(jì)數(shù)器130均電連接，高壓模塊150與光電倍增管162、控制器110均電連接，控制器110還與計(jì)數(shù)器130電連接。

α/β復(fù)合探測(cè)器161被配置為吸收物體表面的α/β射線(xiàn)，產(chǎn)生光電子，光電倍增管162被配置為將α/β復(fù)合探測(cè)器161產(chǎn)生的光電子轉(zhuǎn)換為電脈沖，并輸出至前放電路163，高壓模塊150被配置為響應(yīng)控制器110的控制輸出電壓至光電倍增管162以控制光電倍增管的轉(zhuǎn)換放大倍數(shù)。

前放電路163被配置為將電脈沖進(jìn)行放大并將放大后的電脈沖發(fā)送至多道比較器140。多道比較器140被配置為將電脈沖與預(yù)設(shè)的閾值進(jìn)行比較，以甄別α波或β波，并將電脈沖發(fā)送至計(jì)數(shù)器130。計(jì)數(shù)器130被配置為對(duì)電脈沖中表征的α波和β波分別進(jìn)行計(jì)數(shù)，并將計(jì)數(shù)結(jié)果發(fā)送至控制器110?？刂破?10被配置為將計(jì)數(shù)結(jié)果發(fā)送至一上位機(jī)200進(jìn)行歸納統(tǒng)計(jì)，即完成α波和β波各自的輻射劑量的統(tǒng)計(jì)。

由于某些物體的表面面積較大，現(xiàn)有的α/β復(fù)合探測(cè)器只能對(duì)物體表面的一個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量，則需要對(duì)物體表面進(jìn)行多次多點(diǎn)測(cè)量，多次測(cè)量的結(jié)果不能進(jìn)行實(shí)時(shí)對(duì)比，降低了物體表面污染檢測(cè)的精度，本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器100包括多個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器，可同時(shí)對(duì)物體表面多點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行測(cè)量，增加測(cè)量的準(zhǔn)確性，操作方便省時(shí)。另外，由于物體的表面可能凹凸不平，對(duì)于這種不規(guī)則的表面進(jìn)行測(cè)量，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果對(duì)不規(guī)則的表面均按照相同的距離進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果將具有一定誤差，因?yàn)棣辽渚€(xiàn)在空氣中的射程很短，如果測(cè)量距離沒(méi)有調(diào)整后到合適位置，會(huì)降低測(cè)量精度。因此，需要調(diào)整α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭與物體表面的距離，本實(shí)施例中，需要調(diào)整α/β復(fù)合探測(cè)器161的探頭與物體表面的距離時(shí)，通過(guò)上位機(jī)200發(fā)送調(diào)節(jié)信號(hào)，控制器110被配置為響應(yīng)上位機(jī)200發(fā)送的調(diào)節(jié)信號(hào)，向電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120被配置為響應(yīng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，控制對(duì)應(yīng)的直線(xiàn)電機(jī)164伸縮以帶動(dòng)直線(xiàn)電機(jī)164對(duì)應(yīng)的α/β復(fù)合探測(cè)器161的探頭運(yùn)動(dòng)。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，是本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120的電路示意圖。多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)164排列呈M行N列的矩陣，M>0，N>0，在本實(shí)施中，M＝6，N＝6，共36個(gè)直線(xiàn)電機(jī)164，對(duì)應(yīng)36個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器161。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120包括第一繼電器模塊121和第二繼電器模塊122，第一繼電器模塊121和第二繼電器模塊122均與控制器110電連接，在本實(shí)施例中，第一繼電器模塊121和第二繼電器模塊122為固態(tài)繼電器模塊。第一繼電器模塊121和第二繼電器模塊122均包括多個(gè)繼電器(圖未示)，第一繼電器模塊121中的多個(gè)繼電器中M個(gè)繼電器與多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)164中的每行直線(xiàn)電機(jī)164的正極一一對(duì)應(yīng)連接，第二繼電器模塊122中的多個(gè)繼電器中N個(gè)繼電器與多個(gè)直線(xiàn)電機(jī)164中的每列直線(xiàn)電機(jī)164的負(fù)極一一對(duì)應(yīng)連接。通過(guò)第一繼電器模塊121控制直線(xiàn)電機(jī)164矩陣中的行直線(xiàn)電機(jī)164的正極，通過(guò)第二繼電器模塊122控制直線(xiàn)電機(jī)164矩陣中的列的直線(xiàn)電機(jī)164的負(fù)極，二者的交叉以定位需要控制的直線(xiàn)電機(jī)164工作，比如第一繼電器模塊121導(dǎo)通第一行直線(xiàn)電機(jī)164的正極，第二繼電器模塊122導(dǎo)通第二列直線(xiàn)電機(jī)164的負(fù)極，則正極和負(fù)極均導(dǎo)通的直線(xiàn)電機(jī)164的坐標(biāo)為(1，2)，對(duì)應(yīng)的直線(xiàn)電機(jī)164被控制。此外，通過(guò)改變電流的方向以控制直線(xiàn)電機(jī)164的推桿伸出或者收回，從而控制α/β復(fù)合探測(cè)器161的探頭的距離。本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器100采用矩陣接線(xiàn)式的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120，降低了電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路120的復(fù)雜性和成本，縮小了體積。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，是本發(fā)明實(shí)施例提供的前放電路163的電路連接示意圖。該前放電路163包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5及運(yùn)算放大器P。

運(yùn)算放大器P的反相輸入引腳依次通過(guò)第一電容C1、第一電阻R1、第二電容C2與光電倍增管162的輸出端連接，反相輸入引腳通過(guò)第二電阻R2接地，反相輸入引腳分別通過(guò)第三電阻R3、第三電容C3與運(yùn)算放大器P的輸出引腳連接，運(yùn)算放大器P的同相輸入引腳通過(guò)第四電阻R4接地，運(yùn)算放大器P的第一電源引腳通過(guò)第五電阻R5與正向電壓連接，運(yùn)算放大器P的第二電源引腳通過(guò)第六電阻R6與負(fù)向電壓連接，運(yùn)算放大器P的輸出引腳依次通過(guò)第四電容C4、第五電容C5與多道比較器140連接，第四電容C4通過(guò)第七電阻R7接地，第五電容C5通過(guò)第八電阻R8接地。

進(jìn)一步地，為了保護(hù)電路，該前放電路163還包括第一二極管D1和第二二極管D2。第一二極管D1的正極與運(yùn)算放大器P的反相輸入引腳和第一電阻R1連接，第一二極管D1的負(fù)極接地，第二二極管D2的負(fù)極與運(yùn)算放大器P的反相輸入引腳和第一電阻R1連接，第二二極管D2的正極接地。

進(jìn)一步地，該前放電路163還包括濾波電路，包括第九電阻R9、第十電阻R10、第六電容C6、第七電容C7，第九電阻R9的一端與高壓模塊150連接，第九電阻R9的另一端通過(guò)第十電阻R10與光電倍增管162的輸出端連接，第九電阻R9的一端通過(guò)第六電容C6接地，第十電阻R10通過(guò)第七電容C7接地。

由于探測(cè)器單元160的數(shù)量為多個(gè)，在本實(shí)施例中，多道比較器140的數(shù)量為探測(cè)器單元160的個(gè)數(shù)的一半。每個(gè)多道比較器140包括四個(gè)電壓比較器，每個(gè)多道比較器140中的兩個(gè)電壓比較器的輸入引腳與一個(gè)前放電路163的輸出端電連接。電壓比較器可以是任意常規(guī)的電壓比較器芯片，例如型號(hào)為L(zhǎng)M339的芯片。

請(qǐng)參考圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供的α/β表面污染陣列探測(cè)器100還包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器170，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器170與多道比較器140、控制器110均電連接，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器170被配置為響應(yīng)控制器110的控制輸出對(duì)應(yīng)的電壓值至多道比較器140，以設(shè)置預(yù)設(shè)的閾值的大小。

預(yù)設(shè)的閾值包括第一閾值和第二閾值，分別用于甄別α波和β波。數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器170包括第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(圖未示)和第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(圖未示)，第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器與每個(gè)多道比較器140均電連接，第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器與每個(gè)多道比較器140均電連接，第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器被配置為設(shè)置第一閾值的大小，第二數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器被配置為設(shè)置第二閾值的大小。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種α/β表面污染陣列探測(cè)器及探測(cè)系統(tǒng)，該α/β表面污染陣列探測(cè)器包括控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、計(jì)數(shù)器、多道比較器、高壓模塊及多個(gè)探測(cè)器單元。每個(gè)探測(cè)器單元包括直線(xiàn)電機(jī)及依次電性連接的前放電路、光電倍增管及α/β復(fù)合探測(cè)器，α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭設(shè)置在直線(xiàn)電機(jī)的伸縮機(jī)構(gòu)上，可隨伸縮機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路與直線(xiàn)電機(jī)、控制器均電連接，多道比較器與前放電路、計(jì)數(shù)器均電連接，高壓模塊與光電倍增管、控制器均電連接，控制器還與計(jì)數(shù)器電連接。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置多個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器，控制器通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和直線(xiàn)電機(jī)來(lái)控制每個(gè)α/β復(fù)合探測(cè)器的探頭的伸縮距離，從而達(dá)到多點(diǎn)測(cè)量以及精準(zhǔn)測(cè)量的目的，操作方便。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。