本發(fā)明涉及一種高溫壓力傳感器專用電路，屬于信號處理領域。

背景技術：

壓力傳感器專用電路主要由接口電路和信號調(diào)理電路構成，起著對傳感器輸出信號進行放大和補償?shù)戎匾饔?，保證了信號測量的可靠性。

現(xiàn)有由分立元件構成的壓力傳感器專用電路在高溫和振動的工作環(huán)境下，其性能急劇下降，甚至無法使用。

現(xiàn)有功能集成的壓力傳感器專用電路在有效解決以上由分立元件構成的壓力傳感器專用電路存在的問題的同時，大幅度地減小了該電路的體積和重量。但是，由于現(xiàn)有功能集成的壓力傳感器專用電路采用體硅CMOS工藝制成，在125℃以上的工作環(huán)境下，其性能仍然明顯下降。為此，人們通過優(yōu)化電路布局和完善制造工藝的方式將其額定工作溫度的上限提升至175℃，但是其工作壽命仍然不到一年，而且可靠性有待考證。

在體硅CMOS工藝下，電子器件與電子器件以及電子器件與襯底均通過PN結進行隔離。在常溫下，PN結反向漏電流很低，但是，PN結反向漏電流會隨外界環(huán)境溫度的升高而增大。當溫度超過175℃時，現(xiàn)有功能集成的壓力傳感器專用電路會因漏電流過大而無法正常工作。另一方面，壓力傳感器的靈敏度隨溫度的升高而降低，電路失調(diào)電壓會隨溫度的升高而增大。在225℃以上的工作環(huán)境下，其性能急劇下降，嚴重影響信號測量的可靠性。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決現(xiàn)有體硅CMOS工藝的壓力傳感器專用集成電路的額定工作溫度上限值過低和不具備對壓力傳感器進行溫度失調(diào)補償?shù)墓δ艿膯栴}，提出了一種高溫壓力傳感器專用集成電路。

本發(fā)明所述的高溫壓力傳感器專用集成電路包括內(nèi)建電源單元、恒流源單元、儀表放大器單元和失調(diào)補償單元；

內(nèi)建電源單元與外部電壓源相連，并用于同時為恒流源單元、儀表放大器單元和失調(diào)補償單元提供零溫度系數(shù)的工作電壓；

恒流源單元的溫度系數(shù)可調(diào)，其用于為高溫壓力傳感器提供工作電流，并對其進行溫度補償；

儀表放大器單元用于放大高溫壓力傳感器的輸出信號；

失調(diào)補償單元用于同時對所述集成電路進行系統(tǒng)失調(diào)補償和溫度失調(diào)補償；

所述集成電路采用SOI CMOS工藝制成。

優(yōu)選的是，內(nèi)建電源單元包括第一電壓基準子單元1、第一運算放大器OP₁、第一場效應管MO₁、第二場效應管MO₂、第三場效應管MO₃、第一電阻R₁、第二電阻R₂和電容C₁；

外部電壓源同時接入第一運算放大器OP₁的正電源端和第三場效應管MO₃的源極，第三場效應管MO₃的柵極和漏極均與第二場效應管MO₂的源極相連，第二場效應管MO₂的柵極和漏極均與第一場效應管MO₁的漏極相連，第一場效應管MO₁的柵極與第一運算放大器OP₁的輸出端相連，第一場效應管MO₁的源極同時與第一電壓基準子單元1的正電源端、第一電阻R₁的第一端和電容C₁的第一端相連，第一電阻R₁的第二端同時與第二電阻R₂的第一端和第一運算放大器OP₁的反相輸入端相連，第一運算放大器OP₁的正相輸入端與第一電壓基準子單元1的輸出端相連，電容C₁的第二端、第二電阻R₂的第二端、第一運算放大器OP₁的負電源端和第一電壓基準子單元1的負電源端均與電源地相連；

第一場效應管MO₁、第一電阻R₁、電容C₁與第一電壓基準子單元1的公共端為內(nèi)建電源單元的輸出端。

優(yōu)選的是，恒流源單元包括第二電壓基準子單元2、第一溫度傳感器3、第二運算放大器OP₂和第三電阻R₃；

內(nèi)建電源單元的輸出端同時與第三電阻R₃的第一端、第二運算放大器OP₂的負電源端、第一溫度傳感器3的正電源端和第二電壓基準子單元2的正電源端相連，第三電阻R₃的第二端同時與第二運算放大器OP₂的反相輸入端和輸出端相連，第二運算放大器OP₂的同相輸入端同時與第二電壓基準子單元2的輸出端和第一溫度傳感器3的輸出端相連，第二運算放大器OP₂的正電源端、第二電壓基準子單元2的負電源端和第一溫度傳感器3的負電源端均電源地相連；

第二運算放大器OP₂與第三電阻R₃的公共端為恒流源單元的輸出端。

優(yōu)選的是，儀表放大器單元包括第三運算放大器OP₃、第四運算放大器OP₄、第五運算放大器OP₅、第一電阻陣列以及第四電阻R₄至第十二電阻R₁₂；

第三運算放大器OP₃的輸出端同時與第四電阻R₄的第一端和第六電阻R₆的第一端相連，第四電阻R₄的第二端同時與第三運算放大器OP₃的反相輸入端和第十二電阻R₁₂的第一端相連，第十二電阻R₁₂的第二端同時與第五電阻R₅的第一端和第四運算放大器OP₄的反相輸入端相連，第四運算放大器OP₄的輸出端同時與第五電阻R₅的第二端和第七電阻R₇的第一端相連；

第六電阻R₆的第二端同時與第八電阻R₈的第一端、第十電阻R₁₀的第一端和第五運算放大器OP₅的反相輸入端相連，第八電阻R₈的第二端與第五運算放大器OP₅的輸出端相連，第七電阻R₇的第二端同時與第五運算放大器OP₅的同相輸入端、第九電阻R₉的第一端和第十一電阻R₁₁的第一端相連，第九電阻R₉的第二端與電源地相連；

在第三運算放大器OP₃、第四電阻R₄與第十二電阻R₁₂的公共端和第四運算放大器OP₄、第五電阻R₅與第十二電阻R₁₂的公共端之間設置有第一電阻陣列，

第一電阻陣列與第十二電阻R₁₂并聯(lián)，第一電阻陣列的接入阻值可調(diào)；

第三運算放大器OP₃的正相輸入端和第四運算放大器OP₄的正相輸入端分別為儀表放大器單元的第一輸入端和第二輸入端；

第五運算放大器OP₅與第八電阻R₈的公共端為儀表放大器單元的輸出端；

第十電阻R₁₀的第二端與失調(diào)補償單元的輸出端相連，第十一電阻R₁₁的第二端與電源地相連；

或者，第十一電阻R₁₁的第二端與失調(diào)補償單元的輸出端相連，第十電阻R₁₀的第二端與電源地相連。

優(yōu)選的是，失調(diào)補償單元包括第二溫度傳感器4、第二電阻陣列5、第三電壓基準子單元6、第六運算放大器OP₆、第十三電阻R₁₃、第十四電阻R₁₄和第十五電阻R₁₅；

第二溫度傳感器4的輸出端與第十三電阻R₁₃的第一端相連，第十三電阻R₁₃的第二端同時與第十四電阻R₁₄的第一端、第六運算放大器OP₆的反相輸入端和第十五電阻R₁₅的第一端相連，第十五電阻R₁₅的第二端與第六運算放大器OP₆的輸出端相連，第六運算放大器OP₆的正相輸入端與電源地相連；

第二電阻陣列5設置在第十四電阻R₁₄的第二端與第三電壓基準子單元6的輸出端之間，第二電阻陣列5的接入阻值可調(diào)；

第六運算放大器OP₆與第十五電阻R₁₅的公共端為失調(diào)補償單元的輸出端。

本發(fā)明所述的高溫壓力傳感器專用集成電路采用SOI CMOS工藝制成，利用SOI CMOS工藝耐高溫的特點，提升了壓力傳感器專用集成電路的額定工作溫度上限值，解決了現(xiàn)有體硅CMOS工藝的壓力傳感器專用集成電路的額定工作溫度上限值過低的問題。本發(fā)明的恒流源單元用于為高溫壓力傳感器供電，其溫度系數(shù)可調(diào)，起到了對高溫壓力傳感器進行溫度失調(diào)補償?shù)淖饔谩?/p>

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明所述的高溫壓力傳感器專用集成電路進行更詳細的描述，其中：

圖1是實施例一所述的高溫壓力傳感器專用集成電路的結構框圖，A為儀表放大器單元，B為高溫壓力傳感器的感壓電橋；

圖2是實施例二提及的內(nèi)建電源單元的電路原理圖，VDD_H為外部電壓源的輸出電壓，VDD_L為內(nèi)建電源單元的輸出電壓；

圖3是實施例三提及的恒流源單元的電路原理圖，I_OUT為恒流源單元為高溫壓力傳感器提供的溫度系數(shù)可調(diào)電流；

圖4是實施例四提及的儀表放大器單元的電路原理圖，IN+為儀表放大器單元的同相輸入端，IN-為儀表放大器單元的反相輸入端，V_OUT1為儀表放大器單元的輸出端，O₁為第十電阻R₁₀的第二端，O₂為第十一電阻R₁₁的第二端，a和b分別為第一電阻陣列的第一接入端和第二接入端；

圖5是實施例四提及的第一電阻陣列的結構示意圖；

圖6是實施例五提及的失調(diào)補償單元的電路原理圖，V_OUT2為失調(diào)補償單元的輸出端；

圖7是實施例五提及的第二電阻陣列的結構示意圖；

圖8是實施例五所述的高溫壓力傳感器專用集成電路的平面示意圖，z為第十四電阻R₁₄的第二端。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發(fā)明所述的高溫壓力傳感器專用集成電路作進一步說明。

實施例一：下面結合圖1詳細地說明本實施例。

本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路包括內(nèi)建電源單元、恒流源單元、儀表放大器單元和失調(diào)補償單元；

內(nèi)建電源單元與外部電壓源相連，并用于同時為恒流源單元、儀表放大器單元和失調(diào)補償單元提供零溫度系數(shù)的工作電壓；

恒流源單元的溫度系數(shù)可調(diào)，其用于為高溫壓力傳感器提供工作電流，并對其進行溫度補償；

儀表放大器單元用于放大高溫壓力傳感器的輸出信號；

失調(diào)補償單元用于同時對所述集成電路進行系統(tǒng)失調(diào)補償和溫度失調(diào)補償；

所述集成電路采用SOI CMOS工藝制成。

基于SOI CMOS工藝的集成電路將NMOS管、PMOS管、電容、電阻等電子器件制作在SOI基片的薄層硅上，電子器件與電子器件以及電子器件與襯底均通過氧化層隔離，大大減小了PN結面積，不僅能夠解決高溫下泄漏電流過大的問題，而且能夠完全消除閂鎖效應。因此，基于SOI CMOS工藝的集成電路具有能夠在高溫(225℃)下穩(wěn)定工作的特點。相比于藍寶石和碳化硅等材質(zhì)的基片，SOI基片的制備更加容易，成本也更低，是未來集成電路發(fā)展的主流技術。本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路將各個功能單元集成在一塊芯片上，具有優(yōu)良的一致性、高共模抑制比和高輸入阻抗等優(yōu)點，使用方便。

圖1為高溫壓力傳感器專用集成電路的結構框圖，高溫壓力傳感器的感壓電橋包括第一力敏電阻R_a、第二力敏電阻R_b、第三力敏電阻R_c和第四力敏電阻R_d，第一力敏電阻R_a、第二力敏電阻R_b、第三力敏電阻R_c和第四力敏電阻R_d依次串聯(lián)。第一力敏電阻R_a與第二力敏電阻R_b的公共端與恒流源單元的輸出端相連，第二力敏電阻R_b與第三力敏電阻R_c的公共端與儀表放大器單元的反相輸入端相連，第三力敏電阻R_c與第四力敏電阻R_d的公共端與電源地相連，第一力敏電阻R_a與第四力敏電阻R_d的公共端與儀表放大器單元的同相輸入端相連。其中，第一力敏電阻R_a和第三力敏電阻R_c的阻值均隨所受壓力的升高而增大，第二力敏電阻R_b和第四力敏電阻R_d的阻值均隨所受壓力的升高而減小。

在壓力傳感器領域，將工作溫度超過150℃的壓力傳感器稱為高溫壓力傳感器。

實施例二：下面結合圖2詳細地說明本實施例。本實施例是對實施例一所述的高溫壓力傳感器專用集成電路作進一步的限定。

本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路，內(nèi)建電源單元包括第一電壓基準子單元1、第一運算放大器OP₁、第一場效應管MO₁、第二場效應管MO₂、第三場效應管MO₃、第一電阻R₁、第二電阻R₂和電容C₁；

外部電壓源同時接入第一運算放大器OP₁的正電源端和第三場效應管MO₃的源極，第三場效應管MO₃的柵極和漏極均與第二場效應管MO₂的源極相連，第二場效應管MO₂的柵極和漏極均與第一場效應管MO₁的漏極相連，第一場效應管MO₁的柵極與第一運算放大器OP₁的輸出端相連，第一場效應管MO₁的源極同時與第一電壓基準子單元1的正電源端、第一電阻R₁的第一端和電容C₁的第一端相連，第一電阻R₁的第二端同時與第二電阻R₂的第一端和第一運算放大器OP₁的反相輸入端相連，第一運算放大器OP₁的正相輸入端與第一電壓基準子單元1的輸出端相連，電容C₁的第二端、第二電阻R₂的第二端、第一運算放大器OP₁的負電源端和第一電壓基準子單元1的負電源端均與電源地相連；

第一場效應管MO₁、第一電阻R₁、電容C₁與第一電壓基準子單元1的公共端為內(nèi)建電源單元的輸出端。

本實施例的內(nèi)建電源單元具有隔離電源噪聲和提高電源抑制比的作用。在現(xiàn)有技術中，內(nèi)建電源電路通常采用耐高壓場效應管作為調(diào)整管，實現(xiàn)穩(wěn)壓的功能。而本實施例通過在第一場效應管MO₁的漏極依次串聯(lián)二極管接法的第二場效應管MO₂和第三場效應管MO₃，使第一場效應管MO₁的源漏電壓小于其擊穿電壓，從而實現(xiàn)了無耐壓管情況下內(nèi)建電源電路的構建，解決了無耐高壓管條件下的壓力傳感器專用集成電路的高壓供電問題。

本實施例將第一電壓基準子單元1的輸出電壓設計為零溫度系數(shù)電壓，因此，內(nèi)建電源單元的輸出電壓VDD_L為零溫度系數(shù)電壓。

實施例三：下面結合圖3詳細地說明本實施例。本實施例是對實施例二所述的高溫壓力傳感器專用集成電路作進一步的限定。

本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路，恒流源單元包括第二電壓基準子單元2、第一溫度傳感器3、第二運算放大器OP₂和第三電阻R₃；

內(nèi)建電源單元的輸出端同時與第三電阻R₃的第一端、第二運算放大器OP₂的負電源端、第一溫度傳感器3的正電源端和第二電壓基準子單元2的正電源端相連，第三電阻R₃的第二端同時與第二運算放大器OP₂的反相輸入端和輸出端相連，第二運算放大器OP₂的同相輸入端同時與第二電壓基準子單元2的輸出端和第一溫度傳感器3的輸出端相連，第二運算放大器OP₂的正電源端、第二電壓基準子單元2的負電源端和第一溫度傳感器3的負電源端均電源地相連；

第二運算放大器OP₂與第三電阻R₃的公共端為恒流源單元的輸出端。

眾所周知，壓力傳感器的靈敏度會隨著溫度的升高而下降?，F(xiàn)有技術通常采用調(diào)節(jié)分立熱敏電阻的方式對傳感器的靈敏度進行補償，但是這種方法在高溫條件下并不適用，主要有以下兩方面原因：

1)分立熱敏電阻器件無法在225℃高溫下工作；

2)熱敏電阻溫度系數(shù)不可調(diào)，當溫度發(fā)生變化時，不能確保傳感器靈敏度得到充分補償。

而本實施例的恒流源單元能夠?qū)崿F(xiàn)高溫(225℃)下傳感器的靈敏度補償，主要包括以下兩方面原因：

1)本實施例的恒流源單元采用SOI CMOS工藝制成，在高溫環(huán)境下性能穩(wěn)定；

2)本實施例的恒流源單元溫度系數(shù)可調(diào)，其為壓力傳感器提供的電流隨著溫度的升高而增大，從而達到補償壓力傳感器靈敏度的目的。

本實施例的恒流源單元的輸出電流可自身調(diào)節(jié)：

I_OUT＝V_ip/R_S (1)

其中，V_ip為第二運算放大器OP₂的輸出端電壓。

V_ip＝V_ref+V_t (2)

其中，V_ref為第二電壓基準子單元2的輸出電壓，V_t為第一溫度傳感器3的輸出電壓，第一溫度傳感器3的輸出電壓V_t與溫度成正比，第二電壓基準子單元2的輸出電壓V_ref保持恒定，因此第二運算放大器OP₂的輸出端電壓V_ip隨溫度的升高而增大。當外界溫度升高時，恒流源單元的輸出電流增大，從而抑制壓力傳感器靈敏度的下降，實現(xiàn)了對高溫下傳感器靈敏度的自動補償。

實施例四：下面結合圖4和圖5詳細地說明本實施例。本實施例是對實施例三所述的高溫壓力傳感器專用集成電路作進一步的限定。

本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路儀表放大器單元包括第三運算放大器OP₃、第四運算放大器OP₄、第五運算放大器OP₅、第一電阻陣列以及第四電阻R₄至第十二電阻R₁₂；

第三運算放大器OP₃的輸出端同時與第四電阻R₄的第一端和第六電阻R₆的第一端相連，第四電阻R₄的第二端同時與第三運算放大器OP₃的反相輸入端和第十二電阻R₁₂的第一端相連，第十二電阻R₁₂的第二端同時與第五電阻R₅的第一端和第四運算放大器OP₄的反相輸入端相連，第四運算放大器OP₄的輸出端同時與第五電阻R₅的第二端和第七電阻R₇的第一端相連；

第六電阻R₆的第二端同時與第八電阻R₈的第一端、第十電阻R₁₀的第一端和第五運算放大器OP₅的反相輸入端相連，第八電阻R₈的第二端與第五運算放大器OP₅的輸出端相連，第七電阻R₇的第二端同時與第五運算放大器OP₅的同相輸入端、第九電阻R₉的第一端和第十一電阻R₁₁的第一端相連，第九電阻R₉的第二端與電源地相連；

在第三運算放大器OP₃、第四電阻R₄與第十二電阻R₁₂的公共端和第四運算放大器OP₄、第五電阻R₅與第十二電阻R₁₂的公共端之間設置有第一電阻陣列，

第一電阻陣列與第十二電阻R₁₂并聯(lián)，第一電阻陣列的接入阻值可調(diào)；

第三運算放大器OP₃的正相輸入端和第四運算放大器OP₄的正相輸入端分別為儀表放大器單元的第一輸入端和第二輸入端；

第五運算放大器OP₅與第八電阻R₈的公共端為儀表放大器單元的輸出端；

第十電阻R₁₀的第二端與失調(diào)補償單元的輸出端相連，第十一電阻R₁₁的第二端與電源地相連；或者，第十一電阻R₁₁的第二端與失調(diào)補償單元的輸出端相連，第十電阻R₁₀的第二端與電源地相連。

在本實施例中，儀表放大器單元的第一級包括第三運算放大器OP₃、第四運算放大器OP₄以及由第四電阻R₄、第五電阻R₅和第十二電阻R₁₂構成的負反饋電阻網(wǎng)絡。儀表放大器單元的第二級包括第五運算放大器OP₅以及由第六電阻R₆、第七電阻R₇、第八電阻R₈和第九電阻R₉構成的電阻網(wǎng)絡，提供R₈/R₆的增益。本實施例的儀表放大器單元的運放增益為R₈/R₆(1+2R₅/R₁₂)?，F(xiàn)有技術通常通過調(diào)節(jié)R₁₂的阻值來改變電壓增益，由于高溫下電阻的阻值不可調(diào)，故本實施例通過將R₁₂并聯(lián)第一電阻陣列的方式改變綜合電阻值，進而調(diào)節(jié)儀表放大器單元的增益。

圖5為第一電阻陣列的示意圖，如圖5所示，本實施例的第一電阻陣列包括第一調(diào)節(jié)電阻至第三調(diào)節(jié)電阻。第一調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為a₁和b₁，第二調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為a₂和b₂，第三調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為a₃和b₃。在實際調(diào)節(jié)中，可以選擇一個調(diào)節(jié)電阻與R₁₂并聯(lián)。例如：a₁與a相連，b₁與b相連。也可以先構建調(diào)節(jié)電阻網(wǎng)絡，再與R₁₂并聯(lián)。例如：先將a₁與a₂相連，將二者的公共端與a相連，再將b₁與b₂相連，將二者的公共端與b相連。

實施例五：下面結合圖6至圖8詳細地說明本實施例。本實施例是對實施例四所述的高溫壓力傳感器專用集成電路作進一步的限定。

本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路，失調(diào)補償單元包括第二溫度傳感器4、第二電阻陣列5、第三電壓基準子單元6、第六運算放大器OP₆、第十三電阻R₁₃、第十四電阻R₁₄和第十五電阻R₁₅；

第二溫度傳感器4的輸出端與第十三電阻R₁₃的第一端相連，第十三電阻R₁₃的第二端同時與第十四電阻R₁₄的第一端、第六運算放大器OP₆的反相輸入端和第十五電阻R₁₅的第一端相連，第十五電阻R₁₅的第二端與第六運算放大器OP₆的輸出端相連，第六運算放大器OP₆的正相輸入端與電源地相連；

第二電阻陣列5設置在第十四電阻R₁₄的第二端與第三電壓基準子單元6的輸出端之間，第二電阻陣列5的接入阻值可調(diào)；

第六運算放大器OP₆與第十五電阻R₁₅的公共端為失調(diào)補償單元的輸出端。

在本實施例中，第三電壓基準子單元6和第二電阻陣列5構成系統(tǒng)失調(diào)補償子單元，系統(tǒng)失調(diào)補償子單元用于對本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路進行系統(tǒng)失調(diào)補償。

圖7是第二電阻陣列5的結構示意圖，如圖7所示，第二電阻陣列5包括第四調(diào)節(jié)電阻至第六調(diào)節(jié)電阻。第四調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為z₁和z₄，第五調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為z₂和z₅，第六調(diào)節(jié)電阻的兩端分別為z₃和z₆。第三電壓基準子單元6的輸出端與z₄固連，第二電阻陣列5可以構成多種阻值不同的調(diào)節(jié)電阻網(wǎng)絡，并連接第三電壓基準子單元6與第十四電阻R₁₄。本實施例通過在第十四電阻R₁₄的第二端與第三電壓基準子單元6的輸出端之間設置第二電阻陣列5，使得第十四電阻R₁₄第二端的電壓在零點與第三電壓基準之間可調(diào)。在不考慮溫度影響的情況下，儀表放大器單元在無輸入時輸出為零，達到補償電路系統(tǒng)失調(diào)電壓的目的。第二溫度傳感器4為溫度失調(diào)補償子單元，用于對本實施例所述的高溫壓力傳感器專用集成電路進行溫度失調(diào)補償。第二溫度傳感器4的輸出電壓隨外界溫度的升高而增大，調(diào)節(jié)第二溫度傳感器4的輸出電壓，使之與溫度漂移失調(diào)電壓向匹配，進行實現(xiàn)對所述集成電路的溫度失調(diào)補償。

失調(diào)補償單元的輸出電壓為系統(tǒng)失調(diào)補償子單元的輸出電壓與溫度失調(diào)補償子單元的輸出電壓之和。在現(xiàn)實應用中，失調(diào)補償單元的輸出端V_OUT2可根據(jù)實際需求接入第十電阻R₁₀的第二端O₁或第十一電阻R₁₁的第二端O₂，其補償失調(diào)電壓＝系統(tǒng)失調(diào)電壓±失調(diào)補償單元的輸出電壓。

現(xiàn)有調(diào)節(jié)零點方法為滑動變阻器調(diào)節(jié)，該方法在高溫電路中同樣不適用。由于電路失調(diào)電壓在高溫下產(chǎn)生較大的溫度漂移失調(diào)，使得高溫條件下電路失調(diào)不易補償。因此，本實施例將系統(tǒng)失調(diào)補償子單元和溫度失調(diào)補償子單元同時作用于輸出級運放的輸入端，通過適當調(diào)節(jié)即可抵消所述集成電路的系統(tǒng)失調(diào)與溫度漂移失調(diào)，實現(xiàn)高溫電路失調(diào)補償。與此同時，利用第二溫度傳感器感知環(huán)境溫度，可為溫度補償提供高精度的溫度反饋信號。

雖然在本文中參照了特定的實施方式來描述本發(fā)明，但是應該理解的是，這些實施例僅是本發(fā)明的原理和應用的示例。因此應該理解的是，可以對示例性的實施例進行許多修改，并且可以設計出其他的布置，只要不偏離所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。應該理解的是，可以通過不同于原始權利要求所描述的方式來結合不同的從屬權利要求和本文中所述的特征。還可以理解的是，結合單獨實施例所描述的特征可以使用在其他所述實施例中。