本發(fā)明涉及單軸拉伸測試領(lǐng)域，具體涉及薄膜材料的測試系統(tǒng)、測試方法、測試結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有針對薄膜樣品進(jìn)行單軸拉伸測試時(shí)，利用微加工技術(shù)形成測試結(jié)構(gòu)，將測試結(jié)構(gòu)與支撐梁相連，通過移動(dòng)平臺(tái)和拉力設(shè)備進(jìn)行單軸拉伸測試。但是該方法的缺點(diǎn)是由于懸空的測試結(jié)構(gòu)有支撐梁相連，測試結(jié)構(gòu)承受的力還需要計(jì)入支撐梁變形的影響，因此可能導(dǎo)致額外的誤差；而且由于測試結(jié)構(gòu)變形不能太大，因此不適宜測試大變形的材料；另外，整個(gè)測試裝置需要放在掃描電子顯微鏡(sem)中進(jìn)行觀察測量，不適合常規(guī)操作，限制了其應(yīng)用范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中，針對金屬材料、多層復(fù)合材料、高聚物材料的測試較多，針對介電材料、尤其是針對低介電常數(shù)(low-k/ultra-low-k)材料的進(jìn)行測試的非常少。在90納米節(jié)點(diǎn)以下的芯片中，為降低rc延遲，引入銅布線和low-k/ultralow-k材料作為電介質(zhì)。low-k材料比較脆弱，容易在芯片后續(xù)封裝過程中出現(xiàn)失效破壞，因此掌握其基本力學(xué)性質(zhì)非常重要。誤差小、最直接的方法是單軸拉伸實(shí)驗(yàn)。實(shí)際產(chǎn)品使用中的low-k材料尺寸非常微小，其微觀力學(xué)性能與宏觀材料力學(xué)性能有明顯差異，因此采用大體積樣品進(jìn)行測試的方法不能滿足器件設(shè)計(jì)中精確分析的要求。由于low-k材料本身特性，以及采用化學(xué)氣相沉積或旋涂的方法制備，厚度非常微小，數(shù)微米以下，因此用一般方法制備樣品進(jìn)行測試非常困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了薄膜材料的測試系統(tǒng)、測試方法、測試結(jié)構(gòu)及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中薄膜材料的單軸拉伸測試方法復(fù)雜，以及測試?yán)щy的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜材料的測試系統(tǒng)，該測試系統(tǒng)包括支撐框架和拉力設(shè)備；

支撐框架包括位于兩端的固定部，以及用于連接位于兩端的固定部的保護(hù)條，固定部和保護(hù)條圍成一鏤空結(jié)構(gòu)，位于兩端的固定部用于固定測試結(jié)構(gòu)的兩端；

拉力設(shè)備上設(shè)置有夾具，夾具用于夾持支撐框架上位于兩端的固定部和測試結(jié)構(gòu)的兩端進(jìn)行拉伸測試。

可選地，測試結(jié)構(gòu)包括薄膜材料和載體，載體位于薄膜材料的兩端，且位于薄膜材料的同一表面，載體粘結(jié)在支撐框架的兩個(gè)固定部，以將測試結(jié)構(gòu)固定在支撐框架上。

可選地，保護(hù)條與固定部通過卡口或者螺栓連接。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于第一方面所述的測試系統(tǒng)的測試方法，包括：

將測試結(jié)構(gòu)的兩端固定在支撐框架的位于兩端的固定部上；

將支撐框架的位于兩端的固定部，以及測試結(jié)構(gòu)的兩端夾持在拉力設(shè)備的夾具上；

斷開支撐框架上的保護(hù)條；

通過拉力設(shè)備對測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行單軸拉伸測試。

可選地，測試結(jié)構(gòu)包括薄膜材料和載體，載體位于薄膜材料的兩端，且位于薄膜材料的同一表面，將測試結(jié)構(gòu)的兩端固定在支撐框架的位于兩端的固定部上具體為：

將載體粘結(jié)在支撐框架的兩個(gè)固定部。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種測試結(jié)構(gòu)，包括薄膜材料和載體，載體位于薄膜材料的兩端，且位于薄膜材料的同一表面。

可選地，測試結(jié)構(gòu)上設(shè)置有至少一個(gè)位移標(biāo)識，位移標(biāo)識為測試結(jié)構(gòu)上的突起結(jié)構(gòu)，用于測試結(jié)構(gòu)的定位。

可選地，載體的厚度為50-750μm。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種針對第三方面測試結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

在載體的上表面沉積薄膜材料；

通過光刻工藝，對薄膜材料進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)凹槽，凹槽底部暴露出載體的上表面，以及凹槽貫穿載體的上表面；

對載體的下表面進(jìn)行減??；

通過光刻工藝，對載體的下表面進(jìn)行刻蝕，將載體對應(yīng)凹槽的部分刻蝕掉，并將載體對應(yīng)薄膜材料的部分刻蝕掉中間位置的載體，以至露出薄膜材料，形成中間懸空的測試結(jié)構(gòu)。

可選地，對載體的下表面進(jìn)行減薄，包括：

對載體的下表面進(jìn)行減??；

載體減薄后的厚度為50-750μm。

可選地，在測試結(jié)構(gòu)上制作至少一個(gè)位移標(biāo)識，位移標(biāo)識為測試結(jié)構(gòu)上的突起結(jié)構(gòu)，用于測試結(jié)構(gòu)的定位。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜材料的測試系統(tǒng)、測試方法、測試結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中測試系統(tǒng)包括支撐框架和拉力設(shè)備；支撐框架包括位于兩端的固定部，以及用于連接該固定部的保護(hù)條，固定部和保護(hù)條圍成一鏤空結(jié)構(gòu)，位于兩端的固定部用于固定測試結(jié)構(gòu)的兩端；拉力設(shè)備上設(shè)置有夾具，夾具用于夾持支撐框架上位于兩端的固定部和測試結(jié)構(gòu)的兩端進(jìn)行拉伸測試。采用上述測試系統(tǒng)，通過支撐框架位于兩端的固定部固定測試結(jié)構(gòu)，并將支撐框架的固定部和測試結(jié)構(gòu)的兩端夾持到拉力設(shè)備的夾具上進(jìn)行單軸拉伸測試，可以直接對薄膜材料進(jìn)行測試。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的測試系統(tǒng)不需要引入支撐梁或移動(dòng)平臺(tái)，沒有其他中間加載過程，測試結(jié)構(gòu)承受的力不會(huì)受到支撐梁變形的影響，避免了額外的誤差，使得薄膜材料的單軸拉伸測試更加簡單，并且由于該測試系統(tǒng)引入了具有兩端固定部的支撐框架，因此降低了對夾具的特殊要求，對拉力設(shè)備也沒有特殊要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試方法的實(shí)驗(yàn)過程示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜材料測試結(jié)構(gòu)的制作方法流程圖；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中在載體上沉積薄膜材料的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中光刻形成測試結(jié)構(gòu)圖案的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8c為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中刻蝕薄膜材料形成測試結(jié)構(gòu)圖形的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8d為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中減薄載體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8e為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；

圖8f為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜材料的測試系統(tǒng)，包括支撐框架110和拉力設(shè)備(未示出)；

支撐框架110包括位于兩端的固定部111，以及用于連接位于兩端的固定部111的保護(hù)條112，固定部111和保護(hù)條112圍成一鏤空結(jié)構(gòu)，位于兩端的固定部111用于固定測試結(jié)構(gòu)120的兩端；

拉力設(shè)備(未示出)上設(shè)置有夾具(未示出)，夾具(未示出)用于夾持支撐框架110上位于兩端的固定部111和測試結(jié)構(gòu)120的兩端進(jìn)行拉伸測試。

支撐框架110可采用金屬片或其它硬質(zhì)材料制作，保護(hù)條112厚度較薄，便于測試結(jié)構(gòu)120安裝固定后進(jìn)行剪斷操作。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖?？蛇x地，保護(hù)條112與固定部111通過卡口或者螺栓連接。保護(hù)條112安裝固定后可通過卡口或者螺栓拆卸，這樣可以避免剪斷保護(hù)條112時(shí)對測試結(jié)構(gòu)的沖擊，并且可重復(fù)利用。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜材料的測試系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例提供的測試系統(tǒng)中，測試結(jié)構(gòu)120包括薄膜材料121和載體122，載體122位于薄膜材料121的兩端，且位于薄膜材料121的同一表面。圖2中，位于薄膜材料121兩端的載體122均位于薄膜材料121的下表面。載體122粘結(jié)在支撐框架110的兩個(gè)固定部111，以將測試結(jié)構(gòu)120固定在支撐框架110上。

可選地，薄膜材料121為低介電常數(shù)(low-k)薄膜材料。集成電路內(nèi)部，由于層間電介質(zhì)的存在，導(dǎo)線之間會(huì)存在分布電容，影響芯片的速度和可靠性，而low-k薄膜材料可以降低電容容量，減少分布電容，提升芯片性能。尤其是在90納米節(jié)點(diǎn)以下的芯片中，low-k材料可以縮短信號傳播延時(shí)，降低線路串?dāng)_。low-k薄膜材料比較脆弱，容易在芯片后續(xù)封裝過程中出現(xiàn)失效破壞，因此掌握其基本力學(xué)性質(zhì)非常重要。本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜材料的測試系統(tǒng)可以對low-k薄膜材料進(jìn)行單軸拉伸測試，通過該測試系統(tǒng)可以獲得準(zhǔn)確可靠的測試數(shù)據(jù)，進(jìn)而掌握low-k薄膜材料的力學(xué)性能?？蛇x地，薄膜材料還可以是金屬薄膜材料、合金薄膜材料或者其他多層復(fù)合薄膜材料。

可選地，載體122為硅片，或者玻璃、砷化鎵和碳化硅等其他剛性材料制作的結(jié)構(gòu)。薄膜材料的厚度非常微小，一般在數(shù)微米之下，因此薄膜材料的測試結(jié)構(gòu)不易運(yùn)輸和轉(zhuǎn)移，測試結(jié)構(gòu)夾持時(shí)，其兩端會(huì)發(fā)生塑性變形，影響測試效果，而且測試也比較困難，載體的存在為薄膜材料提供了剛性支撐，使得薄膜材料容易操控，方便運(yùn)輸，以及易于夾持。

本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜材料的測試系統(tǒng)，通過支撐框架位于兩端的固定部固定測試結(jié)構(gòu)，并將支撐框架的固定部和測試結(jié)構(gòu)的兩端夾持到拉力設(shè)備的夾具上進(jìn)行單軸拉伸測試，可以直接對薄膜材料進(jìn)行測試。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的測試系統(tǒng)不需要引入支撐梁或移動(dòng)平臺(tái)，沒有其他中間加載過程，測試結(jié)構(gòu)承受的力不會(huì)受到支撐梁變形的影響，避免了額外的誤差，使得薄膜材料的單軸拉伸測試更加簡單，并且由于該測試系統(tǒng)引入了具有兩端固定部的支撐框架，因此降低了對夾具的特殊要求，對拉力設(shè)備也沒有特殊要求。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試方法的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的測試方法基于上述薄膜材料的測試系統(tǒng)，如圖4所示，該測試方法包括：

s110、將測試結(jié)構(gòu)的兩端固定在支撐框架的位于兩端的固定部上。

s120、將支撐框架的位于兩端的固定部，以及測試結(jié)構(gòu)的兩端夾持在拉力設(shè)備的夾具上。

s130、斷開支撐框架上的保護(hù)條。

s140、通過拉力設(shè)備對測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行單軸拉伸測試。

可選地，測試結(jié)構(gòu)包括薄膜材料和載體，載體位于薄膜材料的兩端，且位于薄膜材料的同一表面，將測試結(jié)構(gòu)的兩端固定在支撐框架的位于兩端的固定部上具體為：

將載體粘結(jié)在支撐框架的兩個(gè)固定部。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試方法的實(shí)驗(yàn)過程示意圖，如圖5所示，用拉力設(shè)備(未示出)上的夾具(未示出)夾持支撐框架110，剪斷支撐框架110的兩側(cè)保護(hù)條112，通過拉力設(shè)備(未示出)對支撐框架110施加兩個(gè)向外的拉力f，對薄膜材料測試結(jié)構(gòu)120進(jìn)行單軸拉伸，獲得完整的應(yīng)力應(yīng)變曲線。進(jìn)一步地，通過應(yīng)力應(yīng)變曲線直線段的斜率得到薄膜材料的模量，通過最大應(yīng)力獲得其強(qiáng)度的大小，掌握薄膜材料的力學(xué)性能。

可選地，保護(hù)條與固定部通過卡口或者螺栓連接時(shí)，用拉力設(shè)備上的夾具夾持支撐框架，拆卸掉支撐框架的兩側(cè)保護(hù)條，通過拉力設(shè)備對支撐框架施加兩個(gè)向外的拉力f，對薄膜材料測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行單軸拉伸。

本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜材料的測試方法，通過將測試結(jié)構(gòu)的載體粘結(jié)安裝到拉伸輔助框架上，用適當(dāng)?shù)膴A具夾持框架兩端，剪斷支撐框架的兩側(cè)保護(hù)條，對薄膜材料試樣進(jìn)行單軸拉伸，進(jìn)而得知薄膜材料的力學(xué)性能，本實(shí)施例提供的測試方法對拉力設(shè)備沒有嚴(yán)格的限制，只需要在拉伸量程范圍內(nèi)即可，測試過程中由于沒有其他加載環(huán)節(jié)，不需要計(jì)入其他輔助結(jié)構(gòu)變形的影響，使得獲得的測試數(shù)據(jù)更加可靠。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜材料測試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)120包括薄膜材料121和載體122，載體122位于薄膜材料121的兩端，且位于薄膜材料121的同一表面。

可選地，測試結(jié)構(gòu)120上設(shè)置有至少一個(gè)位移標(biāo)識123，位移標(biāo)識123為測試結(jié)構(gòu)120上的突起結(jié)構(gòu)，用于測試結(jié)構(gòu)120的定位。位移標(biāo)識123通常成對存在，分別位于薄膜材料121的兩側(cè)，以便于定位，如圖5所示，本實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)上設(shè)置有四個(gè)位移標(biāo)識123，每對位移標(biāo)識123分別位于薄膜材料靠近兩端的位置，可以在進(jìn)行單軸拉伸測試時(shí)更好地對薄膜材料定位。位移標(biāo)識還可以是一個(gè)或者多個(gè)，本實(shí)施例對此不作限定，只要能起到定位作用即可。

可選地，載體122的厚度為50-750μm。載體122用作薄膜材料121的剛性支撐，位于薄膜材料121的同一表面的兩端，使得厚度微小的薄膜材料便于轉(zhuǎn)移、運(yùn)輸和夾持。

本發(fā)明實(shí)施例提供薄膜材料的測試結(jié)構(gòu)，包括薄膜材料和載體，載體位于薄膜材料的兩端，且位于薄膜材料的同一表面，該測試結(jié)構(gòu)可以直接粘結(jié)在本實(shí)施例提供的支撐框架上，通過拉力設(shè)備進(jìn)行單軸拉伸測試，對拉力設(shè)備和夾具均沒有特殊要求。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜材料測試結(jié)構(gòu)的制作方法流程圖，測試結(jié)構(gòu)為上述實(shí)施例所述的測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)的制作方法包括：

s710、在載體的上表面沉積薄膜材料。

s720、通過光刻工藝，對薄膜材料進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)凹槽，凹槽底部暴露出載體的上表面，以及凹槽貫穿載體的上表面。

s730、對載體的下表面進(jìn)行減薄。

s740、通過光刻工藝，對載體的下表面進(jìn)行刻蝕，將載體對應(yīng)凹槽的部分刻蝕掉，并將載體對應(yīng)薄膜材料的部分刻蝕掉中間位置的載體，以至露出薄膜材料，形成中間懸空的測試結(jié)構(gòu)。

圖8a至圖8f為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法的各個(gè)工藝步驟中所形成的結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合圖8a至圖8f來具體闡述本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法。

本發(fā)明實(shí)施例通過微加工方法制備薄膜材料測試結(jié)構(gòu)，例如low-k測試結(jié)構(gòu)，可通過化學(xué)氣相沉積或旋涂等方法在載體上制備low-k薄膜材料。根據(jù)low-k材料制備方法的不同，測試結(jié)構(gòu)的主要制備流程也有所不同，本發(fā)明以化學(xué)氣相沉積法為例進(jìn)行論述。

首先，在載體的上表面沉積薄膜材料，如圖8a所示。圖8a為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中在載體上沉積薄膜材料的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，在載體122上通過化學(xué)氣相沉積制備薄膜材料121，然后涂覆光刻膠124。

根據(jù)所需的測試結(jié)構(gòu)和尺寸設(shè)計(jì)相應(yīng)的掩模板，通過光刻曝光的方法形成測試結(jié)構(gòu)圖案，如圖8b所示，圖8b為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中光刻形成測試結(jié)構(gòu)圖案的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，在光刻膠124上形成兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)。

將凹槽處的薄膜材料通過干法刻蝕工藝去除，形成測試結(jié)構(gòu)圖形，如圖8c所示，圖8c為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中刻蝕薄膜材料形成測試結(jié)構(gòu)圖形的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，對薄膜材料121進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)凹槽，本實(shí)施例中為兩個(gè)凹槽，凹槽底部暴露出載體122的上表面，以及凹槽貫穿載體122的上表面。

去除薄膜材料121上殘留的光刻膠124，獲得最終薄膜材料121的測試結(jié)構(gòu)圖形，并通過臨時(shí)鍵合的方法將上述載體122倒貼在一個(gè)載片(載片可以是硅片，玻璃等)上，將載體122背面進(jìn)行減薄，如圖8d所示，圖8d為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法中減薄載體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。載體減薄后的厚度可以控制在50-750μm范圍，起到對薄膜材料的剛性支撐作用，也不影響測試時(shí)對薄膜材料的夾持。

在載體122背面涂覆光刻膠，通過光刻曝光的方法將待刻蝕的區(qū)域暴露出來，然后通過刻蝕(可以是干法刻蝕或濕法刻蝕等)方法將暴露出來的載體全部刻蝕掉，一直刻蝕到薄膜材料界面為止，最終形成中間懸空的薄膜材料，其形狀為啞鈴形，如圖8e和圖8f所示，圖8e為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖，圖8f為本發(fā)明實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

可選地，還可以通過掩模板設(shè)計(jì)在測試結(jié)構(gòu)120上制備位移標(biāo)識123，如圖8f所示的三角形標(biāo)識，其中，該位移標(biāo)識不局限于三角形，可以是任何小的突起形狀，用于定位。

至此完成對薄膜材料的測試結(jié)構(gòu)的制作，本實(shí)施例提供的測試結(jié)構(gòu)的制作方法可以一次制備多個(gè)均勻性良好的測試結(jié)構(gòu)，對測試結(jié)構(gòu)的尺寸控制精準(zhǔn)，測試結(jié)構(gòu)的制備條件與實(shí)際產(chǎn)品接近，數(shù)據(jù)具有良好的參考價(jià)值，測試結(jié)構(gòu)容易操控，便于轉(zhuǎn)移、運(yùn)輸和夾持。采用本實(shí)施例提供的制作方法完成的測試結(jié)構(gòu)可以直接粘結(jié)在本實(shí)施例提供的支撐框架上，通過拉力設(shè)備進(jìn)行單軸拉伸測試，對拉力設(shè)備和夾具均沒有特殊要求，也沒有其他中間加載過程，獲得的數(shù)據(jù)更可靠。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。