本發(fā)明屬于電源管理技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路。

背景技術(shù)：

同步整流技術(shù)利用低導(dǎo)通電阻的mosfet代替常規(guī)的二極管或肖特基管，可以大大降低整流部分的功耗，提高變換器的性能，實(shí)現(xiàn)電源的高效率。一種采用自驅(qū)動(dòng)同步整流技術(shù)的電路拓?fù)淙鐖D1所示，芯片采樣同步整流管的漏極和源極電壓，通過(guò)內(nèi)部邏輯來(lái)控制同步整流管的柵極，實(shí)現(xiàn)同步整流管的開(kāi)啟與關(guān)閉。具體的內(nèi)部邏輯是：當(dāng)?shù)谝回?fù)電平檢測(cè)器檢測(cè)到同步整流管的漏源電壓vds<-150mv時(shí)，同步整流管的柵極輸出gate為高電平，同步整流管開(kāi)啟；當(dāng)?shù)诙?fù)電平檢測(cè)器檢測(cè)到同步整流管的漏源電壓vds>-5mv時(shí)，同步整流管的柵極輸出gate為低電平，同步整流管關(guān)閉。其中，對(duì)于步整流管的漏源電壓在-5mv電平的檢測(cè)是一大難點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種應(yīng)用于dc/dc同步整流電路中的高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路，能夠檢測(cè)同步整流管的漏源電壓vds，滿足同步整流控制電路的需要。

本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路，包括偏置電路、運(yùn)算放大器、開(kāi)關(guān)控制單元、vds采樣管、反相器電路和失調(diào)產(chǎn)生電阻r4；

所述偏置電路包括第一電阻r1、第二電阻r2、第一電容c1、第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第九pmos管mp9、第十pmos管mp10和第十一pmos管mp11，

第一電阻r1和第二電阻r2串聯(lián)，其串聯(lián)點(diǎn)通過(guò)第一電容c1后接地，第一電阻r1的另一端接等效的基準(zhǔn)電壓v1，第二電阻r2的另一端接第一nmos管mn1的柵極和漏極以及第二nmos管mn2的柵極，第一nmos管mn1和第二nmos管mn2的源極接地，第二nmos管mn2的漏極接第九pmos管mp9的漏極、第九pmos管mp9、第十pmos管mp10和第十一pmos管mp11的柵極，

第三nmos管mn3的柵漏短接并連接第十pmos管mp10的漏極，第四nmos管mn4的柵漏短接并連接第十一pmos管mp11的漏極，第一pmos管的柵漏短接并連接第九pmos管mp9的源極、第二pmos管mp2和第三pmos管mp3的柵極，第二pmos管mp2的漏極接第十pmos管mp10的源極，第三pmos管mp3的漏極接第十一pmos管mp11的源極，第一pmos管mp1、第二pmos管mp2和第三pmos管mp3的源極接電源電壓vcc；

所述高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路還包括修調(diào)電阻r3，所述運(yùn)算放大器還包括失調(diào)采樣單元；

所述開(kāi)關(guān)控制單元包括第十nmos管mn10、第十一nmos管mn11、第十二nmos管mn12、第十五nmos管mn15和第十六nmos管mn16，

所述第十nmos管mn10的漏極通過(guò)修調(diào)電阻r3后連接等效的基準(zhǔn)電壓v1，失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的一端接第十nmos管mn10和第三nmos管mn3的源極，另一端接第十一nmos管mn11的漏極；第十二nmos管mn12的漏極接第十一nmos管mn11和第四nmos管mn4的源極，其源極接地，第十nmos管mn10、第十一nmos管mn11和第十二nmos管mn12的柵極接第一控制信號(hào)a；第十六nmos管mn16的源極接地，其漏極接第十五nmos管mn15的漏極，第十五nmos管mn15和第十六nmos管mn16的柵極接第三控制信號(hào)c；

所述vds采樣管包括柵極互連并連接第二控制信號(hào)b的第十三nmos管mn13和第十四nmos管mn14，第十三nmos管mn13的漏極輸入同步整流管的漏極電壓vd，其源極接第十一nmos管mn11的源極；第十四nmos管mn14的漏極輸入同步整流管的源極電壓vs，其源極接第十nmos管mn10的源極；

所述運(yùn)算放大器包括第四pmos管mp4、第五pmos管mp5、第六pmos管mp6、第七pmos管mp7、第八pmos管mp8、第十二pmos管mp12、第十三pmos管mp13、第十四pmos管mp14、第五nmos管mn5、第六nmos管mn6、第七nmos管mn7、第八nmos管mn8、第九nmos管mn9和第二電容c3，所述失調(diào)采樣單元包括第十五pmos管mp15、第十六pmos管mp16、第十七pmos管mp17、第十八pmos管mp18和失調(diào)采樣電容c2；

第十五pmos管mp15和第十六pmos管mp16組成第一差分對(duì)，第十七pmos管mp17和第十八pmos管mp18組成第二差分對(duì)，第十五pmos管mp15和第十六pmos管mp16的源極互連并連接第五pmos管mp5的漏極，第十五pmos管mp15的柵極接第一電阻r1和第二電阻r2的串聯(lián)點(diǎn)，第十六pmos管mp16的柵極連接第十六nmos管mn16的源極；第十七pmos管mp17和第十八pmos管mp18的源極互連并連接第四pmos管mp4的漏極，第十七pmos管mp17的漏極接第十一nmos管mn11的源極，其柵極接第一電阻r1和第二電阻r2的串聯(lián)點(diǎn)，第十八pmos管mp18的漏極接第十nmos管mn10的源極，其柵極接第十六nmos管mn16的源極，失調(diào)采樣電容c2接在第十六nmos管mn16的源極和地之間；

第七nmos管mn7和第八nmos管mn8的柵極互連并連接第五nmos管mn5和第十二pmos管mp12的漏極，第七nmos管mn7的漏極連接第五nmos管mn5的源極和第十六pmos管mp16的漏極，第七nmos管mn7的源極接第十三nmos管mn13的源極，第八nmos管mn8的漏極接第六nmos管mn6的源極和第十五pmos管mp15的漏極，第八nmos管mn8的源極接第十nmos管mn10的源極，

第六nmos管mn6的柵極連接第五nmos管mn5和第三nmos管mn3的柵極，其漏極連接第十三pmos管mp13的漏極和第九nmos管mn9的柵極并通過(guò)第二電容c3后接第十五nmos管mn15的源極，

第十二pmos管mp12和第十三pmos管mp13的柵極互連并連接第十一pmos管mp11和第十四pmos管mp14的柵極，第十二pmos管mp12的源極接第六pmos管mp6的漏極，第十三pmos管mp13的源極接第七pmos管mp7的漏極，

第六pmos管mp6和第七pmos管mp7的柵極互連并連接第三pmos管mp3、第四pmos管mp4、第五pmos管mp5和第八pmos管mp8的柵極，第八pmos管mp8的漏極接第十四pmos管mp14的源極，第九nmos管mn9的漏極連接第十四pmos管mp14和第十五nmos管mn15的漏極并連接所述反相器電路的輸入端，所述反相器電路的輸出端為所述高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路的輸出端，第九nmos管mn9的源極接地，第四pmos管mp4、第五pmos管mp5、第六pmos管mp6、第七pmos管mp7和第八pmos管mp8的源極接電源電壓vcc。

具體的，所述反相器電路包括第十七nmos管mn17、第十八nmos管mn18、第十九pmos管mp19和第二十pmos管mp20，

第十七nmos管mn17和第十九pmos管mp19的柵極互連并作為所述反相器電路的輸入端，其漏極也互連并連接第十八nmos管mn18和第二十pmos管mp20的柵極，第十八nmos管mn18和第二十pmos管mp20的漏極互連并作為所述反相器電路的輸出端，第十七nmos管mn17和第十八nmos管mn18的源極接地，第十九pmos管mp19和第二十pmos管mp20的源極接電源電壓vcc。

具體的，所述第十五pmos管(mp15)、第十六pmos管(mp16)、第十七pmos管(mp17)和第十八pmos管(mp18)尺寸完全相同并且版圖上相互匹配，第四pmos管(mp4)與第五pmos管(mp5)尺寸完全相同。

具體的，所述等效的基準(zhǔn)電壓v1由基準(zhǔn)電平經(jīng)過(guò)一電壓跟隨器產(chǎn)生。

具體的，所述第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c的產(chǎn)生電路包括：sr鎖存器、數(shù)字模塊，第一負(fù)電平檢測(cè)器和第二負(fù)電平檢測(cè)器，

同步整流管的漏極電壓vd輸入第一負(fù)電平檢測(cè)器的負(fù)輸入端和第二負(fù)電平檢測(cè)器的正輸入端，同步整流管的源極電壓vs輸入第一負(fù)電平檢測(cè)器的正輸入端和第二負(fù)電平檢測(cè)器的負(fù)輸入端，第一負(fù)電平檢測(cè)器的輸出端連接sr鎖存器的s端，第二負(fù)電平檢測(cè)器的輸出端連接sr鎖存器的r端，sr鎖存器q端輸出的信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)字模塊后輸出第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c后反饋回第二負(fù)電平檢測(cè)器。

具體的，所述第一負(fù)電平檢測(cè)器檢測(cè)到同步整流管的漏源電壓大于-150mv時(shí)輸出低電平，所述第二負(fù)電平檢測(cè)器檢測(cè)到同步整流管的漏源電壓大于-5mv時(shí)輸出高電平。

具體的，所述第二負(fù)電平檢測(cè)器檢測(cè)到同步整流管的漏源電壓大于-5mv時(shí)，sr鎖存器復(fù)位，數(shù)字模塊檢測(cè)到sr鎖存器q端的下降沿后，第一控制信號(hào)a和第三控制信號(hào)c產(chǎn)生高電平脈沖，第二控制信號(hào)b產(chǎn)生低電平脈沖。

本發(fā)明的有益效果為：實(shí)現(xiàn)了負(fù)電平的精確檢測(cè)，分辨率可以達(dá)到毫伏級(jí)，能夠滿足對(duì)自適應(yīng)同步整流控制電路的應(yīng)用需求，為了消除工藝偏差對(duì)比較閾值點(diǎn)帶來(lái)的影響，設(shè)計(jì)了修調(diào)電阻r3對(duì)失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的壓降△vr4進(jìn)行修調(diào)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的應(yīng)用對(duì)象

圖2為本發(fā)明提供的一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖

圖3為本發(fā)明提供的一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路工作在鉗位運(yùn)放模式的簡(jiǎn)化電路圖

圖4為本發(fā)明提供的一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路工作在比較器工作模式的簡(jiǎn)化電路圖

圖5為本發(fā)明中的第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c的產(chǎn)生原理圖

圖6為本發(fā)明中的第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c的時(shí)序圖

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案：

本發(fā)明提出一種高分辨率負(fù)電平檢測(cè)電路，可以實(shí)現(xiàn)圖1所示第二負(fù)電平檢測(cè)器對(duì)于同步整流管漏源電壓在大于-5mv時(shí)的精確檢測(cè)。

本發(fā)明提出的負(fù)電平檢測(cè)電路的電路示意圖如圖2所示，包括偏置電路、含失調(diào)采樣單元的運(yùn)算放大器、開(kāi)關(guān)控制單元、vds采樣管、反相器電路、失調(diào)產(chǎn)生電阻r4和修調(diào)電阻r3；其中，本實(shí)施例中反相器電路包括第十七nmos管mn17、第十八nmos管mn18、第十九pmos管mp19和第二十pmos管mp20，第十七nmos管mn17和第十九pmos管mp19的柵極互連并作為反相器電路的輸入端，其漏極也互連并連接第十八nmos管mn18和第二十pmos管mp20的柵極，第十八nmos管mn18和第二十pmos管mp20的漏極互連并作為反相器電路的輸出端，第十七nmos管mn17和第十八nmos管mn18的源極接地，第十九pmos管mp19和第二十pmos管mp20的源極接電源電壓vcc。

系統(tǒng)通過(guò)第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c三個(gè)控制信號(hào)來(lái)切換電路的工作模式。兩種工作模式的切換時(shí)機(jī)發(fā)生在同步調(diào)整管的漏源電壓在-5mv電平的檢測(cè)完成之后：如圖5所示為第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c的產(chǎn)生電路，包括sr鎖存器、數(shù)字模塊，第一負(fù)電平檢測(cè)器和第二負(fù)電平檢測(cè)器，同步整流管的漏極電壓vd輸入第一負(fù)電平檢測(cè)器的負(fù)輸入端和第二負(fù)電平檢測(cè)器的正輸入端，同步整流管的源極電壓vs輸入第一負(fù)電平檢測(cè)器的正輸入端和第二負(fù)電平檢測(cè)器的負(fù)輸入端，第一負(fù)電平檢測(cè)器的輸出端連接sr鎖存器的s端，第二負(fù)電平檢測(cè)器的輸出端連接sr鎖存器的r端，sr鎖存器q端輸出的信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)字模塊后輸出第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c后反饋回第二負(fù)電平檢測(cè)器。

同步調(diào)整管的漏源電壓vds是周期信號(hào)，當(dāng)同步調(diào)整管的漏源電壓vds>-5mv，第二負(fù)電平檢測(cè)器輸出翻轉(zhuǎn)為高電平，sr鎖存器復(fù)位，q翻轉(zhuǎn)為低電平，數(shù)字模塊檢測(cè)到sr鎖存器q端的下降沿之后，第一控制信號(hào)a和第三控制信號(hào)c產(chǎn)生一段高電平脈沖，第二控制信號(hào)b產(chǎn)生一段低電平脈沖，脈沖時(shí)間內(nèi)本發(fā)明工作在鉗位運(yùn)放模式；脈沖時(shí)間結(jié)束后切換為比較器模式，進(jìn)行下一周期的同步調(diào)整管的漏源電壓vds的負(fù)電平檢測(cè)。即每個(gè)周期都會(huì)進(jìn)行兩種模式的來(lái)回切換，這樣設(shè)計(jì)的目的是讓失調(diào)采樣電容c2在每個(gè)周期進(jìn)行一次失調(diào)采樣，否則失調(diào)采樣電容c2的電平在幾個(gè)周期之后因?yàn)樵肼暤臄_動(dòng)而變化，造成采樣失真，從而做不到精確的電平檢測(cè)。

當(dāng)電路工作在鉗位運(yùn)放模式時(shí)，簡(jiǎn)化電路如圖3所示，運(yùn)放的輸入端是第十七pmos管mp17的柵極a和第十八pmos管mp18的柵極b。失調(diào)產(chǎn)生電阻r4上產(chǎn)生毫伏級(jí)的壓降△vr4(-5mv)，從而在運(yùn)放的輸入端a和b人為地引入一定失調(diào)量，即va≠vb，第十七pmos管mp17的柵極電壓va是固定電壓，所以第十八pmos管mp18的柵極電壓vb的值與△vr4呈函數(shù)關(guān)系，失調(diào)采樣電容c2采樣第十八pmos管mp18的柵極電壓vb。

當(dāng)電路切換為比較器模式時(shí)，簡(jiǎn)化電路如圖4所示比較器的輸入端為第十七pmos管mp17的漏極x和第十八pmos管mp18的漏極y。鉗位運(yùn)放模式下失調(diào)采樣電容c2采樣到的第十八pmos管mp18的柵極b點(diǎn)電位vb被保留到比較器模式，所以第十七pmos管mp17的柵極電壓va與第十八pmos管mp18的柵極電壓vb失調(diào)量依舊存在，從而造成vgs，mn7≠vgs，mn8，即此時(shí)比較器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)不是vx＝vy，第十七pmos管mp17的漏極電壓vx與第十八pmos管mp18的漏極電壓vy之間存在一差值，而將第十八pmos管mp18的漏極電壓vb與失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的壓降△vr4函數(shù)關(guān)系取反函數(shù)即可得到該差值正是△vr4，即通過(guò)模式切換的方式將失調(diào)產(chǎn)生電阻r4上產(chǎn)生的壓降△vr4“復(fù)制”過(guò)來(lái)，實(shí)現(xiàn)了-5mv負(fù)電平的檢測(cè)。為了使失調(diào)產(chǎn)生電阻r4上的壓降△vr4恒定，引入由第十七pmos管mp17和第十八pmos管mp18構(gòu)成的差分對(duì)，第十七pmos管mp17，第十八pmos管mp18，第十五pmos管mp15，第十六pmos管mp16尺寸完全相同并且版圖上相互匹配；第四pmos管mp4與第五pmos管mp5尺寸完全相同保證兩組差分對(duì)尾電流相等，由此，流過(guò)失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的電流將是恒定值(運(yùn)放的偏置電流id,mp6,mp7與尾電流id,mp4,mp5之和)。另外，為了消除工藝偏差帶來(lái)的影響，引入修調(diào)電阻r3對(duì)失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的壓降△vr4進(jìn)行修調(diào)。

下面，對(duì)兩種工作模式下的狀態(tài)進(jìn)行詳細(xì)分析。

鉗位運(yùn)放模式：當(dāng)va＝vc＝vcc，vb＝vss，第十nmos管mn10、第十一nmos管mn11和第十二nmos管mn12三個(gè)開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟；第十三nmos管mn13和第十四nmos管mn14關(guān)閉，第十三nmos管mn13的漏端vd端不對(duì)外進(jìn)行采樣，該模式下，第十五pmos管mp15、第十六pmos管mp16差分對(duì)與運(yùn)放主體構(gòu)成兩級(jí)折疊式cascode共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)，能夠獲得足夠大的增益。第十六nmos管mn16開(kāi)啟，此時(shí)運(yùn)放的輸出節(jié)點(diǎn)d(即第十四pmos管mp14的漏極)與負(fù)相輸入端b(即第十六nmos管mn16的源極)連接，構(gòu)成單位增益負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，失調(diào)采樣電容c2對(duì)鉗位電壓進(jìn)行采樣；第十五nmos管mn15開(kāi)啟，密勒電容c3接入運(yùn)放，進(jìn)行頻率補(bǔ)償，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定。第十六pmos管mp16和第十七pmos管mp17的電流流過(guò)節(jié)點(diǎn)x，第十五pmos管mp15和第十八pmos管mp18的電流流過(guò)節(jié)點(diǎn)y，所以流進(jìn)節(jié)點(diǎn)x和y的電流均為恒定值，既保證流入失調(diào)產(chǎn)生電阻r4的電流恒定，又保證第十五pmos管mp15、第十六pmos管mp16和第十七pmos管mp17、第十八pmos管mp18兩組差分對(duì)在節(jié)點(diǎn)x和節(jié)點(diǎn)y引入的小信號(hào)電流相互抵消。鉗位運(yùn)放模式的等效電路如圖3。

失調(diào)產(chǎn)生電阻r4上的壓降，即節(jié)點(diǎn)y的電壓vy可以用下式表示：

式中，vgs,mn1是圖2中第一nmos管mn1的柵源電壓，k1是第二pmos管mp2、第三pmos管mp3的并聯(lián)數(shù)，k2是第四pmos管mp4、第五pmos管mp5的并聯(lián)數(shù)，k3是第六pmos管mp6、第七pmos管mp7的并聯(lián)數(shù)。

通過(guò)調(diào)整修調(diào)電阻r3可以對(duì)vy進(jìn)行修調(diào)。利用失調(diào)產(chǎn)生電阻r4在運(yùn)放中引入了一個(gè)失調(diào)量，失調(diào)的存在使得：

vgs,mn7-vgs,mn8＝δvr4(2)

進(jìn)一步地，失調(diào)量使得鉗位運(yùn)放的輸入端va≠vb，va-vb可以用以下函數(shù)來(lái)表示：

va-vb＝f(vδr4)＝f(vgs,mn7-vgs,mn8)(3)

失調(diào)采樣電容c2采樣第十八pmos管mp18的柵極電壓vb的電位并保持。

比較器模式：當(dāng)va＝vc＝vss，vb＝vcc，第十nmos管mn10、第十一nmos管mn11、第十二nmos管mn12三個(gè)開(kāi)關(guān)管關(guān)閉；第十三nmos管mn13、第十四nmos管mn14開(kāi)啟并工作在深線性區(qū)，其導(dǎo)通電阻極小，可以忽略不計(jì)。第十三nmos管mn13的漏端vd端和第十四nmos管mn14的漏端vs端開(kāi)始對(duì)同步整流管的漏極電壓和源極電壓進(jìn)行采樣，第十七pmos管mp17的漏極采樣同步整流管的漏端電壓vx＝vd，第十八pmos管mp18的漏端采樣同步整流管的源端電壓vy＝vs。第十五nmos管mn15關(guān)閉，第二電容c3從運(yùn)放中移除；第十六nmos管mn16關(guān)閉，失調(diào)采樣電容c2與節(jié)點(diǎn)b斷開(kāi)，節(jié)點(diǎn)b的電壓來(lái)自失調(diào)采樣電容c2在上一階段，即鉗位運(yùn)放階段中采樣到的鉗位電壓。

比較器模式下的等效電路如圖4所示，圖中忽略了采樣管第十三nmos管mn13和第十四nmos管mn14。此時(shí)，

v’gs,mn7-v’gs,mn8＝f^-1(va-vb)(4)

而

va-vb＝f(vδr4)(5)

所以

v’gs,mn7-v’gs,mn8＝f^-1(va-vb)＝f^-1(f(δvr4))＝δvr4(6)

所以，得到比較器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)

vds＝vx-vy＝-δvr4(7)

根據(jù)公式(1)設(shè)置失調(diào)產(chǎn)生電阻r4上的壓降△vr4，可以得到需要檢測(cè)的同步整流管的漏源電壓為-5mv時(shí)的電壓。

第一控制信號(hào)a、第二控制信號(hào)b和第三控制信號(hào)c需要設(shè)置一定的死區(qū)時(shí)間△t1和△t2，以確保電路能正常工作并檢測(cè)到精確的負(fù)壓信號(hào)，上述三個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序關(guān)系如圖5所示。

死區(qū)時(shí)間△t1的設(shè)計(jì)目的為：當(dāng)由比較器模式切換為鉗位運(yùn)放模式時(shí)，確保電容失調(diào)采樣c2最先接入；當(dāng)由鉗位運(yùn)放模式切換為比較器模式時(shí)，確保失調(diào)采樣c2最先移除，避免切換過(guò)程中電壓的擾動(dòng)使b點(diǎn)電位偏移。

死區(qū)時(shí)間△t2的設(shè)計(jì)目的為：防止在采樣階段第十三nmos管mn13、第十四nmos管mn14、第十一nmos管mn11、第十二nmos管mn12同時(shí)開(kāi)啟，同步整流管的漏端電壓vd被錯(cuò)誤地誤拉到vss地電平，導(dǎo)致同步整流管不能正常工作，甚至損壞電路。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。