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      一種物品表面形貌檢測方法及裝置與流程

      文檔序號:11227959閱讀:363來源:國知局

      技術(shù)領(lǐng)域:

      本發(fā)明涉及一種物品表面形貌檢測方法及裝置。



      背景技術(shù):

      微觀表面形貌檢測在工業(yè)產(chǎn)品檢測、機械制造、電子工業(yè)等領(lǐng)域均有非常重要的應用價值,隨著現(xiàn)代電子工業(yè)、光學精微加工及微機電技術(shù)的發(fā)展,對微觀表面精度的要求越來越高,表面形貌質(zhì)量成為保證和提高機械、電子及光學系統(tǒng)性能、質(zhì)量和壽命的關(guān)鍵因素之一。在最近幾十年里,國內(nèi)外微觀表面形貌測量領(lǐng)域出現(xiàn)了許多新技術(shù)和新方法,使測量精度不斷提高,己從微米尺度進入到納米甚至亞納米尺度。目前微觀表面形貌測量方法可分為兩大類:接觸式和非接觸式。觸針式輪廓儀是目前使用比較廣泛的接觸式表面輪廓測量儀,具有測量范圍大、分辨率高、測量結(jié)果穩(wěn)定可靠、重復性好等優(yōu)點,其軸向測量分辨率可達1nm或更小,但在微觀表面輪廓檢測中,通常要求不能和樣品表面接觸,接觸檢測會導致樣品表面損傷。納米級精度非接觸測量方法可分為非光學方法和光學方法兩大類,非光學測量方法包括掃描隧道顯微鏡和原子力顯微鏡,掃描隧道顯微鏡橫向分辯率為0.1nm,軸向分辨率0.01nm量級,其軸向和橫向測量范圍較小(約1μm),掃描隧道顯微鏡是通過隧道電流反映被測表面形貌,因此,只能測量導體或半導體,而且測量必須在真空中進行。原子力顯微鏡的軸向分辨率達到0.1nm,橫向分辨率約為10nm,既可以檢測導體,也可以檢測非導體,但具有成像范圍小、受探頭影響大的缺點。納米級光學測量方法分為兩類:(1)結(jié)合色差和共焦顯微技術(shù)的色差共焦光譜技術(shù)(chromaticconfocalspectrum,ccs),(2)干涉測量方法,包括:單色光相移干涉法(phase-shiftinginterferometry,psi)、垂直掃描白光干涉法(verticalscanningwhite-lightinterferometry,swli)、白光光譜干涉法(white-lightspectralinterferometry,wlsi)及外差干涉法(heterodyneinterferometry,hi)。

      軸向分辨率、軸向測量范圍、系統(tǒng)穩(wěn)定性、橫向分辨率及檢測速度是納米級形貌成像中比較關(guān)鍵的問題。ccs軸向分辨率達到2nm,差于干涉方法,但是ccs的優(yōu)點是高穩(wěn)定性。ccs的另一缺點是其軸向分辨率、軸向測量范圍及橫向分辨率都決定于樣品光焦點,軸向分辨率、軸向測量范圍依賴于焦點色散特性,因此,要求焦點色散特性嚴格穩(wěn)定,不適合于進行快速的光學掃描,目前都是用高精度平移臺移動樣品進行二維掃描,機械掃描會引入振動干擾,影響軸向測量精度,同時也限制了測量速度。對于干涉方法,影響系統(tǒng)性能的主要因素是穩(wěn)定性和軸向測量范圍,干涉方法具有高靈敏度,但對外界的干擾也同樣靈敏,干涉方法的軸向精度和橫向分辨率無關(guān),可以實現(xiàn)快速的光學掃描。

      干涉法的軸向分辨率要高于ccs,但是干涉法存在相位包裹及易受環(huán)境干擾的問題。psi、wlsi及hi是通過計算參考光和樣品光之間的相位差得到樣品表面的高度值,相位計算的主值范圍為[-π,+π],當相位超過[-π,+π],發(fā)生相位包裹,必須通過相位解包裹恢復真實相位,才能得到正確的高度信息。目前,雖然已有多種數(shù)值相位解包裹的方法被提出,然而這些方法都存在一定的問題,計算復雜耗時,受噪聲及欠采樣影響,特別是當相鄰兩點相位差超過π時,無法恢復真實的相位。相位解包裹的原理是根據(jù)相位的連續(xù)性,通過比較相鄰兩點之間相位差進行相位解包裹,從原理上講,當相鄰兩點的相位差大于π時,就無法正確恢復真實相位,這就限定了干涉法的應用范圍。swli可以測量絕對光程,不存在相位包裹問題,但是對于每一探測點,需要進行軸向掃描,干涉條紋的解調(diào)精度和軸向掃描精度限制了軸向測量精度,同時使用軸向掃描也限制了測量速度。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供一種測量精度高、受環(huán)境干擾以及機械干擾小的物品表面形貌檢測方法及裝置。

      本發(fā)明的發(fā)明目的可以通過以下的技術(shù)方案來實現(xiàn):一種物品表面形貌檢測方法,檢測過程如下:

      ①由低相干光源產(chǎn)生低相干光線,低相干光線射進三端環(huán)形器的端口1,然后從端口2射出;

      ②從端口2射出的光線經(jīng)第一透鏡準直后射進x-y掃描振鏡中的x振鏡,然后從x振鏡射到y(tǒng)振鏡,接著從y振鏡射出;

      ③從y振鏡射出的光線經(jīng)第二透鏡聚焦,聚焦后的光線經(jīng)過一分光片后分為兩部分光線,一部分從玻璃底面反射,作為參考光,另一部分穿透玻璃后投射到被樣品表面,然后反射,作為樣品光;

      ④從③中發(fā)射的兩部分光線共光路返回,經(jīng)第二透鏡匯聚到掃描振鏡的y振鏡,經(jīng)y振鏡射入x振鏡,然后射出;

      ⑤x振鏡射出的光線經(jīng)第一透鏡匯聚進入三端環(huán)形器的端口2,然后從端口3射出;

      ⑥從端口3射出的參考光和樣品光進入光譜儀,光譜儀傳遞數(shù)據(jù)給電腦;

      ⑦控制掃描振鏡的運動,掃描振鏡對樣品進行逐點掃描,電腦獲得樣品表面各個位置的低相干光干涉光譜;

      ⑧電腦計算相鄰位置的相位差

      ⑨根據(jù)相位差計算樣品該相鄰兩位置的深度差δz,得到樣品表面形貌的相位差分圖;

      ⑩對計算的深度差δz進行積分,得到最終樣品表面形貌的定量分布情況。

      步驟⑧中所屬的計算相鄰位置的相位差的步驟如下:

      相鄰兩位置點1和2的相干光譜分別為:

      位置點1的相干光譜為:

      位置點2的相干光譜為:

      其中,i1(km)、i2(km)分別為位置點1、2的相干光譜,s(km)為光源光譜強度分布,a11、a12分別為位置1對應的樣品光和參考光振幅,a21、a22分別為位置2對應的樣品光和參考光振幅,km為波數(shù),n為空氣折射率,樣品面和參考面的距離用不同分辨率的兩部分表示,相鄰兩位置點1和2的相干光譜表達式中z0表示樣品面和參考面的絕對距離,其精度決定于光源的相干長度,相對于z0的具有亞相干長度分辨率的距離為kc為光源的中心波數(shù),其精度決定于光譜儀的光譜分辨率。

      假定位置點2相對于點1的微小高度增量為δz0,位置點1和2的參考臂光程相等,則位置點1和2的高度差δz0為,

      之差

      對i1(km)和i2(km)分別進行傅立葉變換后得到相對應的復數(shù)序列f1(2nzm)和f2(2nzm),zm表示離散化的高度。因為樣品中只有樣品表面為反射面,則f1(2nzm)和f2(2nzm)的功率譜極大值對應的位置即為2nz0,因此得到兩個復數(shù)為,

      上式中星號表示復共軛,由此式計算出相位差即得到樣品表面的相位差分圖,不論各點的相位值大小,只要相鄰兩點在區(qū)間[-π,+π],不發(fā)生相位包裹,當相鄰兩點的相位差超過π,在相位差分圖上出現(xiàn)相位包裹,通過相位解包裹處理,消除相位差分圖上的相位包裹,再進行積分,得到樣品表面的相位分布及形貌。由于解包裹運算是在相位差分圖上進行的,因此,把相鄰兩點相位差絕對值的限制條件由目前的π擴大到2π。

      步驟⑨中,根據(jù)所述的相位差獲得位置1與位置2的深度差δz,具體通過以下方式獲得:

      包括有低相干光源、三端環(huán)形器、第一透鏡、掃描振鏡、第二透鏡和分光片,三端環(huán)形器的端口1與低相干光源相連通,端口2后續(xù)依次連接第一透鏡—x-y掃描振鏡—第二透鏡,端口3依次連接光譜儀—電腦,第一透鏡與x-y掃描振鏡的x振鏡相連,第二透鏡與x-y掃描振鏡的y振鏡相連,分光片設置在第二透鏡與y振鏡相連一側(cè)的另一側(cè),分光片上第二透鏡一側(cè)的另一側(cè)鍍上一層透光率為50%~70%的反射膜,分光片鍍上反射膜的一側(cè)設有提供給被樣品放置的樣品臺。

      在第一透鏡和x-y掃描振鏡之間設置一反射鏡。

      采用本技術(shù)方案后,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)表面形貌高精度的快速非接觸測量,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,成本較低,測量精度能達到亞nm級,由于不直接計算各個位置的相位,因此,只要相鄰兩點的相位差在區(qū)間[-π,+π],不發(fā)生相位包裹,將干涉法相鄰兩點相位差絕對值的限制條件由目前的π擴大到2π。參考面和樣品置于同一平臺之上,最大限度消除環(huán)境干擾及系統(tǒng)振動的影響,提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性,使用光學掃描實現(xiàn)高速成像,減小機械掃描引入的干擾。

      附圖說明:

      圖1是本發(fā)明物品表面形貌檢測裝置的結(jié)構(gòu)圖。

      具體實施方式:

      下面結(jié)合附圖對本技術(shù)作進一步說明。

      物品表面形貌檢測裝置,包括:低相干光源1、光譜儀、三端環(huán)形器2、第一透鏡3、反射鏡5、x-y掃描振鏡6、第二透鏡7和樣品臺12。低相干光源1發(fā)出的光由三端環(huán)形器2的端口1進入,從三端環(huán)形器2的端口2出來的光經(jīng)透鏡3準直后射到反射鏡5,改變方向后的光射到x-y掃描振鏡6的x振鏡,從x振鏡射到x-y掃描振鏡6的y振鏡,經(jīng)y振鏡的光被第二透鏡7聚焦到被測樣品9表面,通過掃描振鏡6的快速轉(zhuǎn)動,實現(xiàn)對樣品9表面的掃描。樣品和作為參考反射鏡的分光片8置于同一平臺之上,樣品臂和參考臂為共光路。在樣品臺12上放一小立柱4,在小立柱4上放一分光片8該分光片底部上鍍上一層透光率為50%—70%的反射膜,被第二透鏡7聚焦的光一部分被分光片8下表面反射,另一部分穿過分光片8被聚焦到樣品9表面,被樣品9表面反射的樣品光與被分光片8下表面反射的參考光通過第二透鏡7匯聚到掃描振鏡6的y振鏡,經(jīng)y振鏡射入x振鏡的光通過反射鏡5改變方向后,由透鏡3匯聚到三端環(huán)形器2的端口2,從三端環(huán)形器2的端口3進入光譜儀10的準直透鏡13,經(jīng)準直透鏡13準直的光射入透射光柵14(1145lines/mm,wasatchphotonics)后被第三透鏡15聚焦到高速線陣相機16(gl2048l,sensorsunlimited),參考光和樣品光形成的干涉光譜被光譜儀10實時采集,干涉光譜傳給電腦11進行后續(xù)處理。

      掃描振鏡6的y轉(zhuǎn)軸位置為第二透鏡7的焦點。通過掃描振鏡6的快速轉(zhuǎn)動,實現(xiàn)對樣品9表面的掃描。

      本發(fā)明是一種達到亞納米級表面形貌檢測的方法,包括以下步驟:

      s1,使用共光路的頻域低相干光干涉裝置,分光片8(該分光片上渡50%—70%反射膜)放在樣品臺12上,采集分光片8下表面的反射光與樣品表面反射光的干涉光譜,用x-y掃描振鏡6對樣品進行逐點掃描,得到樣品表面各個位置的低相干光干涉光譜。

      s2,計算相鄰位置的相位差

      s3,根據(jù)所述的相位差計算樣品該相鄰兩位置的深度差δz,得到表面形貌的相位差分圖;

      s4,對計算的深度差δz進行積分,得到樣品表面形貌的定量分布。

      步驟s2中所述的計算相鄰位置的相位差的步驟如下:

      相鄰兩位置點1和2的相干光譜分別為:

      位置點1的相干光譜為:

      位置點2的相干光譜為:

      其中,i1(km)、i2(km)分別為位置點1、2的相干光譜,s(km)為光源光譜強度分布,a11、a12分別為位置1對應的樣品光和參考光振幅,a21、a22分別為位置2對應的樣品光和參考光振幅,km為波數(shù),n為空氣折射率,樣品面和參考面的距離用不同分辨率的兩部分表示,相鄰兩位置點1和2的相干光譜表達式中z0表示樣品面和參考面的絕對距離,其精度決定于光源的相干長度,相對于z0的具有亞相干長度分辨率的距離為kc為光源的中心波數(shù),其精度決定于光譜儀的光譜分辨率。

      假定位置點2相對于點1的微小高度增量為δz0,置點1和2的參考臂光程相等,則位置點1和2的高度差δz0為,

      公式(3)中,之差。對i1(km)和i2(km)分別進行傅立葉變換后得到相對應的復數(shù)序列f1(2nzm)和f2(2nzm),zm表示離散化的高度。因為樣品中只有樣品表面為反射面,則f1(2nzm)和f2(2nzm)的功率譜極大值對應的位置即為2nz0,因此得到兩個復數(shù)為,

      上式中星號表示復共軛,由(4)式計算出相位差即得到樣品表面的相位差分圖,不論各點的相位值大小,只要相鄰兩點在區(qū)間[-π,+π],不發(fā)生相位包裹,當相鄰兩點的相位差超過π,在相位差分圖上出現(xiàn)相位包裹,通過相位解包裹處理,消除相位差分圖上的相位包裹,再進行積分,得到樣品表面的相位分布及形貌。由于解包裹運算是在相位差分圖上進行的,因此,把相鄰兩點相位差絕對值的限制條件由目前的π擴大到2π。

      步驟s3中,根據(jù)所述的相位差獲得位置1與位置2的深度差δz具體通過以下方式獲得:

      對所述的深度差δz進行積分,得到被檢測樣品表面形貌定量分布:z=∫δz。

      以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實施例。故凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明之形狀、構(gòu)造及原理所作的等效變化,均應涵蓋于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

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