本申請(qǐng)涉及非常規(guī)油氣測(cè)井技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種致密砂巖導(dǎo)電分析方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，常規(guī)油氣資源產(chǎn)量逐年下降，非常規(guī)油氣能源的勘探開(kāi)發(fā)已引起國(guó)內(nèi)外能源界的高度重視。致密油一種重要的非常規(guī)石油資源，是我國(guó)石油儲(chǔ)量上增的主要?jiǎng)恿Α?/p>

飽和度是評(píng)價(jià)致密油氣藏資源潛力的重要參數(shù)，這一過(guò)程通常需要結(jié)合電阻率曲線、飽和度模型以及巖電實(shí)驗(yàn)完成。大量研究表明，致密油儲(chǔ)層具有復(fù)雜孔隙結(jié)構(gòu)和高含油飽和度。由于復(fù)雜孔隙結(jié)構(gòu)帶來(lái)復(fù)雜的導(dǎo)電響應(yīng)規(guī)律，因此為研究孔隙結(jié)構(gòu)對(duì)致密砂巖導(dǎo)電的影響，亟需針對(duì)不同孔隙結(jié)構(gòu)的致密砂巖導(dǎo)電數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，研究孔隙結(jié)構(gòu)參數(shù)與導(dǎo)電參數(shù)的關(guān)系。

由于用于井下致密砂巖導(dǎo)電分析的巖電實(shí)驗(yàn)通常存在驅(qū)替不足的問(wèn)題，通常巖電實(shí)驗(yàn)驅(qū)替所能達(dá)到的最大含油飽和度仍小于實(shí)際油藏含油飽和度，這給致密砂巖導(dǎo)電數(shù)據(jù)的分析造成極大的困難。

因此，現(xiàn)有技術(shù)通常采用巖電實(shí)驗(yàn)結(jié)合數(shù)值模擬的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)致密砂巖導(dǎo)電數(shù)據(jù)分析。其中，常規(guī)的數(shù)值模擬方法主要有逾滲理論、格子氣自動(dòng)機(jī)和有限元等方法。但這類數(shù)值模擬方法均存在過(guò)程復(fù)雜且運(yùn)算過(guò)程慢的問(wèn)題，不利于方法的應(yīng)用及推廣。因此，亟需一種快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行致密砂巖導(dǎo)電分析的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種致密砂巖導(dǎo)電分析方法及系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行致密砂巖導(dǎo)電分析。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種致密砂巖導(dǎo)電分析方法及系統(tǒng)是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種致密砂巖導(dǎo)電分析方法，包括：

對(duì)巖心樣品進(jìn)行巖電實(shí)驗(yàn)，獲取所述巖心樣品的物性參數(shù)和導(dǎo)電參數(shù)；

獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像，根據(jù)所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心；

根據(jù)所述三維數(shù)字巖心，獲取所述巖心樣品的孔徑分布信息；

根據(jù)所述孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)；

利用不同驅(qū)替力進(jìn)行油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)，確定不同驅(qū)替力對(duì)應(yīng)的含水飽和度和孔隙電阻。

優(yōu)選方案中，所述物性參數(shù)包括：氣測(cè)孔隙度和滲透率。

優(yōu)選方案中，所述導(dǎo)電參數(shù)包括：與不同含油飽和度分別對(duì)應(yīng)的巖石電阻率。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)三維數(shù)字巖心，獲取所述巖心樣品的孔徑分布信息，包括：

以所述三維數(shù)字巖心中任意一點(diǎn)為中心，根據(jù)初始半徑生成球體，擴(kuò)大所述球體的半徑直至所述球體的表面與所述三維數(shù)字巖心的表面相接，得到第一候選球體；

去除所述第一候選球體中完全被包含的球體，得到第二候選球體；

統(tǒng)計(jì)所述第二候選球體的半徑信息，將所述第二候選球體的半徑信息作為所述巖心樣品的孔徑分布信息。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)，包括：

按照預(yù)設(shè)規(guī)則縮小所述巖心樣品的孔徑；

設(shè)置第一迂曲度和第一直管數(shù)目，根據(jù)所述第一迂曲度生成具有原始骨架網(wǎng)格的第一盒子；

選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙；

從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型；

根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選方案中，所述預(yù)設(shè)規(guī)則包括：按照預(yù)設(shè)比例縮小所述巖心樣品的孔徑，所述預(yù)設(shè)比例符合下述公式：

其中，ri為第i個(gè)球體的孔徑，n為所述巖心樣品的孔徑個(gè)數(shù)，k為預(yù)設(shè)比例，φ為所述巖心樣品的氣測(cè)孔隙度，ε為最優(yōu)閥值。

優(yōu)選方案中，所述第一迂曲度的取值為：2-4，所述第一直管數(shù)目的取值為：0-30。

優(yōu)選方案中，所述第一盒子的體積為：1×1×τ；其中，τ為第一迂曲度。

優(yōu)選方案中，所述選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙，包括：

選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置；所述原始骨架網(wǎng)格位于所述第一盒子的底部，所述原始骨架網(wǎng)格包括τ×τ個(gè)網(wǎng)格數(shù)，其中，τ為第一迂曲度；

按照從小到大的順序選取所述縮小后的巖心樣品孔徑的球體進(jìn)行生長(zhǎng)，直至選取的球體生長(zhǎng)后距離所述第一盒子的頂面距離小于第一閾值，生長(zhǎng)完成一個(gè)直孔隙；

重復(fù)上述生長(zhǎng)步驟，直至生成的直孔隙的數(shù)量等于所述第一直管數(shù)目。

優(yōu)選方案中，所述從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型，包括：

從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置；

從剩余的所述縮小后的巖心樣品孔徑中按照巖心樣品孔徑從小到大的順序選取球體進(jìn)行生長(zhǎng)，直至選取的球體生長(zhǎng)后距離所述第一盒子的頂面距離小于所述第一閾值，生長(zhǎng)完成一個(gè)第二孔隙；

重復(fù)上述生長(zhǎng)步驟，直至選取所有球體；

對(duì)包含所述直孔隙和所述第二孔隙的第一盒子按照壓縮因子進(jìn)行壓縮，得到梯形孔隙模型。

優(yōu)選方案中，所述壓縮因子的取值范圍為：0.7-0.75。

優(yōu)選方案中，所述第一閾值等于所述縮小后的巖心樣品孔徑最小值的二分之一。

優(yōu)選方案中，所述確定孔隙電阻采用下述公式實(shí)現(xiàn)：

其中，rij為所述油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)中含各油球體的電阻值，r為所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)的電阻值，n表示直管數(shù)，m表示第i個(gè)直孔隙中球體的個(gè)數(shù)。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)，包括：利用插值算法恢復(fù)所述梯形孔隙模型中的各球體孔徑，得到所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

一種致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)，包括：巖電實(shí)驗(yàn)裝置、三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置、孔徑分布單元、梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元和導(dǎo)電分析單元；

所述巖電實(shí)驗(yàn)裝置，用于對(duì)巖心樣品進(jìn)行巖電實(shí)驗(yàn)，獲取所述巖心樣品的物性參數(shù)和導(dǎo)電參數(shù)；

所述三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置，用于獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像，根據(jù)所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心；

所述孔徑分布單元，用于根據(jù)所述三維數(shù)字巖心，獲取巖心樣品的孔徑分布信息；

所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元，用于根據(jù)所述孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)；

所述導(dǎo)電分析單元，用于利用不同驅(qū)替力進(jìn)行油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)，確定不同驅(qū)替力對(duì)應(yīng)的含水飽和度和孔隙電阻。

優(yōu)選方案中，所述三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置包括：掃描單元和構(gòu)建單元；

所述掃描單元，用于對(duì)所述巖心樣品進(jìn)行ct掃描，獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像；

所述構(gòu)建單元，用于根據(jù)所述巖心樣品的灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。

優(yōu)選方案中，所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元包括：縮放子單元、原始骨架網(wǎng)格生成子單元、直孔隙確定子單元、梯形孔隙模型確定子單元和梯形孔隙結(jié)構(gòu)確定子單元；

所述縮放子單元，用于按照預(yù)設(shè)規(guī)則縮小所述巖心樣品的孔徑；

所述原始骨架網(wǎng)格生成子單元，用于設(shè)置第一迂曲度和第一直管數(shù)目，根據(jù)所述第一迂曲度生成第一盒子，在所述第一盒子中根據(jù)所述第一直管數(shù)目生成原始骨架網(wǎng)格；

所述直孔隙確定子單元，用于選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙；

所述梯形孔隙模型確定子單元，用于從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型；

所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)確定子單元，用于根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

由以上本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案可見(jiàn)，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的致密砂巖導(dǎo)電分析方法及系統(tǒng)，可以通過(guò)梯形孔隙模擬獲得高含油飽和度下巖電數(shù)據(jù)，解決了目前巖電實(shí)驗(yàn)驅(qū)替不足的難題，可以滿足致密油測(cè)井導(dǎo)電分析的需求。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹旅苌皫r導(dǎo)電分析方法實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行致密砂巖導(dǎo)電分析。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請(qǐng)致密砂巖導(dǎo)電分析方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖；

圖2是本申請(qǐng)方法實(shí)施例中重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)步驟的子步驟的流程圖；

圖3是利用本申請(qǐng)重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)的子步驟重構(gòu)后的梯形孔隙結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4是本申請(qǐng)兩種孔隙電阻對(duì)比的示意圖；

圖5是本申請(qǐng)致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)實(shí)施例的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本申請(qǐng)系統(tǒng)實(shí)施例中三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置的一個(gè)組成示意圖；

圖7是本申請(qǐng)系統(tǒng)實(shí)施例中梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元的一個(gè)組成示意圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種致密砂巖導(dǎo)電分析方法及系統(tǒng)。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

圖1是本申請(qǐng)致密砂巖導(dǎo)電分析方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖。參照?qǐng)D1，所述致密砂巖導(dǎo)電分析方法可以包括以下步驟。

s100：對(duì)巖心樣品進(jìn)行巖電實(shí)驗(yàn)，獲取所述巖心樣品的物性參數(shù)和導(dǎo)電參數(shù)。

可以對(duì)巖心樣品進(jìn)行巖電實(shí)驗(yàn)，獲取所述巖心樣品的物性參數(shù)和導(dǎo)電參數(shù)。

所述物性參數(shù)可以包括：氣測(cè)孔隙度和滲透率。

所述導(dǎo)電參數(shù)可以包括：與不同含油飽和度分別對(duì)應(yīng)的巖石電阻率。

s200：獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像，根據(jù)所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。

可以對(duì)所述巖心樣品進(jìn)行ct掃描，獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像。所述對(duì)巖心樣品進(jìn)行ct掃描可以采用微米ct掃描儀實(shí)現(xiàn)。

可以根據(jù)所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。具體地，可以對(duì)所述灰度掃描圖像進(jìn)行濾波處理和圖像二值化處理，并根據(jù)所述處理后的灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。例如，可以利用imagej軟件對(duì)所述處理后的灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。

所述濾波處理可以降低所述灰度掃描圖像的噪聲。所述二值化處理可以提高利用所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心時(shí)的處理速度。

s300：根據(jù)所述三維數(shù)字巖心，獲取所述巖心樣品的孔徑分布信息。

可以根據(jù)所述三維數(shù)字巖心，獲取所述巖心樣品的孔徑分布信息。具體地，可以包括：以所述三維數(shù)字巖心中任意一點(diǎn)為中心，根據(jù)初始半徑生成球體，擴(kuò)大所述球體的半徑直至所述球體的表面與所述三維數(shù)字巖心的表面相接，得到第一候選球體；去除所述第一候選球體中完全被包含的球體，得到第二候選球體；統(tǒng)計(jì)所述第二候選球體的半徑信息，將所述第二候選球體的半徑信息作為所述巖心樣品的孔徑分布信息。

s400：根據(jù)所述孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

可以根據(jù)所述孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

圖2是本申請(qǐng)方法實(shí)施例中重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)步驟的子步驟的流程圖。參照?qǐng)D2，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)可以包括以下子步驟。

s401：按照預(yù)設(shè)規(guī)則縮小所述巖心樣品的孔徑。

可以按照預(yù)設(shè)規(guī)則縮小所述巖心樣品的孔徑。所述預(yù)設(shè)規(guī)則可以包括：按照預(yù)設(shè)比例縮小所述巖心樣品的孔徑。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)比例符合下述公式(1)：

公式(1)中，ri可以為第i個(gè)球體的孔徑，n可以為所述巖心樣品的孔徑個(gè)數(shù)，k可以為預(yù)設(shè)比例，φ可以為所述巖心樣品的氣測(cè)孔隙度，ε可以為最優(yōu)閥值。所述ε的取值可以根據(jù)實(shí)際試驗(yàn)效果來(lái)確定。

s402：設(shè)置第一迂曲度和第一直管數(shù)目，根據(jù)所述第一迂曲度生成具有原始骨架網(wǎng)格的第一盒子。

可以設(shè)置第一迂曲度和第一直管數(shù)目。

所述第一迂曲度的取值可以為：2-4。

所述第一直管數(shù)目的取值可以為：0-30。

根據(jù)所述第一迂曲度可以生成具有原始骨架網(wǎng)格的第一盒子。所述第一盒子的體積可以為：1×1×τ；其中，τ可以為第一迂曲度。

s403：選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙。

可以選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙。具體地，可以選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置。所述原始骨架網(wǎng)格位于所述第一盒子的底部。所述原始骨架網(wǎng)格包括τ×τ個(gè)網(wǎng)格數(shù)，其中，τ為第一迂曲度?？梢园凑諒男〉酱蟮捻樞蜻x取所述縮小后的巖心樣品孔徑的球體進(jìn)行生長(zhǎng)，直至選取的球體生長(zhǎng)后距離所述第一盒子的頂面距離小于第一閾值，生長(zhǎng)完成一個(gè)直孔隙。可以重復(fù)上述生長(zhǎng)步驟，直至生成的直孔隙的數(shù)量等于所述第一直管數(shù)目。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一閾值可以等于所述縮小后的巖心樣品孔徑最小值的二分之一。

s404：從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型。

可以從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型。具體地，從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置。從剩余的所述縮小后的巖心樣品孔徑中按照巖心樣品孔徑從小到大的順序選取球體進(jìn)行生長(zhǎng)，直至選取的球體生長(zhǎng)后距離所述第一盒子的頂面距離小于所述第一閾值，生長(zhǎng)完成一個(gè)第二孔隙。重復(fù)上述生長(zhǎng)步驟，直至選取所有球體。對(duì)包含所述直孔隙和所述第二孔隙的第一盒子按照壓縮因子進(jìn)行壓縮，得到梯形孔隙模型。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述對(duì)包含所述直孔隙和所述第二孔隙的第一盒子按照壓縮因子進(jìn)行壓縮包括：對(duì)所述包含所述直孔隙和所述第二孔隙的第一盒子按照壓縮因子進(jìn)行縱向壓縮。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述壓縮因子的取值范圍可以為：0.7-0.75。

s405：根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

可以根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)。具體可以包括：利用插值算法恢復(fù)所述梯形孔隙模型中的各球體孔徑，得到所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

所述插值算法具體可以包括分段三次埃爾米特差值算法。圖3是利用本申請(qǐng)重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)的子步驟重構(gòu)后的梯形孔隙結(jié)構(gòu)的示意圖。

s500：利用不同驅(qū)替力進(jìn)行油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)，確定不同驅(qū)替力對(duì)應(yīng)的含水飽和度和孔隙電阻。

可以利用不同驅(qū)替力進(jìn)行油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)，確定不同驅(qū)替力對(duì)應(yīng)的含水飽和度和孔隙電阻。

所述確定孔隙電阻采用下述公式(2)實(shí)現(xiàn)：

公式(2)中，rij可以為所述油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)里第i個(gè)直孔隙中第j個(gè)含油球體的電阻值，r可以為所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)的電阻值，n可以表示直管數(shù)，m可以表示第i個(gè)直孔隙中球體的個(gè)數(shù)。

可以將利用本申請(qǐng)方法實(shí)施例計(jì)算確定的不同含水飽和度對(duì)應(yīng)的孔隙電阻與利用巖電實(shí)驗(yàn)確定的不同含水飽和度對(duì)應(yīng)的孔隙電阻進(jìn)行對(duì)比。圖4是本申請(qǐng)兩種孔隙電阻對(duì)比的示意圖。圖中三角形、方形和圓形分別表示本申請(qǐng)方法實(shí)施例、現(xiàn)有技術(shù)和巖電實(shí)驗(yàn)得到的與橫坐標(biāo)含水飽和度對(duì)應(yīng)的孔隙電阻。

上述實(shí)施例提供的致密砂巖導(dǎo)電分析方法，可以通過(guò)梯形孔隙模擬獲得高含油飽和度下巖電數(shù)據(jù)，解決了目前巖電實(shí)驗(yàn)驅(qū)替不足的難題，可以滿足致密油測(cè)井導(dǎo)電分析的需求。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹旅苌皫r導(dǎo)電分析方法實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行致密砂巖導(dǎo)電分析。

本申請(qǐng)還提供一種致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)。

圖5是本申請(qǐng)致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)實(shí)施例的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D5，所述致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)可以包括：巖電實(shí)驗(yàn)裝置100、三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置200、孔徑分布單元300、梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元400和導(dǎo)電分析單元500。

所述巖電實(shí)驗(yàn)裝置100，可以用于對(duì)巖心樣品進(jìn)行巖電實(shí)驗(yàn)，獲取所述巖心樣品的物性參數(shù)和導(dǎo)電參數(shù)。

所述三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置200，可以用于獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像，根據(jù)所述灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。

所述孔徑分布單元300，可以用于根據(jù)所述三維數(shù)字巖心，獲取巖心樣品的孔徑分布信息。

所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元400，可以用于根據(jù)所述孔徑分布信息，重構(gòu)梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

所述導(dǎo)電分析單元500，可以用于利用不同驅(qū)替力進(jìn)行油驅(qū)模擬實(shí)驗(yàn)，確定不同驅(qū)替力對(duì)應(yīng)的含水飽和度和孔隙電阻。

圖6是本申請(qǐng)系統(tǒng)實(shí)施例中三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置的一個(gè)組成示意圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，參照?qǐng)D6，所述三維數(shù)字巖心構(gòu)建裝置200可以包括：掃描單元201和構(gòu)建單元202。

所述掃描單元201，可以用于對(duì)所述巖心樣品進(jìn)行ct掃描，獲取所述巖心樣品的灰度掃描圖像。

所述構(gòu)建單元202，可以用于根據(jù)所述巖心樣品的灰度掃描圖像構(gòu)建三維數(shù)字巖心。

圖7是本申請(qǐng)系統(tǒng)實(shí)施例中梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元的一個(gè)組成示意圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，參照?qǐng)D6，所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)單元400可以包括：縮放子單元401、原始骨架網(wǎng)格生成子單元402、直孔隙確定子單元403、梯形孔隙模型確定子單元404和梯形孔隙結(jié)構(gòu)確定子單元405。

所述縮放子單元401，可以用于按照預(yù)設(shè)規(guī)則縮小所述巖心樣品的孔徑。

所述原始骨架網(wǎng)格生成子單元402，可以用于設(shè)置第一迂曲度和第一直管數(shù)目，根據(jù)所述第一迂曲度生成第一盒子，在所述第一盒子中根據(jù)所述第一直管數(shù)目生成原始骨架網(wǎng)格。

所述直孔隙確定子單元403，可以用于選取所述原始骨架網(wǎng)格中第一網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，根據(jù)所述縮小后的巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，得到直孔隙。

所述梯形孔隙模型確定子單元404，可以用于從所述第一盒子中除所述直孔隙以外的剩余孔隙選取第二網(wǎng)格的中心作為開(kāi)始生長(zhǎng)位置，對(duì)所述巖心樣品的孔徑進(jìn)行生長(zhǎng)，形成梯形孔隙模型。

所述梯形孔隙結(jié)構(gòu)確定子單元405，可以用于根據(jù)所述梯形孔隙模型確定梯形孔隙結(jié)構(gòu)。

上述實(shí)施例提供的致密砂巖導(dǎo)電分析系統(tǒng)與本申請(qǐng)致密砂巖導(dǎo)電分析方法實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)的方法實(shí)施例，并取得本申請(qǐng)方法實(shí)施例的技術(shù)效果。

在20世紀(jì)90年代，對(duì)于一個(gè)技術(shù)的改進(jìn)可以很明顯地區(qū)分是硬件上的改進(jìn)(例如，對(duì)二極管、晶體管、開(kāi)關(guān)等電路結(jié)構(gòu)的改進(jìn))還是軟件上的改進(jìn)(對(duì)于方法流程的改進(jìn))。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)今的很多方法流程的改進(jìn)已經(jīng)可以視為硬件電路結(jié)構(gòu)的直接改進(jìn)。設(shè)計(jì)人員幾乎都通過(guò)將改進(jìn)的方法流程編程到硬件電路中來(lái)得到相應(yīng)的硬件電路結(jié)構(gòu)。因此，不能說(shuō)一個(gè)方法流程的改進(jìn)就不能用硬件實(shí)體模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，可編程邏輯器件(programmablelogicdevice,pld)(例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga))就是這樣一種集成電路，其邏輯功能由用戶對(duì)器件編程來(lái)確定。由設(shè)計(jì)人員自行編程來(lái)把一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)“集成”在一片pld上，而不需要請(qǐng)芯片制造廠商來(lái)設(shè)計(jì)和制作專用的集成電路芯片2。而且，如今，取代手工地制作集成電路芯片，這種編程也多半改用“邏輯編譯器(logiccompiler)”軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，它與程序開(kāi)發(fā)撰寫(xiě)時(shí)所用的軟件編譯器相類似，而要編譯之前的原始代碼也得用特定的編程語(yǔ)言來(lái)撰寫(xiě)，此稱之為硬件描述語(yǔ)言(hardwaredescriptionlanguage，hdl)，而hdl也并非僅有一種，而是有許多種，如abel(advancedbooleanexpressionlanguage)、ahdl(alterahardwaredescriptionlanguage)、confluence、cupl(cornelluniversityprogramminglanguage)、hdcal、jhdl(javahardwaredescriptionlanguage)、lava、lola、myhdl、palasm、rhdl(rubyhardwaredescriptionlanguage)等，目前最普遍使用的是vhdl(very-high-speedintegratedcircuithardwaredescriptionlanguage)與verilog2。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該清楚，只需要將方法流程用上述幾種硬件描述語(yǔ)言稍作邏輯編程并編程到集成電路中，就可以很容易得到實(shí)現(xiàn)該邏輯方法流程的硬件電路。

控制器可以按任何適當(dāng)?shù)姆绞綄?shí)現(xiàn)，例如，控制器可以采取例如微處理器或處理器以及存儲(chǔ)可由該(微)處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼(例如軟件或固件)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)、邏輯門(mén)、開(kāi)關(guān)、專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：arc625d、atmelat91sam、microchippic18f26k20以及siliconelabsc8051f320，存儲(chǔ)器控制器還可以被實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)器的控制邏輯的一部分。

本領(lǐng)域技術(shù)人員也知道，除了以純計(jì)算機(jī)可讀程序代碼方式實(shí)現(xiàn)控制器以外，完全可以通過(guò)將方法步驟進(jìn)行邏輯編程來(lái)使得控制器以邏輯門(mén)、開(kāi)關(guān)、專用集成電路、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器等的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)相同功能。因此這種控制器可以被認(rèn)為是一種硬件部件，而對(duì)其內(nèi)包括的用于實(shí)現(xiàn)各種功能的裝置也可以視為硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)?；蛘呱踔?，可以將用于實(shí)現(xiàn)各種功能的裝置視為既可以是實(shí)現(xiàn)方法的軟件模塊又可以是硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

上述實(shí)施例闡明的系統(tǒng)、裝置、模塊或單元，具體可以由計(jì)算機(jī)芯片或?qū)嶓w實(shí)現(xiàn)，或者由具有某種功能的產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)。

為了描述的方便，描述以上裝置時(shí)以功能分為各種單元分別描述。當(dāng)然，在實(shí)施本申請(qǐng)時(shí)可以把各單元的功能在同一個(gè)或多個(gè)軟件和/或硬件中實(shí)現(xiàn)。

通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述可知，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本申請(qǐng)可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)?；谶@樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，在一個(gè)典型的配置中，計(jì)算設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)處理器(cpu)、輸入/輸出接口、網(wǎng)絡(luò)接口和內(nèi)存。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在內(nèi)存中，內(nèi)存可能包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的非永久性存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)和/或非易失性內(nèi)存等形式，如只讀存儲(chǔ)器(rom)或閃存(flashram)。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括永久性和非永久性、可移動(dòng)和非可移動(dòng)媒體可以由任何方法或技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。信息可以是計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序的模塊或其他數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)的例子包括，但不限于相變內(nèi)存(pram)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、其他類型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、只讀存儲(chǔ)器(rom)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)、快閃記憶體或其他內(nèi)存技術(shù)、只讀光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)、數(shù)字多功能光盤(pán)(dvd)或其他光學(xué)存儲(chǔ)、磁盒式磁帶，磁帶磁磁盤(pán)存儲(chǔ)或其他磁性存儲(chǔ)設(shè)備或任何其他非傳輸介質(zhì)，可用于存儲(chǔ)可以被計(jì)算設(shè)備訪問(wèn)的信息。按照本文中的界定，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)不包括短暫電腦可讀媒體(transitorymedia)，如調(diào)制的數(shù)據(jù)信號(hào)和載波。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。

本申請(qǐng)可用于眾多通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算機(jī)系統(tǒng)環(huán)境或配置中。例如：個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備或便攜式設(shè)備、平板型設(shè)備、多處理器系統(tǒng)、基于微處理器的系統(tǒng)、置頂盒、可編程的消費(fèi)電子設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)pc、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、包括以上任何系統(tǒng)或設(shè)備的分布式計(jì)算環(huán)境等等。

本申請(qǐng)可以在由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對(duì)象、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等等。也可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)踐本申請(qǐng)，在這些分布式計(jì)算環(huán)境中，由通過(guò)通信網(wǎng)絡(luò)而被連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備來(lái)執(zhí)行任務(wù)。在分布式計(jì)算環(huán)境中，程序模塊可以位于包括存儲(chǔ)設(shè)備在內(nèi)的本地和遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)中。

雖然通過(guò)實(shí)施例描繪了本申請(qǐng)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本申請(qǐng)有許多變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神，希望所附的權(quán)利要求包括這些變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神。