本發(fā)明涉及檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片溫度檢測裝置及方法。

背景技術(shù)：

根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)gjb2438a-2002混合集成電路通用規(guī)范的規(guī)定，集成電路需進(jìn)行高、低溫測試，這是因?yàn)橛捎诩呻娐匪骷加幸粋€正常工作溫度范圍，而集成電路的工作溫度范圍受這些元器件工作溫度范圍限制，因此，測量集成電路的工作溫度范圍對其應(yīng)用來說十分必要，也因此，對集成電路進(jìn)行高、低溫測試來判斷其正常工作溫度范圍就變得尤為重要。然而，常規(guī)的紅外測溫和點(diǎn)式測溫都只能測量電路板或者集成電路封裝模塊外部的溫度，不能監(jiān)測到內(nèi)部封裝的芯片的溫度。而封裝芯片的實(shí)時溫度對硬件電路設(shè)計(jì)人員判斷芯片是否因過熱而失效具有重要的實(shí)際意義。目前，尚未出現(xiàn)一種簡單有效的對封裝芯片的溫度進(jìn)行監(jiān)測的方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種芯片溫度檢測裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)不能監(jiān)測到封裝芯片內(nèi)部的溫度的技術(shù)問題。

本發(fā)明一方面提供了一種芯片溫度檢測裝置，包括：檢測單元和處理器，所述檢測單元與所述處理器連接；檢測單元，用于檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，并向所述處理器發(fā)送所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流；處理器，用于根據(jù)接收到的檢測單元發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度。

可選地，所述處理器進(jìn)一步用于：根據(jù)預(yù)先獲得的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及接收到的檢測單元發(fā)送的所述二極管兩端的壓降確定所述被測芯片的溫度；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及接收到的檢測單元發(fā)送的流過所述二極管的電流確定所述被測芯片的溫度。

可選地，所述被測芯片為一塊芯片或并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片。

可選地，所述處理器利用如下關(guān)系式計(jì)算所述被測芯片的溫度：

其中，t為被測芯片的溫度，v為二極管兩端的壓降，k為二極管pn結(jié)幾何尺寸因子，vg0為絕對0℃下的材料能帶寬度，q為電子電量，k為玻爾茲曼常數(shù)，n為被測芯片的芯片數(shù)量。

可選地，所述處理器進(jìn)一步用于：根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

可選地，所述裝置還包括：與所述處理器連接的輸出終端；所述處理器進(jìn)一步用于向所述輸出終端實(shí)時發(fā)送所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度；所述輸出終端，用于根據(jù)接收到的所述處理器發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線。

可選地，所述輸出終端進(jìn)一步用于：根據(jù)生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，確定所述被測芯片是否出現(xiàn)性能異常。

可選地，所述裝置還包括：溫箱，用于為所述被測芯片提供預(yù)定溫度。

可選地，所述預(yù)定溫度通過輸出終端進(jìn)行顯示。

可選地，所述檢測單元在檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓和流過所述二極管的電流時，所述被測芯片的電源引腳接地，所述檢測單元連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳。

可選地，所述檢測單元，包括：參考電壓提供單元，用于通過所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，向所述被測芯片的esd保護(hù)電路輸入電壓信號，為所述被測芯片的esd保護(hù)電路提供參考電壓；電壓檢測單元，一端連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，另一端接地，用于檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降；和/或，電流檢測單元，連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，用于檢測流過所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流。

本發(fā)明又一方面提供了一種芯片溫度的檢測方法，包括：檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流；根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度。

可選地，根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度，包括：根據(jù)預(yù)先獲得的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及檢測到的所述二極管兩端的壓降確定所述被測芯片的溫度；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及檢測到的流過所述二極管的電流確定所述被測芯片的溫度。

可選地，所述被測芯片為一塊芯片或并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片。

可選地根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度，包括：根據(jù)所述二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度利用如下關(guān)系式計(jì)算所述被測芯片的溫度：

其中，t為被測芯片的溫度，v為二極管兩端的壓降，k為二極管pn結(jié)幾何尺寸因子，vg0為絕對0℃下的材料能帶寬度，q為電子電量，k為玻爾茲曼常數(shù)，n為被測芯片的芯片數(shù)量。

可選地，所述方法還包括：根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

可選地，所述方法還包括：根據(jù)接收到的所述處理器發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線。

可選地，所述方法還包括：根據(jù)生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，確定所述被測芯片是否出現(xiàn)性能異常。

可選地，所述方法還包括：為所述被測芯片提供預(yù)定溫度。

可選地，所述方法還包括：顯示所述預(yù)定溫度。

可選地，將所述被測芯片的電源引腳接地，通過所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓和/或流過所述二極管的電流。

可選地，檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，包括：向所述被測芯片的esd保護(hù)電路輸入電壓信號，為所述被測芯片的esd保護(hù)電路提供參考電壓；檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降；和/或，檢測流過所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流。

本發(fā)明提供的方案，通過檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流，從而根據(jù)二極管兩端的壓降與流過所述二極管的電流獲得到被測芯片的溫度；并且，本發(fā)明通過被測芯片的信號引腳對芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和流過二極管的電流進(jìn)行檢測，能夠?qū)崿F(xiàn)對封裝芯片內(nèi)部溫度的監(jiān)測；另外，本發(fā)明提供的方案能夠根據(jù)被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端壓降和/或流過所述二極管的電流以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)，從而便于在分析電路故障時快速確定或排除封裝芯片因溫度過高而導(dǎo)致的失效。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2是esd保護(hù)電路的一個示例；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個具體實(shí)施方式的檢測單元的結(jié)構(gòu)框圖；

圖4是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖5是二極管兩端的壓降與被測芯片的溫度的關(guān)系曲線的一個示例圖；

圖6是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖7是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的一實(shí)施例的方法示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的步驟的具體流程圖；

圖9是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的另一實(shí)施例的方法示意圖；

圖10是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的又一實(shí)施例的方法示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

圖1是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的芯片溫度檢測裝置100包括檢測單元110、處理器120，所述檢測單元110與所述處理器120連接。

檢測單元110用于檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，并向所述處理器120發(fā)送所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流。處理器120用于根據(jù)接收到的檢測單元發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度。

集成電路的芯片是靜電敏感器件，因此一般的芯片對外引腳端均有esd保護(hù)電路(靜電保護(hù)電路)，esd保護(hù)電路一般與芯片一起被封裝在集成電路封裝模塊內(nèi)，并具有相應(yīng)的對外引腳。圖2是芯片的esd保護(hù)電路的一個示例。如圖2所示，d1、d2為二極管，c為電容器，r為電阻器，l為電感，vp是施加到二極管的正電壓，vn是施加到二極管的負(fù)電壓，vcc是芯片的電源引腳，gnd為芯片的接地引腳。

esd保護(hù)電路中一般都包括二極管，在esd保護(hù)電路中，二極管pn結(jié)兩端的正向壓降v和流過的電流i之間的關(guān)系式為：

式中，is為二極管的反向飽和電流，q為電子電量，k為玻爾茲曼常數(shù)，t為熱力學(xué)溫度，表示二極管所處環(huán)境的溫度，可近似看做被測芯片的溫度。

被測芯片esd保護(hù)電路中的二極管的反向飽和電流is是一個與被測芯片的溫度t相關(guān)的函數(shù)，可以近似為：

式(2)中，k表示二極管pn結(jié)幾何尺寸的因子，r表示少數(shù)載流子單位時間內(nèi)的移動數(shù)量，vg0表示在絕對0℃下的材料能帶寬度。

由式(1)和式(2)可得到二極管pn結(jié)兩端正向壓降v與被測芯片溫度t、電流i的關(guān)系式為：

式(3)中，由于rlnt很小可忽略掉，因此，可以得到：

根據(jù)上述關(guān)系式(4)可以看出芯片的esd保護(hù)電路中二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流，均與芯片的溫度存在一定的關(guān)系，因此可以通過檢測被測芯片中的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，并根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取被測芯片的溫度。

在監(jiān)測所述被測芯片的溫度時，將所述被測芯片的電源引腳接地，檢測單元110在檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓和流過所述二極管的電流時，連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳(所述信號引腳在被測芯片的封裝模塊的外部)，例如在圖2中，與esd保護(hù)電路中兩個二極管中間引出的信號引腳連接。所述被測芯片可以為一塊芯片或并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片。若為并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片，則所述至少兩塊芯片被封裝在同一個封裝模塊內(nèi)。

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個具體實(shí)施方式的檢測單元110的結(jié)構(gòu)框圖。如圖3所示，所述檢測單元110具體包括參考電壓提供單元111、電壓檢測單元112和/或電流檢測單元113。

參考電壓提供單元111用于通過所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，向所述被測芯片的esd保護(hù)電路輸入電壓信號，為所述被測芯片的esd保護(hù)電路提供參考電壓；電壓檢測單元112，一端連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，另一端接地，用于檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降；電流檢測單元113，連接所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，用于檢測流過所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流。

具體地，參考電壓提供單元111在與所述被測芯片連接的信號引腳(所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳，即所述esd保護(hù)電路對應(yīng)的信號引腳)端輸入?yún)⒖茧妷?可如圖2所示)并提供電流。所述電壓檢測單元112具體可以為電壓傳感器。優(yōu)選地，所述電壓檢測單元112為ad采樣電路或ad采樣芯片，對所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓信號進(jìn)行ad采樣，以得到所述二極管兩端的壓降(數(shù)字量)。所述電流檢測單元113具體可以為電流傳感器。

處理器120根據(jù)接收到的檢測單元110發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度。

在一種具體實(shí)施方式中，處理器120根據(jù)預(yù)先獲得的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及接收到的檢測單元110發(fā)送的所述二極管兩端的壓降確定所述被測芯片的溫度。

其中，所述二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系可以為：根據(jù)多次檢測得到的(與被測芯片相同的)芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和對應(yīng)的芯片溫度生成的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系表，或者，根據(jù)多次檢測得到的(與被測芯片相同的)芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和對應(yīng)的芯片溫度進(jìn)行線性擬合生成的二極管兩端壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線。處理器120根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線，以及檢測單元110檢測到的被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降，查找檢測到的被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降在所述對應(yīng)關(guān)系表中或?qū)?yīng)關(guān)系曲線上對應(yīng)的芯片溫度，作為所述被測芯片的溫度。

在另一種具體實(shí)施方式中，處理器120根據(jù)預(yù)先獲得的流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及接收到的檢測單元110發(fā)送的流過所述二極管的電流確定所述被測芯片的溫度。

其中，所述流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系可以為：根據(jù)多次檢測得到的流過(與被測芯片相同的)芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流和對應(yīng)的芯片溫度生成的流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系表，或者，根據(jù)多次檢測得到的流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流和對應(yīng)的芯片溫度進(jìn)行線性擬合生成的流過二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線。處理器120根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線，以及檢測單元110檢測到的流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流，查找檢測到的流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流在所述對應(yīng)關(guān)系表中或?qū)?yīng)關(guān)系曲線上對應(yīng)的芯片溫度，作為所述被測芯片的溫度。

在又一種具體實(shí)施方式中，處理器120根據(jù)接收到的檢測單元110發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流計(jì)算所述被測芯片的溫度。

所述被測芯片可以為一塊芯片或并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片(例如，多塊相同的芯片封裝在一起)。若被測芯片為一塊芯片，則可以利用上述關(guān)系式(4)計(jì)算被測芯片的溫度。若所述被測芯片為并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片，則上述關(guān)系式(2)變?yōu)椋?/p>

式中，n為芯片數(shù)量，則上述關(guān)系式(3)變?yōu)?

式(3′)中，由于rlnt很小可忽略掉，因此，可以得到：

可見，在式(4′)中，當(dāng)被測芯片的芯片數(shù)量n＝1時，式(4′)與式(4)相同，因此，無論被測芯片為一塊芯片或是并聯(lián)在一起的多塊芯片均可利用關(guān)系式(4′)計(jì)算被測芯片的溫度。處理器120對式(4′)進(jìn)行編譯，以根據(jù)所述二極管兩端的壓降v和流過的電流i計(jì)算被測芯片的溫度t。

所述處理器120具體可以為數(shù)字信號處理器。在一種具體實(shí)施方式中，若接收到的所述檢測單元發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流為模擬量，則所述處理器120對所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的模擬量進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以得到所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的數(shù)字量；根據(jù)所述二極管兩端的壓降的數(shù)字量和/或流過所述二極管的電流的數(shù)字量獲取所述被測芯片的溫度。例如，若所述電壓檢測單元112為ad采樣電路或ad采樣芯片，則檢測到的所述二極管兩端的壓降為數(shù)字量，則不需要進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。

進(jìn)一步地，所述處理器120根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)，具體可以包括以下實(shí)現(xiàn)方式：

(1)所述處理器120根據(jù)所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

在一種具體實(shí)施方式中，所述處理器120根據(jù)所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度、以及預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系(包括對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線)，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

更具體地，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系，確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的第一壓降，并根據(jù)所述第一壓降確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的(被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降)的特定電壓范圍，判斷所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降是否在所述特定電壓范圍內(nèi)；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降對應(yīng)的第一溫度，并根據(jù)所述第一溫度確定所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降對應(yīng)的(被測芯片溫度)的第一特定溫度范圍，判斷所述被測芯片的溫度是否在所述第一特定溫度范圍內(nèi)。

(2)所述處理器120根據(jù)流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度，判斷流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

在一種具體實(shí)施方式中，所述處理器120根據(jù)流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度、以及預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系(包括對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線)，判斷流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

更具體地，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的第一電流，并根據(jù)所述第一電流確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的(流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流)的特定電流范圍，判斷流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的電流是否在所述特定電流范圍內(nèi)；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管的電流對應(yīng)的第二溫度，并根據(jù)所述第二溫度確定流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的電流對應(yīng)的(被測芯片溫度)的第二特定溫度范圍，判斷所述被測芯片的溫度是否在所述第二特定溫度范圍內(nèi)。

圖4是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。如圖4所示，基于上述任意實(shí)施例，該裝置100還包括與所述處理器120連接的輸出終端130。

所述處理器120將所述二極管兩端的壓降和/或所述被測芯片的溫度向所述輸出終端130發(fā)送。所述輸出終端130根據(jù)接收到的所述處理器120發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，并顯示。

其中，所述輸出終端130具體可以為計(jì)算機(jī)，通過usb接口和串行接口與所述處理器120的總線擴(kuò)展接口連接，從而接收處理器120發(fā)送的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流。具體地，所述輸出終端130利用具有數(shù)據(jù)線性擬合功能的軟件(例如，matlab軟件)，對所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度進(jìn)行線性擬合，和/或流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度進(jìn)行線性擬合，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，并顯示。可參考圖5所示，圖5為二極管兩端的壓降與被測芯片的溫度的關(guān)系曲線的一個示例圖。

進(jìn)一步地，所述輸出終端130根據(jù)生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，確定所述被測芯片是否出現(xiàn)性能異常。其中，被測芯片出現(xiàn)性能異常的情況例如包括芯片因工作溫度過高導(dǎo)致失效，從而使得實(shí)際測量的得到的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流和/或所述被測芯片的溫度與被測芯片正常工作狀態(tài)不吻合。

具體而言，將生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，與預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行比較，確定生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線是否偏離(例如，可根據(jù)兩曲線上相同橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)的點(diǎn)的距離是否達(dá)到預(yù)定距離閾值確定是否偏離)所述理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線，若是，則確定所述被測芯片出現(xiàn)性能異常。

和/或，將生成的流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線與預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行比較，確定生成的流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線是否偏離(例如，可根據(jù)兩曲線上相同橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)的點(diǎn)的距離是否達(dá)到預(yù)定距離閾值確定是否偏離)所述理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線，若是，則確定所述被測芯片出現(xiàn)性能異常。

圖6是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測裝置的又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。如圖6所示，基于上述任意實(shí)施例，所述裝置100還包括溫箱101，用于為所述被測芯片提供預(yù)定溫度。

具體地，將所述被測芯片放置在溫箱101中一段時間，以使得所述被測芯片達(dá)到預(yù)定溫度，再進(jìn)行被測芯片溫度的檢測，從而分析被測芯片工作性能是否異常。所述溫箱可以為高低溫箱或恒溫箱。

進(jìn)一步地，所述預(yù)定溫度通過輸出終端進(jìn)行顯示。具體地，可通過所述輸出終端130顯示所述預(yù)定溫度。所述輸出終端130與所述溫箱101連接并通信，以獲取所述溫箱101為所述被測芯片提供的預(yù)定溫度，并顯示所述預(yù)定溫度。從而，根據(jù)所述預(yù)定溫度與檢測到的所述被測芯片的溫度的差值是否小于預(yù)定閾值(例如3℃)，確定檢測到的被測芯片的溫度是否準(zhǔn)確。

圖7是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的一實(shí)施例的方法示意圖。

如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的芯片溫度檢測方法包括步驟s110和步驟s120。

步驟s110，檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流。

具體地，檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，將所述被測芯片的電源引腳接地，通過所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳(所述信號引腳在被測芯片的封裝模塊的外部)，檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓和/或流過所述二極管的電流。例如在圖2中，通過與esd保護(hù)電路中兩個二極管中間引出的信號引腳檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓和/或流過所述二極管的電流。

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的步驟的具體流程圖。如圖8所示，步驟s110具體可以包括步驟s111、步驟s112和/或步驟s113。

步驟s111，向所述被測芯片的esd保護(hù)電路輸入電壓信號，為所述被測芯片的esd保護(hù)電路提供參考電壓。

具體而言，通過所述被測芯片與所述esd保護(hù)電路相連所引出的信號引腳(所述esd保護(hù)電路對應(yīng)的信號引腳)，向所述被測芯片的esd保護(hù)電路輸入?yún)⒖茧妷?可如圖2所示，在被測芯片esd保護(hù)電路對應(yīng)的信號引腳輸入?yún)⒖茧妷?。

步驟s112，檢測所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降。

具體地，可以利用電壓傳感器檢測所述二極管兩端的壓降。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，利用ad采樣電路或ad采樣芯片對所被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的電壓信號進(jìn)行ad采樣以得到所述二極管兩端的壓降，其中通過ad采樣檢測到的所述二極管兩端的壓降為數(shù)字量。

步驟s113，檢測流過所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流。在一種具體實(shí)施方式中，利用電流傳感器檢測流過所述二極管的電流。

在步驟s110中檢測得到被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流執(zhí)行步驟s120。

步驟s120，根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取所述被測芯片的溫度。

集成電路的芯片是靜電敏感器件，因此一般的芯片對外引腳端均有esd保護(hù)電路(靜電保護(hù)電路)，esd保護(hù)電路一般與芯片一起被封裝在集成電路封裝模塊內(nèi)，并具有相應(yīng)的對外引腳。圖2是esd保護(hù)電路的一個示例。如圖2所示，d1、d2為二極管，c為電容器，r為電阻器，l為電感，vp是施加到二極管的正電壓，vn是施加到二極管的負(fù)電壓，vcc是芯片的電源引腳，gnd為芯片的接地引腳。

esd保護(hù)電路中一般都包括二極管，在esd保護(hù)電路中，二極管pn結(jié)兩端的正向壓降v和流過的電流i之間的關(guān)系式為：

式中，is為二極管的反向飽和電流，q為電子電量，k為玻爾茲曼常數(shù)，t為熱力學(xué)溫度，表示二極管所處的環(huán)境的溫度，可近似看做被測芯片的溫度。

被測芯片esd保護(hù)電路中的二極管的反向飽和電流is是一個與被測芯片的溫度t相關(guān)的函數(shù)，可以近似為：

式(2)中，k表示二極管pn結(jié)幾何尺寸的因子，r表示少數(shù)載流子單位時間內(nèi)的移動數(shù)量，vg0表示在絕對0℃下的材料能帶寬度。

由式(1)和式(2)可得到二極管pn結(jié)兩端正向壓降v與被測芯片溫度t、電流i的關(guān)系式為：

式(3)中，由于rlnt很小可忽略掉，因此，可以得到：

因此，根據(jù)上述關(guān)系式(4)，可以看出芯片的esd保護(hù)電路中二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流，均與芯片的溫度存在一定的關(guān)系，因此可以通過檢測被測芯片中的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流，并根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流獲取被測芯片的溫度。

在一種具體實(shí)施方式中，根據(jù)預(yù)先獲得的芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及檢測到的所述二極管兩端的壓降確定所述被測芯片的溫度。

其中，所述芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系可以為：根據(jù)多次檢測得到的芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和對應(yīng)的芯片溫度生成的芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系表，或者，根據(jù)多次檢測得到的芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和對應(yīng)的芯片溫度進(jìn)行線性擬合生成的芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線。根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線，以及檢測到的所述被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降，查找檢測到的被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降在所述對應(yīng)關(guān)系表中或?qū)?yīng)關(guān)系曲線上對應(yīng)的芯片溫度，作為所述被測芯片的溫度。

在另一種具體實(shí)施方式中，根據(jù)預(yù)先獲得的流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系以及檢測到的流過所述二極管的電流確定所述被測芯片的溫度。

其中，所述流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系可以為：根據(jù)多次檢測得到的流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流和對應(yīng)的芯片溫度生成的流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系表，或者，根據(jù)多次檢測得到的流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流和對應(yīng)的芯片溫度進(jìn)行線性擬合生成的流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線。根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線，以及檢測到的流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流，查找檢測到的流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流在所述對應(yīng)關(guān)系表中或?qū)?yīng)關(guān)系曲線上對應(yīng)的芯片溫度，作為所述被測芯片的溫度。

在又一種具體實(shí)施方式中，根據(jù)所述二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流計(jì)算所述被測芯片的溫度。

所述被測芯片可以為一塊芯片或并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片。若為并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片，則所述至少兩塊芯片被封裝在同一個封裝模塊內(nèi)。具體地，被測芯片為一塊芯片的情況，可根據(jù)所述二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流利用上述關(guān)系式(4)計(jì)算被測芯片的溫度。若所述被測芯片為并聯(lián)在一起的至少兩塊芯片，則上述關(guān)系式(2)變?yōu)椋?/p>

式中，n為芯片數(shù)量，則上述關(guān)系式(3)變?yōu)?

式(3′)中，由于rlnt很小可忽略掉，因此，可以得到：

可見，在式(4′)中，當(dāng)被測芯片的芯片數(shù)量n＝1時，式(4′)與式(4)相同，因此，無論被測芯片為一塊芯片或是并聯(lián)在一起的多塊芯片均可利用關(guān)系式(4′)計(jì)算被測芯片的溫度。

在一種具體實(shí)施方式中，若檢測到的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流為模擬量，則先對所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的模擬量進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以得到所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流的數(shù)字量；再根據(jù)所述二極管兩端的壓降的數(shù)字量和/或流過所述二極管的電流的數(shù)字量獲取所述被測芯片的溫度。例如，若所述二極管兩端的壓降的檢測采用ad采樣電路或ad采樣芯片，則檢測到的所述二極管兩端的壓降為數(shù)字量，則不需要進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。

進(jìn)一步地，該方法還包括：根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)，具體可以包括以下實(shí)現(xiàn)方式：

(1)根據(jù)所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

在一種具體實(shí)施方式中，根據(jù)所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度、以及預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系(包括對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線)，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

更具體地，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系，確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的第一壓降，并根據(jù)所述第一壓降確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的(被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降)的特定電壓范圍，判斷所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降是否在所述特定電壓范圍內(nèi)；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降對應(yīng)的第一溫度，并根據(jù)所述第一溫度確定所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的壓降對應(yīng)的(被測芯片溫度)的第一特定溫度范圍，判斷所述被測芯片的溫度是否在所述第一特定溫度范圍內(nèi)。

(2)根據(jù)流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度，判斷流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

在一種具體實(shí)施方式中，根據(jù)流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度、以及預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)流過芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系(包括對應(yīng)關(guān)系表或?qū)?yīng)關(guān)系曲線)，判斷流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)。

更具體地，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的第一電流，并根據(jù)所述第一電流確定所述被測芯片的溫度對應(yīng)的(流過被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管的電流)的特定電流范圍，判斷流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的電流是否在所述特定電流范圍內(nèi)；或者，根據(jù)預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系確定流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管的電流對應(yīng)的第二溫度，并根據(jù)所述第二溫度確定流過所述(被測芯片的esd保護(hù)電路中的)二極管兩端的電流對應(yīng)的(被測芯片溫度)的第二特定溫度范圍，判斷所述被測芯片的溫度是否在所述第二特定溫度范圍內(nèi)。

圖9是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的另一實(shí)施例的方法示意圖。如圖9所示，基于上述任意實(shí)施例，所述芯片溫度檢測方法還包括步驟s130。

步驟s130，根據(jù)所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流、以及所述被測芯片的溫度，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，并顯示。

具體地，可利用具有數(shù)據(jù)線性擬合功能的軟件(例如，matlab軟件)，對所述二極管兩端的壓降和所述被測芯片的溫度進(jìn)行線性擬合，和/或流過所述二極管的電流和所述被測芯片的溫度進(jìn)行線性擬合，生成所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，并顯示。如圖5所示，圖5為二極管兩端的壓降與被測芯片的溫度的關(guān)系曲線的一個示例圖。

基于上述實(shí)施例，該芯片溫度檢測方法還進(jìn)一步包括：根據(jù)生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線和/或流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，確定所述被測芯片是否出現(xiàn)性能異常。其中，被測芯片出現(xiàn)性能異常的情況例如包括芯片因工作溫度過高導(dǎo)致失效，從而使得實(shí)際測量的得到的所述二極管兩端的壓降和/或流過所述二極管的電流和/或所述被測芯片的溫度與被測芯片正常工作狀態(tài)不吻合。

具體而言，將生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線，與預(yù)先獲得的理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行比較，確定生成的所述二極管兩端的壓降與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線是否偏離(例如，可根據(jù)兩曲線上相同橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)的點(diǎn)的距離是否達(dá)到預(yù)定距離閾值確定是否偏離)所述理想情況下(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線，若是，則確定所述被測芯片出現(xiàn)性能異常。

和/或，將生成的流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線與預(yù)先獲得的理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行比較，確定生成的流過所述二極管的電流與所述被測芯片的溫度的關(guān)系曲線是否偏離(例如，可根據(jù)兩曲線上相同橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)的點(diǎn)的距離是否達(dá)到預(yù)定距離閾值確定是否偏離)所述理想情況下流過(與被測芯片相同的)芯片esd保護(hù)電路中的二極管的電流與芯片溫度的對應(yīng)關(guān)系曲線，若是，則確定所述被測芯片出現(xiàn)性能異常。

圖10是本發(fā)明提供的芯片溫度檢測方法的又一實(shí)施例的方法示意圖。如圖10所示，基于上述任意實(shí)施例，該芯片溫度檢測方法還包括步驟s101。

步驟s101，為所述被測芯片提供預(yù)定溫度。

具體地，可以將所述被測芯片放置于溫箱中一段時間，以使得所述被測芯片達(dá)到預(yù)定溫度，再進(jìn)行芯片溫度的檢測。所述溫箱例如，高低溫箱或恒溫箱。

進(jìn)一步地，基于上述實(shí)施例，該芯片溫度檢測方法還包括：顯示所述預(yù)定溫度。從而，根據(jù)所述預(yù)定溫度與檢測到的所述被測芯片的溫度的差值是否小于預(yù)定閾值(例如3℃)，確定檢測到的被測芯片的溫度是否準(zhǔn)確。

本發(fā)明提供的方案，通過檢測被測芯片的esd保護(hù)電路中二極管兩端的壓降和流過所述二極管的電流，從而根據(jù)所述二極管兩端的壓降與流過所述二極管的電流計(jì)算得到被測芯片的溫度；并且，本發(fā)明通過被測芯片的信號引腳對芯片esd保護(hù)電路中的二極管兩端的壓降和流過二極管的電流進(jìn)行檢測，能夠?qū)崿F(xiàn)對封裝芯片內(nèi)部溫度的監(jiān)測；另外，本發(fā)明提供的方案能夠根據(jù)被測芯片的esd保護(hù)電路中的二極管兩端壓降和/或流過所述二極管的電流以及所述被測芯片的溫度，判斷所述二極管兩端的壓降是否在特定電壓范圍內(nèi)和/或流過所述二極管的電流是否在特定電流范圍內(nèi)和/或所述被測芯片的溫度是否在特定溫度范圍內(nèi)，從而便于在分析電路故障時快速確定或排除封裝芯片因溫度過高而導(dǎo)致的失效。

本文中所描述的功能可在硬件、由處理器執(zhí)行的軟件、固件或其任何組合中實(shí)施。如果在由處理器執(zhí)行的軟件中實(shí)施，那么可將功能作為一或多個指令或代碼存儲于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體予以傳輸。其它實(shí)例及實(shí)施方案在本發(fā)明及所附權(quán)利要求書的范圍及精神內(nèi)。舉例來說，歸因于軟件的性質(zhì)，上文所描述的功能可使用由處理器、硬件、固件、硬連線或這些中的任何者的組合執(zhí)行的軟件實(shí)施。此外，各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。

在本申請所提供的幾個實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為控制裝置的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：u盤、只讀存儲器(rom，read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲器(ram，randomaccessmemory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。