本發(fā)明涉及芯片走線的靜電釋放能力，尤其涉及一種分析芯片走線的靜電釋放能力方法。

背景技術(shù)：

靜電對(duì)pcb板上的芯片可以產(chǎn)生三個(gè)危害：①吸引或排斥(吸附灰塵)；②與大地有電位差(可高達(dá)幾萬(wàn)伏特，造成半導(dǎo)體器件的介質(zhì)擊穿)；③會(huì)產(chǎn)生放電電流：靜電的能量雖然較小，但是放電過(guò)程十分短暫，往往是一瞬間就完成，只能提供爆炸性的擊穿能量，會(huì)產(chǎn)生極大的破壞力。靜電釋放(electro-staticdischarge，esd)就是預(yù)防靜電的產(chǎn)生或者消除產(chǎn)生的靜電，以保護(hù)設(shè)備正常工作。esd問(wèn)題是芯片級(jí)別和pcb板級(jí)別的業(yè)界難題，現(xiàn)有技術(shù)中，大多是采用裝置來(lái)避免靜電的產(chǎn)生或者消除產(chǎn)生的靜電，但是還沒(méi)有提供分析芯片走線的esd的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)目前還未提供分析芯片走線esd的方法，本發(fā)明提供一種分析芯片走線的靜電釋放能力的方法。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：

一種分析芯片走線的靜電釋放能力的方法，所述芯片設(shè)置于一pcb板上，通過(guò)靜電槍對(duì)處于工作狀態(tài)的芯片的引腳在一預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，以對(duì)芯片的各個(gè)走線進(jìn)行打擊，從而找到靜電釋放能力最薄弱的地方。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，通過(guò)對(duì)所述芯片的io引腳施加0.5kv～1.5kv的電壓，來(lái)判斷所述芯片能否正常工作。

優(yōu)選的，通過(guò)靜電槍對(duì)pcb上的走線在所述預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)找到靜電釋放能力最薄弱的地方。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，所述芯片包括usb接口，通過(guò)靜電槍在0.5kv～1.5kv的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，對(duì)usb接口的各走線進(jìn)行打擊，來(lái)判斷該usb接口是否能正常工作。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，所述pcb板上包括一tf接口，通過(guò)靜電槍對(duì)tf接口的各個(gè)引腳在0.5kv～1.5kv的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)判斷該tf接口是否能正常工作。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電壓范圍為1.5kv，所述芯片還包括通用存儲(chǔ)器芯片，通過(guò)靜電槍對(duì)通用存儲(chǔ)器芯片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，來(lái)判斷該通用存儲(chǔ)器芯片是否能正常工作。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，所述pcb板上包括晶振和復(fù)位電路，通過(guò)靜電槍對(duì)晶振和復(fù)位電路的引腳在0.5kv～1.5kv的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)判斷該晶振和復(fù)位電路是否能正常工作。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過(guò)對(duì)芯片以及pcb板的各走線在預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，以對(duì)各走線進(jìn)行打擊，從而找到芯片和板子上最薄弱的地方，來(lái)分析其靜電釋放的能力。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。

一種分析芯片走線的靜電釋放能力的方法，芯片設(shè)置于一pcb板上，通過(guò)靜電槍對(duì)處于工作狀態(tài)的芯片的引腳在一預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，以對(duì)芯片的各個(gè)走線進(jìn)行打擊，從而找到靜電釋放能力最薄弱的地方。

在系統(tǒng)工作狀態(tài)下，通過(guò)直接對(duì)所有的走線在預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)對(duì)各走線進(jìn)行打擊，從而分析芯片esd的方法，來(lái)找到esd問(wèn)題最薄弱的地方。本發(fā)明可以打擊芯片端和pcb板子上面的具體走線和模塊，從而找到所有關(guān)鍵薄弱點(diǎn)。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，通過(guò)對(duì)芯片的io引腳施加0.5kv～1.5kv的電壓，來(lái)判斷芯片能否正常工作。

如圖1所示，本發(fā)明是基于s905liptv兩層pcb板做測(cè)試和分析。在該實(shí)施例中，以其中一個(gè)io引腳——gpioao_8引腳作為實(shí)施例加以測(cè)試。當(dāng)靜電槍對(duì)gpioao_8引腳施加0.5kv的電壓進(jìn)行打擊，結(jié)果顯示工作正常，若出現(xiàn)異常，則需要進(jìn)行整改調(diào)試。逐步調(diào)大施加到gpioao_8引腳施上的電壓，當(dāng)對(duì)gpioao_8引腳施加的電壓達(dá)到1kv時(shí)，本發(fā)明的試驗(yàn)結(jié)果顯示該引腳還能正常工作，若出現(xiàn)異常，則需要進(jìn)行整改調(diào)試。繼續(xù)逐步調(diào)大施加到gpioao_8引腳施上的電壓，當(dāng)對(duì)gpioao_8引腳施加的電壓達(dá)到1.5kv時(shí)，結(jié)果也顯示該引腳還能正常工作，同樣地，若出現(xiàn)異常，也需要對(duì)其進(jìn)行整改調(diào)試。因此，可以得出gpioao_8引腳能夠承受0.5kv～1.5kv的靜電電壓。其他引腳也采用同樣的方法進(jìn)行測(cè)試，在此不對(duì)結(jié)果一一贅述。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，通過(guò)靜電槍對(duì)pcb上的走線在預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)找到靜電釋放能力最薄弱的地方。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)設(shè)電壓范圍為1kv～1.5kv，芯片包括usb接口，通過(guò)靜電槍在0.5kv～1.5kv的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，對(duì)usb接口的各走線進(jìn)行打擊，來(lái)判斷該usb接口是否能正常工作。

在該實(shí)施例中，以u(píng)sb_adm芯片的usb接口為例。通過(guò)對(duì)usb_adm芯片的usbhost_a_dm引腳施加0.5kv的電壓進(jìn)行靜電打擊，測(cè)試結(jié)果表明該引腳可以正常工作，usb也工作正常。再對(duì)usb_adm芯片的usbotg_b_dm引腳施加1kv的電壓進(jìn)行打擊時(shí)，測(cè)試結(jié)果表明usb不能正常工作，證明usbotg_b_dm引腳不能承受1kv的靜電釋放能力。利用同樣的方法，逐步調(diào)大施加給usbotg_b_dm引腳的電壓，對(duì)usb_adm芯片的其他各個(gè)引腳進(jìn)行打擊，從而判斷其靜電釋放能力。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)設(shè)范圍的電壓為0.5～1.5kv，pcb板上包括一tf接口，通過(guò)靜電槍對(duì)tf接口的各個(gè)引腳施加逐步調(diào)大的0.5～1.5kv的電壓，來(lái)判斷該tf接口是否能正常工作。

tf接口是非常脆弱的，在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)tf接口的card_1_b引腳施加0.5kv的電壓，結(jié)果出現(xiàn)了死機(jī)現(xiàn)象，因此可以判斷出該card_1_b引腳不能承受0.5kv的靜電電壓。在該tf接口的card_2_b的引腳施加1.5kv的電壓時(shí)，同樣會(huì)出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)象，但是在被施加1kv的電壓時(shí)，tf接口可以正常工作，因此可以判斷出該card_2_b的引腳能承受1kv的靜電釋放能力。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)設(shè)范圍的電壓為1.5kv，芯片還包括通用存儲(chǔ)器芯片，通過(guò)靜電槍對(duì)通用存儲(chǔ)器芯片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，來(lái)判斷該通用存儲(chǔ)器芯片是否能正常工作。在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)通用存儲(chǔ)器芯片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，結(jié)果表明有時(shí)會(huì)出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)象。

本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，預(yù)設(shè)電壓范圍為0.5kv～1.5kv，pcb板上包括晶振和復(fù)位電路，通過(guò)靜電槍對(duì)晶振和復(fù)位電路的引腳在0.5kv～1.5kv的電壓范圍內(nèi)逐步調(diào)大電壓，來(lái)判斷該晶振和復(fù)位電路是否能正常工作。

在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)晶振電路的引腳施加1.5kv的電壓打擊，測(cè)試結(jié)果表明晶體附近gnd有時(shí)出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)象。而當(dāng)晶振電路的引腳被施加0.5kv的電壓時(shí)，結(jié)果表明晶振電路可以正常工作。此外，當(dāng)對(duì)復(fù)位電路施加1.5kv的電壓時(shí)，會(huì)出現(xiàn)電路重啟的現(xiàn)象。

以上僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書及圖示內(nèi)容所做出的等同替換和顯而易見(jiàn)的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。