本發(fā)明涉及一種適體傳感器,特別涉及一種氧化鐵-介孔碳(fe3o4@c)納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于生物技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
現(xiàn)在大量的自然生成的抗生素經(jīng)常被用于治療生病的動物、促進動物的生長。其中,土霉素(otc)作為一種使用頻率很高的抗生素,被廣泛應(yīng)用于治療農(nóng)業(yè)和水產(chǎn)養(yǎng)殖動物的傳染性疾病。然而,由于其較低的生物利用度,只有一部分otc可以在動物身體中代謝吸收,殘留的otc將被排泄并釋放到土壤、地表水和地下水中,這導(dǎo)致嚴重的環(huán)境問題和潛在的人類健康風險。因此,為了使人類免受殘留藥物的危害,世界衛(wèi)生組織、歐盟和中國農(nóng)業(yè)部規(guī)定土霉素在牛奶中的最大殘留限量為0.1mg·kg-1。迄今為止,對殘留土霉素的痕量檢測吸引了很多人的注意。傳統(tǒng)的檢測土霉素的方法有液相色譜、電泳、酶聯(lián)免疫吸附法和高效液相色譜法。即使這些傳統(tǒng)的方法可靠、靈敏和穩(wěn)定,但是它們的應(yīng)用因為一些缺陷如:昂貴的設(shè)施、高成本和樣品準備時間長而受到限制。為了滿足經(jīng)濟快速發(fā)展和食品安全保障的要求,迫切需要制定新的傳感策略,為食品安全領(lǐng)域的otc殘留提供簡單、靈敏度高、便捷的檢測工具。
最近,因為與適配體的靶向結(jié)合位點互補的寡核苷酸的順序可以設(shè)計,適體基生物傳感器檢測小分子靶標(適體傳感器)越來越引起關(guān)注。與抗體生物傳感器相比,適體傳感器具有更高的親和力、合成方法簡單、方便標記和更好的穩(wěn)定性等優(yōu)點。適體傳感器綜合了電化學(xué)技術(shù)的優(yōu)點和適體傳感器的卓越的性能,所以它的發(fā)展引起很多人的興趣。為了尋求更好地固定平臺,已經(jīng)探索不同修飾電極的材料包括碳納米材料、金屬納米粒子、導(dǎo)電聚合物等等,用于提高裝載量以及探針分子的生物活性。
近年來,作為一個新興的納米多孔材料,金屬有機框架材料(mofs)由有機配體連接金屬節(jié)點合成,由于其具有獨特的性能,例如高表面積,以及結(jié)構(gòu)和功能的可調(diào)性,已經(jīng)顯示出很好的應(yīng)用前景。而以mofs為模板制備的相關(guān)納米材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于超級電容器,電極材料和催化劑。在這些mofs材料中,fe基mofs(fe-mofs)表現(xiàn)出卓越的化學(xué)穩(wěn)定性,因為它們的毒性低且含量豐富,最重要的是它們的路易斯強酸性,這使它可以與羧酸鹽更好地配位,使骨架更穩(wěn)定。此外,fe-mofs用作電極材料時具有優(yōu)異的生物相容性和氧化還原活性。然而,在實際應(yīng)用中fe-mofs的導(dǎo)電性差從而導(dǎo)致循環(huán)性能差。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的在于提供一種氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為實現(xiàn)前述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
本發(fā)明提供了一種氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料,包括多孔碳基質(zhì)以及至少均勻分布于所述多孔碳基質(zhì)內(nèi)的復(fù)數(shù)個fe3o4納米顆粒。
進一步的,所述多孔碳基質(zhì)為多孔碳納米片,并且至少所述多孔碳納米片內(nèi)嵌入有復(fù)數(shù)個fe3o4納米顆粒;
優(yōu)選的,所述多孔碳納米片的表面也分布有fe3o4納米顆粒;
優(yōu)選的,所述fe3o4納米顆粒的粒徑為8-70nm,優(yōu)選為40-70nm,尤其優(yōu)選為60-70nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)所含孔洞的孔徑為18.5-29.7nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)為無定型碳基質(zhì);
優(yōu)選的,所述多孔碳納米片的厚度為3-8nm,所述多孔碳納米片的孔徑為18.5-29.7nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)與所述fe3o4顆粒的質(zhì)量比為10.64∶1-26.08∶1;
優(yōu)選的,所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料的比表面積為27.24-315.12m2.g-1。
本發(fā)明還提供了一種氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料的制備方法,包括:
提供fe-mofs,
以及,將fe-mofs于350-900℃溫度下煅燒4-6h,然后冷卻至室溫,獲得氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料。
進一步的,所述方法包括:將fe-mofs以5-7℃·min-1的升溫速率加熱至350-900℃,并保溫煅燒4-6h,然后自然冷卻至室溫,獲得氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料。
進一步的,所述方法包括:將feso4·7h2o,4,4′4″-三甲酸三苯胺(h3ntb),n-甲基甲酰胺(nmf)和n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)混合后,于140-160℃加熱3-5d,制得所述fe-mofs;
優(yōu)選的,所述h3ntb與feso4·7h2o的摩爾比為(1-3)∶(8-10);
優(yōu)選的,所述nmf與nmp的體積比為(1-3)∶(1-3)。
本發(fā)明還提供了一種土霉素電化學(xué)適體傳感器,包括:
所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料;
修飾于所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料上的土霉素適體鏈。
進一步的,所述土霉素電化學(xué)適體傳感器還包括:電極基體,所述fe3o4@c納米復(fù)合材料固定于所述電極基體表面;
優(yōu)選的,所述電極基體包括金電極;
優(yōu)選的,所述土霉素適體鏈的序列為:5‘-cgtacggaattcgctagccgaggcacagtcgctggtgcctacctggttgccgttgtgtggatccgagctccacgtg-3’。
本發(fā)明還提供了一種土霉素電化學(xué)適體傳感器的制備方法,包括:
采用前述的方法制備氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料;
將所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料分散于溶劑形成均勻懸浮液,將所述均勻懸浮液施加于電極基體上并干燥;
以土霉素適體鏈的溶液浸潤固定于所述電極基體上的氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料,使土霉素適體鏈修飾于氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料上,形成所述電化學(xué)適體傳感器。
本發(fā)明另一方面還提供了一種土霉素的檢測方法,包括:
提供所述土霉素電化學(xué)適體傳感器;
將所述土霉素電化學(xué)適體傳感器浸漬于可能含有土霉素的待測液體樣品中,之后以所述土霉素電化學(xué)適體傳感器作為工作電極進行電化學(xué)測試,實現(xiàn)對待測液體樣品中土霉素的檢測。
進一步的,所述電化學(xué)測試方法包括電化學(xué)阻抗譜或循環(huán)伏安法。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點包括:
本發(fā)明提供的fe3o4@c納米復(fù)合材料的納米結(jié)構(gòu)具有低毒性、高穩(wěn)定性和電化學(xué)活性;
本發(fā)明提供的基于fe3o4@c納米復(fù)合材料的適體傳感器制備方法簡單,檢測流程簡單;并且所述適體傳感器的比表面積高、生物親和力強、檢測靈敏度高、檢測限低,可用于快速、精確地檢測otc。
附圖說明
圖1a是本發(fā)明實施例1中fe-mofs的ntb配體的配位模式結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1b是本發(fā)明實施例1中fe-mofs的1-d棒狀陣列的視圖;
圖1c是本發(fā)明實施例1中fe-mofs的3-d框架結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明實施例1中fe-mofs的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)示意圖;
圖3a、圖3b、圖3c分別是本發(fā)明實施例2中fe-mofs、fe3o4@c納米復(fù)合材料的xrd與tga圖;
圖4a1、圖4a2、圖4b1、圖4b2、圖4c1、圖4c2、圖4d1、圖4d2、圖4e1、圖4e2分別是本發(fā)明實施例2中fe-mofs、fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900納米復(fù)合材料的xps分解譜;
圖5是本發(fā)明實施例2中fe-mofs、fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900復(fù)合材料的xps全譜圖;
圖6a、圖6b是本發(fā)明實施例2中fe-mofs在3000倍和1800倍的sem圖,圖c、圖d是tem圖;
圖7a、圖7b、圖7c、圖7d、圖7e、圖7f、圖7g、圖7h分別是本發(fā)明實施例2中fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900的納米復(fù)合材料的低倍和高倍tem圖像,插圖是相應(yīng)的saed圖;
圖8是本發(fā)明實施例2中fe-mofs和不同fe3o4@c納米復(fù)合材料的氮氣吸附-解吸附等溫線;
圖9a中的cv曲線和圖9b中的eis曲線是本發(fā)明實施例2中使用基于fe-mof開發(fā)的適體傳感器在含有0.14mnacl和0.1mkcl的5mm[fe(cn)6]3-/4-的溶液中檢測otc;
圖10a1、圖10b1、圖10c1、圖10d1、圖10a2、圖10b2、圖10c2、圖10d2分別是本發(fā)明實施例2中使用基于fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900開發(fā)的適體傳感器在含有0.14mnacl和0.1mkcl的5mm[fe(cn)6]3-/4-的溶液中檢測otc的cv和eis曲線圖;
圖11是本發(fā)明實施例2中使用基于fe-mof、fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900開發(fā)的適體傳感器檢測otc的每個階段的δrct值;
圖12a是本發(fā)明實施例2中apt/fe3o4@c900/ae檢測不同濃度的otc(0、0.005、0.01、0.05、0.1、0.5和1ng·ml-1)的eis響應(yīng)曲線;
圖12b是本發(fā)明實施例2中δrct與otc濃度的曲線,其中插圖為校準曲線的線性部分;
圖13a、圖13b分別是本發(fā)明實施例2中用于檢測otc的fe3o4@c900基適體傳感器的選擇性和重現(xiàn)性圖譜;
圖14a、圖14b分別是本發(fā)明實施例2中用于檢測濃度為0.005ng·ml-1的otc的fe3o4@c900基適體傳感器的的穩(wěn)定性和再生性圖譜。
具體實施方式
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本案發(fā)明人經(jīng)長期研究和大量實踐,得以提出本發(fā)明的技術(shù)方案。如下將對該技術(shù)方案、其實施過程及原理等作進一步的解釋說明。
本發(fā)明實施例提供了一種氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料,包括多孔碳基質(zhì)以及至少均勻分布于所述多孔碳基質(zhì)內(nèi)的復(fù)數(shù)個fe3o4納米顆粒。
進一步的,所述多孔碳基質(zhì)為多孔碳納米片,并且至少所述多孔碳納米片內(nèi)嵌入有復(fù)數(shù)個fe3o4納米顆粒;
優(yōu)選的,所述多孔碳納米片的表面也分布有fe3o4納米顆粒;
優(yōu)選的,所述fe3o4納米顆粒的粒徑為8-70nm,優(yōu)選為40-70nm,尤其優(yōu)選為60-70nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)所含孔洞的孔徑為18.5-29.7nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)為無定型碳基質(zhì);
優(yōu)選的,所述多孔碳納米片的厚度為3-8nm,所述多孔碳納米片的孔徑為18.5-29.7nm;
優(yōu)選的,所述多孔碳基質(zhì)與所述fe3o4顆粒的質(zhì)量比為10.64∶1-26.08∶1;
優(yōu)選的,所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料的比表面積為27.24-315.12m2·g-1。
本發(fā)明還提供了一種氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料的制備方法,包括:
提供fe-mofs,
以及,將fe-mofs于350-900℃溫度下煅燒4-6h,然后冷卻至室溫,獲得氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料。
進一步的,所述方法包括:將fe-mofs以5-7℃·min-1的升溫速率加熱至350-900℃,并保溫煅燒4-6h,然后自然冷卻至室溫,獲得氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料。
進一步的,所述方法包括:將feso4·7h2o,4,4′4″-三甲酸三苯胺(h3ntb),n-甲基甲酰胺(nmf)和n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)混合后,于140-160℃加熱3-5d,制得所述fe-mofs;
優(yōu)選的,所述h3ntb與feso4·7h2o的摩爾比為(1-3)∶(8-10);
優(yōu)選的,所述nmf與nmp的體積比為(1-3)∶(1-3)。
本發(fā)明還提供了一種土霉素電化學(xué)適體傳感器,包括:
所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料;
修飾于所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料上的土霉素適體鏈。
進一步的,所述土霉素電化學(xué)適體傳感器還包括:電極基體,所述fe3o4@c納米復(fù)合材料固定于所述電極基體表面;
優(yōu)選的,所述電極基體包括金電極;
優(yōu)選的,所述土霉素適體鏈的序列為:5‘-cgtacggaattcgctagccgaggcacagtcgctggtgcctacctggttgccgttgtgtggatccgagctccacgtg-3’。
本發(fā)明還提供了一種土霉素電化學(xué)適體傳感器的制備方法,包括:
采用前述的方法制備氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料;
將所述氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料分散于溶劑形成均勻懸浮液,將所述均勻懸浮液施加于電極基體上并干燥;
以土霉素適體鏈的溶液浸潤固定于所述電極基體上的氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料,使土霉素適體鏈修飾于氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料上,形成所述電化學(xué)適體傳感器。
本發(fā)明另一方面還提供了一種土霉素的檢測方法,包括:
提供所述土霉素電化學(xué)適體傳感器;
將所述土霉素電化學(xué)適體傳感器浸漬于可能含有土霉素的待測液體樣品中,之后以所述土霉素電化學(xué)適體傳感器作為工作電極進行電化學(xué)測試,實現(xiàn)對待測液體樣品中土霉素的檢測。
進一步的,所述電化學(xué)測試方法包括電化學(xué)阻抗譜或循環(huán)伏安法。
如下將結(jié)合具體實施例對該技術(shù)方案、其實施過程及原理等作進一步的解釋說明。
本發(fā)明如下實施例中采用的fe(no3)3·9h2o,4,4′,4″-亞硝基二苯甲酸(h3ntb),n-甲基吡咯烷酮(nmp)和甲酸可以從上海晶純生化科技股份有限公司購買;土霉素(otc)、四環(huán)素、強力霉素和金霉素可以從索萊寶公司購買。如下實施例中采用的水均是超純水(18.2ωcm-1)。所有試劑均為分析純級別。本發(fā)明實施例中采用的otc適體序列是:5‘-cgtacggaattcgctagccgaggcacagtcgctggtgcctacctggttgccgttgtgtggatccgagctccacgtg-3’。因為適體是具有獨特3d結(jié)構(gòu)的功能性ssdna或rna,可以以高特異性和親和力識別并結(jié)合其同源靶標,這些功能鏈主要針對目標檢測。
如下實施例中采用的表征設(shè)備及方式如下:
在perkin-elmer240chn元素分析儀上進行c,h和n的分析,使用nicolet850光譜儀(thermoelectroncorporation,massachusetts,usa)通過傅里葉變換紅外光譜(ftir)分析納米復(fù)合材料的化學(xué)結(jié)構(gòu);使用cukα輻射在rigakud/max-2500x射線衍射儀上記錄x射線衍射測量(xrd);用labsysnetzschtg209setaram儀器在n2氣氛中加熱速率為10℃·min-1時測量熱重(tga);使用axishis165光譜儀(kratosanalytical,manchester,uk)采用單色鉻化alkαx射線源(1486.71ev光子)測量x射線光電子能譜(xps);采用日本jeoljem-2100高分辨透射電子顯微鏡測試高分辨率透射電子顯微鏡圖像(hr-tem),在超高度真空下,在帶有隔膜和渦輪泵系統(tǒng)的belsorpmax體積吸附設(shè)備上,測量n2吸附-脫附數(shù)據(jù)。
x射線單晶分析:用安裝石墨單色mokα或cukα(λ=0.71073或
如下實施例中涉及的電化學(xué)測量方案,包括電化學(xué)阻抗譜(eis)和循環(huán)伏安法(cv)可以采用chi660d電化學(xué)工作站(上海辰華)測量。測試使用常規(guī)的三電極系統(tǒng),其中包括作為工作電極的直徑為3mm的金電極,作為參比電極的ag/agcl(飽和kcl)電極和作為對電極的鉑片;在含有0.1mkcl的0.5mm[fe(cn)6]3-/4-(eis參數(shù):電位:0.21v;頻率范圍:100khz至0.1hz;振幅:5mv)中測得eis曲線;使用zview2軟件分析譜圖,使用非線性最小二乘擬合來確定等效電路中的元件參數(shù)。
實施例1:
通過混合0.242gkh2po4,1.445gna2hpo4·12h2o,0.200gkcl和8.003gnacl,并加入0.1mhcl溶液調(diào)節(jié)混合物的ph=7.4,獲得磷酸鹽緩沖溶液(pbs,ph7.4)。用pbs配制適體和otc溶液,通過將1.650gk3fe(cn)6和2.111gk4fe(cn)6溶于1lpbs中即可制備電解質(zhì)溶液。
在特氟隆襯里的不銹鋼容器中加入22.2mg的feso4·7h2o,3.0mg的4,4′4″-三甲酸三苯胺(h3ntb),2ml的n-甲基甲酰胺(nmf)和2ml的n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)的混合物,在160℃的烘箱中下加熱3d。用dmf洗滌之后得到棕色片狀晶體,即為fe-mofs。產(chǎn)率:45%,基于h3ntb配體。ir(kbr,cm-1):3414w(br),1682m,1654m,1592vs,1555m,1505m,1398vs,1354m,1318m,1266m,1173m,1102w,1013w,840w,784m,713w,671w,629w,583w,532w,513w,436w;元素分析(計算值):c56h50fe3n6o16:c,51.6(52.5);h,4.43(5.05);n,7.40(6.93),所述fe-mofs的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)如圖1、2所示。
將所制備的fe-mofs置于管式爐中并以5℃·min-1~7℃.min-1的升溫速率升至350℃、550℃、700℃和900℃,分別在350℃、550℃、700℃和900℃煅燒4h~6h;然后將樣品自然冷卻至室溫,獲得一系列氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料,其可以被分別命名為:fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900。
fe-mofs和fe3o4@c納米復(fù)合材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)和組分分析:
采用xps測量fe-mofs和fe3o4@c納米復(fù)合材料的化學(xué)成分和所處環(huán)境。五個樣品的xps光譜都表明它們有與c、o和fe相關(guān)的特征峰以及較弱的n峰;c1s和o1s的特征峰來自于有機配體,fe2p的峰源自于配位中心fe。圖3a、3b、3c分別是fe-mofs和fe3o4@c納米復(fù)合材料的xrd和tga圖;
表1為各個原子的百分含量,從表1中可以看出對于在不同溫度下fe-mofs熱解后的材料,例如fe3o4@c350,c1s含量首先降低到一定程度,這是由于含碳有機溶劑(nmf)的揮發(fā)和甲酸的分解。隨著煅燒溫度升高到550℃、700℃和900℃,c1s含量不斷增加,表明有機連接體配體熱分解產(chǎn)生多孔碳。對于fe2p和o1s含量,fe3o4@c350首先增加到一定程度,然后隨著煅燒溫度的升高而連續(xù)下降,變化趨勢與c1s含量相反。
表1fe-mofs和熱裂解后不同fe3o4@c納米復(fù)合材料的原子百分比
為了進一步了解熱分解前后fe-mofs和fe3o4@c納米復(fù)合材料的化學(xué)成分c1s和fe2p,還分析了它們的xps圖(如圖4(a1、a2、b1、b2、c1、c2、d1、d2、e1、e2)所示)。原始的fe-mofs(圖4a1)的c1s分解譜可以分為5個主峰,在~283.7、~284.8、~285.6和~287.9ev,分別對應(yīng)c-c/c-h、c-n、c-o、coo-和π-π*的基團,這些峰都源自于有機連接配體。至于在不同溫度下熱裂解的材料,例如fe3o4@c350(圖4b1),在c1s高分辨率xps光譜中有與c=o基團對應(yīng)的~286.8ev附加峰;對于fe3o4@c550和fe3o4@c700(圖4c1和d1),c1s高分辨率xps光譜中的結(jié)合能的位置與fe-mofs的結(jié)合能一致,但強度是不同的,至于fe3o4@c900,在c1s高分辨率xps光譜(圖4e1)中也觀察到分配給c=o基團的~286.8ev處的附加峰。
從五個樣品(圖4a2,圖4b2,圖4c2,圖4d2和圖4e2)的fe2p核心光譜可以觀察到明顯的差異。原始的fe-mofs(圖4a2)的fe2p光譜中的~711.1和~724.9ev,分別對應(yīng)于fe2p3/2和fe2p1/2。fe-mofs熱解后,fe3o4@c350(圖4b2)的fe2p光譜有~711.0和~724.8ev兩個峰,與fe-mofs一致。隨著煅燒溫度的升高,fe3o4@c550(圖4c2)的fe2p光譜分為5個峰,分別為~709.3、~711.4、~717.7、~722.3和~724.1ev,結(jié)合能為711.4和724.1ev的峰是fe3+的特征峰,而結(jié)合能為709.3和722.3ev的峰值是由于fe2+。此外,結(jié)合能為717.7ev的峰是由于fe2+和fe3+共同作用產(chǎn)生的伴峰。當溫度升至700℃和900℃時,fe3o4@c700和fe3o4@c900的fe2p光譜觀察到類似的情況(圖4d2和圖4e2);fe3+、fe2+的特征峰和伴峰的結(jié)合能分別位于712.5、725.3、710.0、723.0、717.5ev和711.3、724.0、709.2、722.1、717.6ev,樣品中fe2+和fe3+的存在進一步證實了fe3o4的形成。
圖6為fe-mofs的sem和tem圖像,從圖像中可以看出,fe-mofs是塊狀結(jié)構(gòu),大多數(shù)晶體超過幾十甚至幾百微米,尺寸不均勻分布,說明制備的fe-mofs更像多晶或粉末材料;fe-mofs的不連續(xù)性導(dǎo)致它們的導(dǎo)電性差,因此電化學(xué)活性不好。如圖7所示,從tem圖中可以看出在不同熱解溫度下的fe3o4@c納米復(fù)合材料的形態(tài)變化;在第一個溫度350℃下,保留了fe-mofs的塊狀形貌,在復(fù)合材料的邊緣可以觀察到fe2o3,如圖7a和圖7b所示大部分fe3o4@c350納米復(fù)合材料有均勻分布的球狀結(jié)構(gòu),所述球狀結(jié)構(gòu)為fe3o4納米顆粒,平均尺寸約為8-10nm。此外,所選區(qū)域電子衍射(saed,圖7b,插圖)中的電子衍射圖是幾個晶格組成的同心圓形,表明fe3o4@c350納米復(fù)合材料是多晶,并且0.247和0.283nm的晶格空間為對應(yīng)于(311)和(220)晶面,證明了fe3o4@c的形成。
如圖7c和圖7d所示,在第二階段(550℃)中,發(fā)現(xiàn)更大的球形顆粒形成并嵌入到多孔碳納米片中,而大多數(shù)顆粒團聚得到尺寸在100-150nm之間的納米球(所述納米球為fe3o4顆粒形成的團聚體)。這可能是因為有機殘余物作為還原劑使fe2o3轉(zhuǎn)化為fe3o4,并且在制備用于tem的樣品時可能分散的不完全。此外,如圖7d,插圖中的saed圖案顯示了fe2o3和fe3o4的晶格,其中所述fe3o4納米顆粒呈現(xiàn)為單分散狀態(tài)。如圖7e圖,圖7f,圖7g和圖7h所示,當煅燒溫度進一步提高至700℃和900℃,由于晶體聚集會引起的氧化鐵顆粒增大。如圖7e和7f所示,從700℃下煅燒的fe-mofs的tem圖像可以看出納米復(fù)合材料是復(fù)合結(jié)構(gòu),從中可以看到平均直徑為40nm的由薄碳邊界單獨包裹的fe3o4納米顆粒,并且這些顆粒分散在多孔碳的基質(zhì)內(nèi)部和/或表面,如圖7g和圖7h所示,在fe3o4@c900納米復(fù)合材料中觀察到類似的情況,fe3o4顆粒的平均尺寸(粒徑)增加到60-70nm,多孔碳作為fe3o4顆粒聚集的緩沖區(qū)使晶體分布的更均勻,圖7f和7h中的插圖saed說明已經(jīng)形成典型的fe3o4晶格,進一步證明了fe3o4的形成。
fe-mofs和不同fe3o4@c納米復(fù)合材料的n2吸附-脫附等溫線如圖8所示,fe-mofs和煅燒產(chǎn)物的比表面積分別為846.19,27.24,119.45,315.12和258.03m2.g-1。
實施例2:
將適體在90℃下孵育5min,然后緩慢冷卻至室溫,將實施例1所制備的fe3o4@c350粉末(0.5mg)加入到乙醇中并徹底超聲直至獲得均勻的fe3o4@c350懸浮液;然后,將10μl的fe3o4@c350懸浮液(0.5mg·ml-1)鋪展到金電極(ae)的表面上,然后在室溫下干燥5h;隨后,將修飾的電極浸入適體溶液(100nm)中2h,保證適體鏈固定在電極表面上直至達到飽和狀態(tài);在該過程中,適體與fe3o4@c納米復(fù)合材料通過適體鏈與靶特異性部分形成酰胺鍵結(jié)合,這將導(dǎo)致氧化還原探針對修飾的ae的表面接近程度降低,因此電化學(xué)活性將減小。最后,將適體固定的fe3o4@c350/ae浸入otc溶液中進行電化學(xué)測試。在電化學(xué)檢測中,配體可以形成與otc具有高親和力的g-四鏈體結(jié)構(gòu)。
為了比較,也以相同的方式構(gòu)筑基于前述fe-mofs、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900的適體傳感器作為對比。
之后將空白ae、基于前述fe-mofs的適體傳感器、基于前述各氧化鐵-介孔碳納米復(fù)合材料的適體傳感器在含有一定濃度otc、0.14mnacl和0.1mkcl的5mm[fe(cn)6]3-/4-的溶液中檢測otc,其中采用的電化學(xué)檢測方法是cv和eis。
如圖9a中的cv曲線所示,空白ae圖中有一對明確的可逆氧化還原峰,峰間電位差(δep)為248mv。ae經(jīng)fe-mofs改性后(fe-mof/ae),δep增加到292mv,氧化還原峰電流相應(yīng)降低,說明fe-mofs涂在ae上后導(dǎo)電率降低。當otc靶向適體鏈(apt)固定在fe-mof/ae表面時(apt/fe-mof/ae),δep稍微升高到311mv,氧化還原峰電流幾乎不變,表明apt對于fe-mof/ae的影響不明顯。然而,當使用制備的apt/fe-mof/ae檢測otc時(otc/apt/fe-mof/ae),δep進一步增加到369mv,氧化還原峰電流進一步降低,證明了otc/apt/fe-mof/ae的導(dǎo)電性和電化學(xué)性降低。從圖9b中的eis圖中可以得出檢測otc的不同階段的四種aes的電荷轉(zhuǎn)移電阻(rct)分別為141.2、366.6、427.5和478.1ω,表明在空白ae上固定有fe-mofs,apt和otc之后電化學(xué)活性降低依次,rct結(jié)果的變化趨勢與上述cv結(jié)果一致。
采用同樣的方式測試基于前述fe3o4@c350、fe3o4@c550、fe3o4@c700和fe3o4@c900的適體傳感器的cv曲線,結(jié)果如圖10a1、10b1、10c1、10d1所示。其中,基于fe3o4@c350的傳感器(apt/fe3o4@c350/ae)的四個aes的δep分別為271、301、354和399mv;基于fe3o4@c550的傳感器(apt/fe3o4@c550/ae)的四個aes的δep分別為256、305、402和463mv;基于fe3o4@c700的傳感器(apt/fe3o4@c700/ae)的四個aes的δep分別為243、354、433和500mv;基于fe3o4@c900的傳感器(apt/fe3o4@c900/ae)的四個aes的δep為251、283、354和420mv。結(jié)果表明,δep和氧化還原峰電流的變化趨勢均符合相同的規(guī)律,即在空白ae被fe3o4@c、apt和otc連續(xù)固定后,δep連續(xù)增加,氧化還原峰電流下降,四種基于fe3o4@c納米復(fù)合材料的適體傳感器的電化學(xué)活性相應(yīng)降低。如圖10a2、10b2、10c2、10d2所示,是用eis表示基于在不同溫度下煅燒的四種fe3o4@c納米復(fù)合材料適體傳感器來檢測otc的整個過程。對于空白ae,在較高頻率處有小的半圓,分別對應(yīng)(a)fe3o4@c350,(b)fe3o4@c550,(c)fe3o4@c700和(d)fe3o4@c900的rct值為122.7、39.26、69.17和42.24ω。用四種fe3o4@c納米復(fù)合材料分別改性后,rct值分別明顯增大到260.7、98.4、133.3和119.6ω,表明fe3o4@c納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率相對較差;當otc靶向適體(apt)鏈固定在fe3o4@c/aes表面時,apt/fe3o4@c/ae的rct值分別進一步分別增加到330.3、183.0、236.8和334.1ω,因為適體鏈中包含的帶負電荷的磷酸基與[fe(cn)6]3-/4-氧化還原對之間的相互排斥作用,所以分析物溶液和電極之間的界面處的rct增加。當使用制備的fe3o4@c基適體傳感器來測定otc時,eis曲線的半圓進一步增加,半圓曲線的相應(yīng)rct值分別為409.6、288.2、375.3和507.3ω,在otc存在的情況下,otc靶向的適體鏈通過與otc結(jié)合而改變其構(gòu)象,以形成g-四鏈聯(lián)體,這將阻止電荷轉(zhuǎn)移。此外,如在n2吸附-脫附等溫線中所討論的,fe3o4@c納米復(fù)合材料具有介孔結(jié)構(gòu)和高比表面積,因此otc可以吸附到fe3o4@c納米復(fù)合材料上,大量的otc被吸附到apt/fe3o4@c/aes的表面,進一步使電荷轉(zhuǎn)移變得困難。因此,otc的阻塞和阻塞效應(yīng)都導(dǎo)致apt/fe3o4@c/ae的電化學(xué)活性顯著降低。
為了比較fe-mofs和四種基于fe3o4@c納米復(fù)合材料的電化學(xué)適體傳感器對檢測otc的不同檢測效果,本發(fā)明提供了前述五個生物傳感體系每步的rct值(δrct)的變化并表示在圖11中。δrct值的差異如圖11中的柱狀圖所示,從柱狀圖可以看出,與其他四種材料相比,fe3o4@c900/ae表面的apt吸附量最大,由于fe3o4@c900/ae的比表面積和介孔結(jié)構(gòu)最高,因此可以進一步幫助吸收大多數(shù)otc,并具有最大的δrct(rct,apt-rct,材料)和δrct(rct,otc--rct,apt)。因此,測量電化學(xué)的最佳電極材料是fe3o4@c900。
apt/fe3o4@c900/ae的靈敏度測試:通過將apt/fe3o4@c900/ae與不同濃度的otc一起孵育,然后在[fe(cn)6]3-/4-溶液中測定它們的eis圖譜。圖12a是用于檢測不同濃度的otc的apt/fe3o4@c900/ae的eis圖,因為適體傳感器對otc的有效識別,所以rct的值隨otc濃度的增加(從0.005至1.0ng·ml-1)而逐漸增加。這可能是因為隨著otc濃度的增加,在納米復(fù)合電極表面上產(chǎn)生了抗原-抗體復(fù)合物之間更多的分子識別,從而導(dǎo)致了rct值的增強。傳感器在檢測otc之前和之后的δrct是確定的數(shù)值(參閱圖12b),且當otc濃度的對數(shù)值(logcotc)的范圍從-2.301到0時,δrct值與logcotc成正比,它的線性回歸方程為δrct=0.676logcotc+1.762,相關(guān)系數(shù)(r2)為0.9944。根據(jù)langmuir吸附方程,在信噪比(s/n)比為3時,模擬檢測限(lod)低至0.027pg·ml-1。
apt/fe3o4@c900/ae的選擇性和穩(wěn)定性測試:使用apt/fe3o4@c900/ae分別檢測可能與otc共存的濃度為10-3nm(otc濃度的10倍)的抗生素包括四環(huán)素、多西環(huán)素、金霉素和空白pbs緩沖液。如圖13a所示,與檢測otc顯著的δrct響應(yīng)值相反,通過添加其他干擾得到的響應(yīng)變化可忽略。因此,otc與其相應(yīng)的探針適體之間具有高度特異性,電化學(xué)適體傳感器對otc具有較高的選擇性;再現(xiàn)性是評估開發(fā)適體傳感器性能的重要指標,在相同條件下制備的五個基于fe3o4@c900納米復(fù)合材料的適體傳感器,通過檢測在室溫(25℃)下溶解于pbs中的10-5nm的otc引起的δrct值來測試適體傳感器的再現(xiàn)性(圖13b)。用五個適體傳感器同時檢測相同濃度的otc的δrct值的相對標準偏差(rsd)為2.6%,表明傳感器之間的重現(xiàn)性很好。
此外,穩(wěn)定性和再生性也是評估適體傳感器性能的重要指標。在數(shù)天之內(nèi),每次測量后將電極浸入超純水中并將其保存在4℃的冰箱中并記錄電極的δrct值,用這些δrct值來表示fe3o4@c900適體傳感器的穩(wěn)定性(圖14a)。15天后未發(fā)現(xiàn)60nmotc的rct明顯減少;再過一周,rct值下降約10%,一個月后,下降了約17%。在室溫下將結(jié)合有otc的納米復(fù)合電極浸入1.0mnaoh中80分鐘并用水洗滌,測其rct值,然后再浸入相同濃度的otc溶液中2小時測其rct值,重復(fù)這個步驟數(shù)次,比較rct值并評估再生性。如圖14b所示,在前5次再生運行期間,觀察到適體傳感器的δrct值沒有實質(zhì)變化,表明可以容易地再生。所有這些結(jié)果表明,本發(fā)明提供的適體傳感器不僅具有高靈敏度和選擇性,而且具有良好的再現(xiàn)性,穩(wěn)定性和再生性。
實施例3:
采用實施例2制得的一系列傳感器對實際樣品進行測試,該實際樣品為牛奶。相應(yīng)的測試過程包括:
在50ml離心管中,將12ml生奶與18ml超純水以及6ml10%三氯乙酸和氯仿的混合物在渦流震蕩下混合1min以沉積蛋白質(zhì)并溶解基質(zhì)中的有機物質(zhì),然后將混合物在20℃下超聲處理15min,并以13000rpm離心10min以分離沉積物;將上清液轉(zhuǎn)移到另一個離心管中,并以10000rpm離心10min以再次除去沉積物;在原液中加入一定量的otc,然后按照上述步驟進行預(yù)處理和分析;根據(jù)上述方法檢測所述溶液,通過hplc分析加標樣品以驗證所提出的分析方法的可靠性。
根據(jù)圖12b的標準曲線得到結(jié)果。如表2所示,該適體傳感器的回收率為98%至104%,rsd小于3.0%。同時,根據(jù)中國國家標準gb/t22990-2008,還用hplc測定了牛奶中的otc,通過比較得出本發(fā)明提供的適體傳感器的結(jié)果完全符合hplc的要求,這些都表明這一新策略對于快速檢測牛奶中的otc具有很高的重現(xiàn)性,準確性和可行性。
表2開發(fā)的適體傳感器檢測牛奶樣品中的otc
本發(fā)明通過將fe-mofs于不同溫度熱解形成一系列fe3o4@c納米復(fù)合材料,在這些納米復(fù)合材料中fe3o4納米顆粒均嵌入介孔無定形碳基底中,使得這些納米復(fù)合材料均具有比表面積高,生物相容性好,生物親和力強等優(yōu)點,特別是其中的fe3o4@c900對otc的檢測顯示出最佳的電化學(xué)活性,因此可以用于構(gòu)建電化學(xué)適體傳感器。尤其是,基于fe3o4@c900開發(fā)的otc適體傳感器顯示出高靈敏度,在otc濃度從0.005到1ng·ml-1的寬線性范圍內(nèi)檢測限低至0.027pg·ml-1,同時該傳感器還具有高選擇性,良好的再現(xiàn)性,穩(wěn)定性,再生性和適用性等特征。
應(yīng)當理解,上述實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。