1.一種應(yīng)用探地雷達(dá)回波信號采集的等效采樣電路,其特征在于包括:兩級低噪聲放大器、高速取樣門電路、ADC轉(zhuǎn)換電路、數(shù)字信號控制電路和ps脈沖產(chǎn)生電路;
所述兩級低噪聲放大器、高速取樣門電路、ADC轉(zhuǎn)換電路依次連接,所述ps脈沖產(chǎn)生電路分別與數(shù)字信號控制電路、高速取樣門電路相連接;
其中所述兩級低噪聲放大器連接接收雷達(dá)回波信號的天線,用于將天線上的信號進(jìn)行放大,放大的信號經(jīng)過耦合電容送到高速取樣門電路的輸入端被采樣;
所述數(shù)字信號控制電路是利用可編程邏輯門陣列結(jié)合外部晶振產(chǎn)生一個延時可調(diào)的方波信號;
所述ps脈沖產(chǎn)生電路用于將經(jīng)過延時的方波信號轉(zhuǎn)換成帶有延時的ps級的脈沖信號;
所述高速取樣門電路用于將延時ps級脈沖信號形成相位相反的采樣與保持信號,對放大的雷達(dá)信號采集高頻信號部分并拉長后送入ADC轉(zhuǎn)換電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等效采樣電路,其特征在于:所述數(shù)字信號控制電路采用可編程邏輯門陣列控制MC100E195B芯片的D0-D9來控制方波信號的延時。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等效采樣電路,其特征在于:所述延時為10ps步進(jìn)延時。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等效采樣電路,其特征在于:所述ps脈沖產(chǎn)生電路包括雪崩電路,雪崩電路包括雪崩三極管、直流偏置電路和微分整形網(wǎng)絡(luò),步進(jìn)延時方波信號經(jīng)過微分整形網(wǎng)絡(luò)提取脈沖的邊緣,降低方波信號的占空比,延時的方波信號作為雪崩三極管的輸入信號利用雪崩三極管的雪崩倍增效應(yīng)結(jié)合整形網(wǎng)絡(luò)整形后形成延時ps級脈沖信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等效采樣電路,其特征在于:所述微分整形網(wǎng)絡(luò)的微分常數(shù)τ小于正脈沖邊緣的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等效采樣電路,其特征在于:所述高速取樣門電路包括三極管Q2和取樣門電路,三極管Q2的基級連接ps脈沖產(chǎn)生電路,集電極連接取樣門電路,發(fā)射極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等效采樣電路,其特征在于:所述取樣門電路包括三極管Q3、三極管Q4、三極管Q5以及保持電容,三極管Q2的集電極連接三極管Q4的基級,三極管Q4的發(fā)射極連接三極管Q3的發(fā)射極,三極管Q4的集電極連接三極管Q5的發(fā)射極,三極管Q3的集電極以及三極管Q5的基級連接兩級低噪聲放大器,三極管Q5的發(fā)射極與保持電容相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等效采樣電路,其特征在于:所述延時ps級脈沖信號為高時,三極管Q2導(dǎo)通,此時三極管Q3導(dǎo)通、三極管Q4截止,當(dāng)三極管Q3導(dǎo)通時被放大的雷達(dá)信號由三極管Q3到地,此時保持電容上的電壓保持不變,此時整個電路處于保持狀態(tài);當(dāng)延時ps級脈沖信號為0時,三極管Q2截止、三極管Q3截止、三極管Q5導(dǎo)通,此時被放大的雷達(dá)信號經(jīng)過三極管Q5到輸出端,即雷達(dá)信號被取樣電路去取樣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等效采樣電路,其特征在于:所述保持電容后連接絕緣柵型場效應(yīng)管Q6,三極管Q6連接差動放大器,放大信號的輸出端與ADC轉(zhuǎn)換電路連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等效采樣電路,其特征在于:所述三極管Q2到Q6的ft大于10Ghz。