1.一種二芯制線纜標定內(nèi)儲振弦傳感器，傳感器內(nèi)增設(shè)存儲部，其特征在于存儲部的半波整流供電電路供電連接存儲單元，存儲部串聯(lián)開關(guān)電路(K2)構(gòu)成存儲部支路；單向電子開關(guān)(K1)與振弦傳感線圈（L）串聯(lián)構(gòu)成傳感部支路，與存儲部支路極性相反并聯(lián)、連接二芯線引出線纜，存儲部支路的開關(guān)電路(K2)由被控開關(guān)和連接于半波整流供電電路供電端的觸發(fā)電路構(gòu)成，存儲單元的數(shù)據(jù)I/O線與半波整流供電電路的正極輸入端并聯(lián)，連接引出線纜的作為供電數(shù)據(jù)通訊線的一芯線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二芯制線纜標定內(nèi)儲振弦傳感器，其特征在于開關(guān)電路(K2)由可控硅（SCR）和可控硅（SCR）的控制極觸發(fā)電路構(gòu)成，極性與可控硅(SCR）反接的二極管（D3）與可控硅（SCR）并聯(lián)，二極管（D3）極性與半波整流供電電路同向，可控硅（SCR）的控制極觸發(fā)電路為連接于半波整流供電電路供電端與地線間且極性與半波整流供電電路同向的單向二極管（D4）連接的電阻分壓電路構(gòu)成，電阻分壓節(jié)點連接至可控硅（SCR）控制極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二芯制線纜標定內(nèi)儲振弦傳感器，其特征在于所述的可控硅為雙向可控硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二芯制線纜標定內(nèi)儲振弦傳感器，其特征在于所述的開關(guān)電路(K2)由繼電器（J）構(gòu)成，繼電器線圈連接于半波整流供電電路供電端與地線間，被控開關(guān)為繼電器開關(guān)（KJ）串聯(lián)于另一芯線與半波整流供電電路的地線之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的二芯制線纜標定內(nèi)儲振弦傳感器，其特征在于單向電子開關(guān) (K1)為開關(guān)二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、檢波二極管、瞬態(tài)抑制二極管。