技術(shù)特征：

1.一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，包括氣體泄漏紅外成像儀、氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀；

2.如權(quán)利要求1所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，其特征在于：夾角的計算公式為：

3.如權(quán)利要求1所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，其特征在于：氣體泄漏紅外成像儀的光心和氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀的光心之間的距離小于氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀在標稱觀測距離l產(chǎn)生的光斑的半徑。

4.如權(quán)利要求3所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，其特征在于：光斑的半徑的計算公式為：

5.如權(quán)利要求1所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，其特征在于：還包括信號同步電路，信號同步電路用于控制氣體泄漏紅外成像儀、氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀同步進行數(shù)據(jù)采集。

6.如權(quán)利要求5所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置，其特征在于：信號同步電路包括軟件同步采集和/或硬件同步采集；

7.一種氣體泄漏紅外成像濃度反演方法，其特征在于，包括以下步驟：

8.如權(quán)利要求7所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演方法，其特征在于，氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置采用權(quán)利要求1-6中任一項所述的氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置。

9.如權(quán)利要求7所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演方法，其特征在于，

10.如權(quán)利要求7所述的一種氣體泄漏紅外成像濃度反演方法，其特征在于，步驟s5中，中心灰度偏差和濃度的關(guān)系擬合算法為：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種氣體泄漏紅外成像濃度反演裝置與方法，屬于氣體泄露的檢測與反演技術(shù)領(lǐng)域，其目的在于解決無法實現(xiàn)大場景濃度測量、以及激光束發(fā)射方向與紅外熱像儀的光軸方向一致導致在有效距離內(nèi)激光甲烷檢測模塊的觀測點與紅外圖像中心點的偏差過大、圖像中心檢測的輻射值和TDLAS檢測的濃度值不對齊的技術(shù)問題。反演裝置包括氣體泄漏紅外成像儀、氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀，并且氣體可調(diào)諧半導體激光吸收光譜檢測儀的光軸與氣體泄漏紅外成像儀的光軸存在夾角，且夾角不等于0。反演方法通過同步獲取的紅外圖像I、泄漏氣體濃度p并組成數(shù)據(jù)對，建立模型并進行擬合得到擬合參數(shù)，最后根據(jù)模型和擬合參數(shù)反演紅外圖像所對應的濃度分布。

技術(shù)研發(fā)人員：賴文杰,金貴新,太金水,勾留輝
受保護的技術(shù)使用者：成都漢威智感科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10