件，但是并不排除存在或添加 一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當我們稱元 件被"連接"或"禪接"到另一元件時，它可W直接連接或禪接到其他元件，或者也可W存在 中間元件。此外，該里使用的"連接"或"禪接"可W包括無線連接或禪接。該里使用的措 辭"和/或"包括一個或更多個相關(guān)聯(lián)的列出項的任一單元和全部組合。
[003引本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可W理解，除非另外定義，該里使用的所有術(shù)語（包括技術(shù) 術(shù)語和科學(xué)術(shù)語）具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng) 該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的 意義一致的意義，并且除非像該里一樣定義，不會用理想化或過于正式的含義來解釋。
[0039] 為便于對本發(fā)明實施例的理解，下面將結(jié)合附圖W幾個具體實施例為例做進一步 的解釋說明，且各個實施例并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限定。
[0040] 本發(fā)明設(shè)及的電動高壓直流電絕緣檢測電路如圖3所示，包括：鎖相環(huán)模塊、分壓 采集模塊、差分集成模塊、MCU。鎖相環(huán)模塊在MCU的控制下選擇電池組正極化ck+或者負 極化ck-接入，分壓采集模塊在MCU的控制下接入底盤地電阻并分壓采集接入的高電壓得 到采集信號，差分集成電路對采集信號穩(wěn)壓處理后與穩(wěn)壓處理的電源信號進行差分放大得 到測試電壓。
[0041] 鎖相環(huán)模塊的具體電路圖如圖4所示，包括：第一至第六電阻R1-R6、第一至第四 MOS管Q1-Q4、第一光禪、第二光禪，其中，第一、第立版)8管Q1、Q3為PMOS管，第二第四MOS 管Q2、Q4為NMOS管。第一、第二開關(guān)管Q1、Q2的柵極均經(jīng)過第一電阻R1接第一控制信號 M_CNT1，第=、第四開關(guān)管Q3、Q4的柵極均經(jīng)過第二電阻R2接第二控制信號M_CNT2,第= 電阻R3 -端、第四電阻R4 -端、第一開關(guān)管Q1漏極均接MCU的10輸出電壓3. 3V，第S電 阻R3另一端接第一開關(guān)管Q1柵極，第四電阻R4另一端接第=開關(guān)管Q3柵極，第一開關(guān)管 Q1源極經(jīng)過第五電阻R5接第二光禪陽極，第=開關(guān)管Q3源極經(jīng)過第六電阻R6接第一光禪 陽極，第二開關(guān)管Q2漏極接第一光禪陰極，第四開關(guān)管Q4漏極接第二光禪陰極，第二開關(guān) 管Q2源極、第四開關(guān)管Q4源極均接地，第一光禪發(fā)射極、第二光禪發(fā)射極均接電路電壓V_ CC，第一光禪集電極在其導(dǎo)通時接入電池組正高壓PACK_V+，第二光禪集電極在其導(dǎo)通時接 入電池組負高壓PACK_V-。第一、第二光禪即為光禪巧片U1。
[0042] 鎖相環(huán)模塊控制方式如下；M_CNT1和M_CNT2是兩個控制信號，M_CNT1控制Q1、Q2 的通斷，M_CNT2控制Q3、Q4的通斷。當M_CNT1和M_CNT2控制信號都是低電平L時，光控 管U1的端子U_1和U_3都處于高電平H，兩個光控管都不導(dǎo)通；當M_CNT1是低電平L和M_ CNT2是高電平H時，光控管U1的端子U_3為高電平H，U_4為低電平L，U_3和U_4之間的 管子導(dǎo)通，Pack+接入，VCC = V Pack+ ;當M_CNT1是高電平H和M_CNT2是低電平L時，光 控管U1的端子U_1為高電平H，U_2為低電平L，U_1和U_2之間的管子導(dǎo)通，Pack-接入， VCC = V化ck-;當M_CNT1和M_CNT2都是高電平H時，光控管U1的端子U_2和U_4都為 為低電平以兩個光控管都不導(dǎo)通，參看表1輸入/輸出信號分析。W上的控制方式保證了 Pack+和化ck-同一時刻只有一端接入。對應(yīng)的輸入/輸出信號分析如表1所不。
[0043] 表 1
[0044]
【主權(quán)項】
1. 一種電動高壓直流電絕緣檢測電路，其特征在于，包括： 鎖相環(huán)模塊、分壓采集模塊、差分集成模塊、MCU，其中： 鎖相環(huán)模塊的兩個輸入端信號與MCU連接，輸出端分別與電池組正極、負極連接，鎖相 環(huán)模塊輸出選擇接入電池組正極或者負極的信號至分壓采集模塊輸入端； 分壓采集模塊輸出采集信號至差分集成模塊的一個輸入端； 差分集成模塊的另一輸入端接電源，差分集成模塊對采集信號、電源信號穩(wěn)壓差分處 理后輸出測試電壓至MCU ; MCU輸出控制電池組正極或者負極接入的信號至鎖相環(huán)模塊的控制端，MCU輸出控制 底盤地電阻接入分壓采集模塊的信號至分壓采集模塊的控制端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述差分集成模塊包括： 第一射極跟隨器、第二射極跟隨器、差分運放，其中： 第一射極跟隨器的正輸入端接電源電壓，第一射極跟隨器的負輸入端與其輸出端連 接； 第二射極跟隨器的正輸入端接分壓采集模塊輸出端，第二射極跟隨器的負輸入端與其 輸出端連接； 差分運放的正輸入端接第一射極跟隨器輸出端連接，差分運放的負輸入端與第二射極 跟隨器的輸出端連接，差分運放輸出端接MCU，第一射極跟隨器、第二射極跟隨器、差分運放 的正電源輸入端均接正電源（VDD 5V); 第一射極跟隨器、第二射極跟隨器、差分運放的負電源輸入端均接地或者負電源處理 電路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路，其特征在于，所述鎖相環(huán)模塊包括： 第一至第六電阻（R1-R6)、第一至第四MOS管（Q1-Q4)、第一光耦、第二光耦（U1)，其中， 第一、第三MOS管為PMOS管，第二、第四MOS管為NMOS管，其中： 第一、第二開關(guān)管的柵極均經(jīng)過第一電阻接第一控制信號（M_CNT1)，第三、第四開關(guān)管 的柵極均經(jīng)過第二電阻接第二控制信號（M_CNT2)，第三電阻一端、第四電阻一端、第一開關(guān) 管漏極均接MCU的IO輸出電壓，第三電阻另一端接第一開關(guān)管柵極，第四電阻另一端接第 三開關(guān)管柵極，第一開關(guān)管源極經(jīng)過第五電阻接第二光耦陽極，第三開關(guān)管源極經(jīng)過第六 電阻接第一光耦陽極，第二開關(guān)管漏極接第一光耦陰極，第四開關(guān)管漏極接第二光耦陰極， 第二開關(guān)管源極、第四開關(guān)管源極均接地，第一光耦發(fā)射極、第二光耦發(fā)射極均接電路電壓 (V_CC)，第一光耦集電極在其導(dǎo)通時接入電池組正高壓，第二光耦集電極在其導(dǎo)通時接入 電池組負高壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述分壓采集模塊包括： 第七至第九電阻（R7-R9)、底盤接地電阻（RlO)、第^^一電阻（Rll)、第十二電阻（R12) 串聯(lián)組成的分壓支路，第五開關(guān)管（Q5)、第三光親（U2)、第一電容（ClB)，其中： 第七電阻一端與第八電阻一端連接在一起后接控制信號（MH_CNT)，第八電阻另一端接 第五開關(guān)管柵極，第九電阻一端接MCU的IO輸出電壓，第九電阻另一端接第三光耦的陽極， 第五開關(guān)管漏極接第三光耦陰極，第七電阻另一端、第五開關(guān)管源極、第三光耦發(fā)射極均接 地，第三光耦集電極與第十電阻一端連接，第十電阻另一端、分壓支路一端均接電池組正極 或者負極（V_CC)，分壓支路另一端接地，第一電容接在第十一、第十二電阻連接點以及地之 間，第十一、第十二電阻的連接點輸出采集信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述差分集成模塊中， 第一射極跟隨器包括：第十三電阻、第十四電阻以及第一雙電源放大器（U3A)，第二射 極跟隨器為第二雙電源放大器（U4A)，差分運放包括：第十五電阻至第十八電阻以及第三 雙電源放大器（U5A)，第一至第三雙電源放大器的正電源輸入端均接正電源（VDD)，第十四 電阻一端接正電源，第十三電阻一端接第十四電阻另一端，第十三電阻另一端接地，第一雙 電源放大器正輸入端接第十三電阻、第十四電阻的連接點，第一雙電源放大器負輸入端與 其輸出端連接，第二雙電源放大器正輸入端接采集