一種緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及散射點位置識別方法。更具體地,涉及一種緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著隱身反隱身技術(shù)的發(fā)展,對雷達(dá)目標(biāo)特性的測量精度要求越來越高。為了滿足經(jīng)典的雷達(dá)目標(biāo)特性測量遠(yuǎn)場條件,緊縮場成為雷達(dá)目標(biāo)特性測量最常用的一種方式。室內(nèi)緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量示意圖如圖1所示,緊縮場饋源發(fā)射球面電磁波,經(jīng)緊縮場反射面反射后轉(zhuǎn)換為平面波照射待測目標(biāo),入射電磁波經(jīng)待測目標(biāo)散射后,待測目標(biāo)散射波經(jīng)緊縮場反射面反射后由緊縮場饋源接收。
[0003]當(dāng)前在緊縮場內(nèi)測量雷達(dá)目標(biāo)特性時,常用的一種數(shù)據(jù)處理方式是采用掃頻測量模式,然后將掃頻結(jié)果變換到時域,通過加時域窗,剔除其它時間散射到緊縮場饋源的散射信號。如圖2所示,圖中測試曲線有多個峰值,如峰值〈1>、峰值〈2>、峰值〈3>、峰值〈4>等,圖2中峰值〈3>即代表待測雷達(dá)目標(biāo)的散射信號,對散射信號峰值〈3>加合適的時域窗函數(shù),就可以把不需要的其它散射信號(如峰值〈1>、峰值〈2>、峰值〈4>等)剔除,這些較大的峰值信號均具有明確的物理含義,與暗室的幾何布局及暗室內(nèi)部擺放物品相關(guān),這些峰值代表為緊縮場反射面反射信號、饋源直漏以及暗室后墻等某些部位的較大散射信號。由于這些散射信號被緊縮場饋源照射以及接收的時間與待測目標(biāo)散射信號到達(dá)緊縮場饋源的時間不同,所以均可以通過時間門剔除,僅得到矩形框內(nèi)的待測目標(biāo)散射信號。但這種處理方式無法剔除在緊縮場內(nèi),緊縮場饋源發(fā)射波,經(jīng)緊縮場內(nèi)的散射點散射到緊縮場饋源的干擾散射信號與緊縮場饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場反射面反射,到達(dá)待測目標(biāo),再由原路徑返回到緊縮場饋源的待測目標(biāo)散射信號時間相同的散射信號,即如果干擾散射信號與目標(biāo)散射信號時間同步,則通過現(xiàn)有的時域加門方式,無法剔除。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法,以快速找到緊縮場內(nèi)與待測目標(biāo)散射信號同時到達(dá)緊縮場饋源的有干擾作用的同步散射點位置。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0006]一種緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法,該方法包括如下步驟:
[0007]在緊縮場暗室內(nèi)建立三維直角坐標(biāo)系;
[0008]在所述三維直角坐標(biāo)系中確定緊縮場饋源所在位置T ;
[0009]根據(jù)所述緊縮場饋源的位置和測試區(qū)的位置確定緊縮場反射面所在位置;
[0010]以所述緊縮場饋源所在位置T為圓心,以緊縮場饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場反射面反射至處于測試區(qū)內(nèi)待測目標(biāo)所在位置A的發(fā)射波傳播距離為半徑,在所述緊縮場暗室中構(gòu)建一個圓球面;
[0011]所述圓球面與所述緊縮場暗室各面及其內(nèi)部各物體的交匯處即為所述緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置。
[0012]優(yōu)選地,所述三維直角坐標(biāo)系以所述緊縮場暗室任意一墻角為坐標(biāo)系原點O,以長度方向為X軸,以寬度方向為Y軸,以高度方向為Z軸。
[0013]所述在所述三維直角坐標(biāo)系中確定緊縮場饋源所在位置T ;根據(jù)所述緊縮場饋源的位置和測試區(qū)的位置確定緊縮場反射面所在位置的步驟包括:
[0014]確定所述緊縮場饋源所在位置T在所述三維直角坐標(biāo)系中的三維坐標(biāo),所述緊縮場饋源所在位置T的三維坐標(biāo)為(XT,YT, Zt);
[0015]確定所述待測目標(biāo)所在位置A的三維坐標(biāo),所述待測目標(biāo)所在位置A的三維坐標(biāo)為(ΧΑ, \,Za);
[0016]根據(jù)所述緊縮場饋源的位置和測試區(qū)的位置確定所述緊縮場反射面上反射點M的三維坐標(biāo),以待測目標(biāo)所在位置A為基準(zhǔn),與地面平行的水平線與所述緊縮場反射面的交點即為Μ,所述緊縮場反射面上反射點M的三維坐標(biāo)為(XM,YM, Zm)。
[0017]所述以所述緊縮場饋源所在位置T為圓心,以緊縮場饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場反射面反射至處于測試區(qū)內(nèi)待測目標(biāo)所在位置A的發(fā)射波傳播距離為半徑,在所述緊縮場暗室中構(gòu)建一個圓球面的步驟包括:
[0018]計算所述緊縮場饋源所在位置T到所述緊縮場反射面上反射點M的距離TM ;
[0019]計算所述緊縮場反射面上反射點M到所述待測目標(biāo)所在位置A的距離MA ;
[0020]以所述緊縮場饋源所在位置T為圓心,以(ΤΜ+ΜΑ)為半徑,在所述緊縮場暗室中構(gòu)建一個圓球面。
[0021]優(yōu)選地,所述圓球面與所述緊縮場暗室各面及暗室內(nèi)部空間物體相交的所有交匯點均為緊縮場饋源發(fā)射波到散射點再到緊縮場饋源的干擾散射信號與緊縮場饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場反射面反射到待測目標(biāo)再由原路徑返回到緊縮場饋源的待測目標(biāo)散射信號時間相同的所述緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置。
[0022]優(yōu)選地,所述緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位于所述圓球面與所述緊縮場暗室的側(cè)墻、緊縮場暗室的地面、緊縮場暗室的屋頂、緊縮場暗室的前后墻或在緊縮場暗室內(nèi)部空間存在的物體的交匯處。
[0023]優(yōu)選地,該方法的步驟進(jìn)一步包括在所述緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點處放置吸波材料或移走位于同步散射點處的物體。
[0024]在本發(fā)明中,緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點區(qū)域簡稱為同步散射點區(qū)域。
[0025]本發(fā)明的有益效果如下:
[0026]現(xiàn)有緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量信號處理方式無法剔除在緊縮場內(nèi),緊縮場饋源發(fā)射波,經(jīng)緊縮場內(nèi)的散射點散射到緊縮場饋源的干擾散射信號與緊縮場饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場反射面反射,到達(dá)待測目標(biāo),再由原路徑返回到緊縮場饋源的待測目標(biāo)散射信號時間相同的散射信號,如果緊縮場各墻及地面屋頂或暗室內(nèi)存在某些物體,這些散射部位的散射信號到達(dá)緊縮場饋源的時間與待測目標(biāo)散射信號到達(dá)緊縮場饋源的時間相等,則這些不需要的干擾散射信號也將落入圖2中的矩形框內(nèi),與待測目標(biāo)散射信號同時到達(dá),則通過簡單加時域門的方式將難以剔除。本發(fā)明的緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法可有效地解決以上不足,通過本發(fā)明方法可快速找到緊縮場內(nèi)與待測目標(biāo)散射信號同時到達(dá)緊縮場饋源的有干擾作用的同步散射點位置,通過對這些位置添加高性能的吸波材料或移去散射源,可以大幅度的降低這些部位的散射信號強度,減小這些部位散射對待測目標(biāo)散射信號測量精度的影響;如果緊縮場內(nèi)部空間存在某些物體,剔除這些干擾散射源;在實際應(yīng)用中,該方法可對緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量精度影響因素分析起到較好的輔助作用。
【附圖說明】
[0027]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0028]圖1示出緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量布局示意圖;
[0029]圖2示出現(xiàn)有緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量時域處理示意圖;
[0030]圖3示出緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步反射點區(qū)域確定示意圖。
[0031]圖4示出緊縮場暗室中的三維直角坐標(biāo)系;
[0032]圖5示出緊縮場暗室的地面的同步反射點位置;
[0033]圖6示出緊縮場暗室的屋頂?shù)耐椒瓷潼c位置;
[0034]圖7不出緊縮場暗室的兩側(cè)墻的問步反射點位置。
【具體實施方式】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明,下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的,不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0036]本發(fā)明公開一種緊縮場雷達(dá)目標(biāo)特性測量同步散射點位置識別方法,該方法的步驟包括如下:
[0037]在緊縮場暗室內(nèi)建立三維直角坐標(biāo)系;所述三維直角坐標(biāo)系以緊縮場暗室任意一墻角為坐標(biāo)系原點O,以長度方向為X軸,以寬度方向為Y軸,以高度方向為Z軸;確定緊縮場饋源I所在位置T在三維直角坐標(biāo)系中的三維坐標(biāo),所述緊縮場饋源I所在位置T的三維坐標(biāo)為(XT,YT,Zt);確定待測目標(biāo)4所在位置A的三維坐標(biāo),待測目標(biāo)4所在位置A的三維坐標(biāo)為(ΧΑ,\,Za);根據(jù)緊縮場饋源I的位置和測試區(qū)3的位置確定緊縮場反射面2上反射點M的三維坐標(biāo),以待測目標(biāo)4所在位置A為基準(zhǔn),與地面平行的水平線與所述緊縮場反射面2的交點即為Μ,緊縮場反射面2上反射點M的三維坐標(biāo)為(XM,YM, Zm);計算緊縮場饋源I所在位置T到緊縮場反射面2上反射點M的距離TM,計算緊縮場反射面2上反射點M到待測目標(biāo)4所在位置A的距離MA;以緊縮場饋源I所在位置T為圓心,以(ΤΜ+ΜΑ)為半徑,在暗室中構(gòu)建一個圓球面;這個圓球面與緊縮場暗室各面及暗室內(nèi)部空間物體相交