連接于第2差分運算部220的輸出端的檢測電阻540的另一端連接，第2反饋電流流到檢測電阻540。因此，可以從檢測電阻540的一端得到對應于檢測磁場的輸出。另外，也可以成為如下結(jié)構(gòu):第2差分運算部220的輸出端與非控制端的一端連接于第I電位(Vc)的第3場效應晶體管(未圖示)的控制端相連接，檢測電阻540的一端連接于第3場效應晶體管(未圖示)的非控制端的另一端。在此情況下，來自第2差分運算部220的輸出端的輸出控制第3場效應晶體管(未圖示)的控制端，對應于控制端信號的、流到連接于非控制端的另一端的檢測電阻540的電流成為第2反饋電流。另外，也可以替代第3場效應晶體管(未圖示)而適用雙極型晶體管、靜電感應晶體管等。再有，也可以成為第I反饋電流與第2電流個別地流到分別不同的導體的結(jié)構(gòu)。在用導體連接第I磁場產(chǎn)生導體111的一端與一端連接于Gnd的第2磁場產(chǎn)生導體121的另一端的情況下，能夠使第I反饋電流與第2電流變得相同。
[0072]另外，檢測電阻540的另一端連接于第2磁場產(chǎn)生部120所具有的第3磁場產(chǎn)生導體122的一端，因而通過第2反饋電流從第2差分運算部220的輸出端流到第2磁場產(chǎn)生部120所具有的第3磁場產(chǎn)生導體122，從而第2磁場產(chǎn)生部120產(chǎn)生減少檢測磁場的與檢測磁場相反方向的第2反饋電流磁場。這里，相對于檢測磁場相反方向是指減少第2磁場檢測兀件20的對應于檢測磁場的檢測量而成為不同符號的磁場的方向。另外，也同樣適用于第2磁場檢測部420所具有的第2磁場檢測元件20以外的磁場檢測元件。即，第2差分運算部220以使第2反饋電流流到第3磁場產(chǎn)生導體122的方式進行動作。因此，第
2磁場產(chǎn)生部120會產(chǎn)生對應于流到第2磁場產(chǎn)生導體121的第2電流的第2電流磁場以及對應于流到第3磁場產(chǎn)生導體122的第2反饋電流的第2反饋電流磁場。因此，對應于減少檢測磁場的第2反饋電流的與檢測磁場相反方向的第2反饋電流磁場、以及對應于減少環(huán)境磁場的第I反饋電流的與環(huán)境磁場相反方向的第2電流磁場被賦給第2磁場檢測元件20。
[0073]再有，也可以將檢測電阻540的另一端連接于第2磁場產(chǎn)生導體121的一端，使第2電流和第2反饋電流流到第2磁場產(chǎn)生導體121。在此情況下，會產(chǎn)生對應于流到第2磁場產(chǎn)生導體121的第2電流和第2反饋電流的磁場。因此，能夠減少部件個數(shù)。另外，如果第I磁場產(chǎn)生導體111是螺線管形狀，則第2磁場產(chǎn)生導體121可以做成與第I磁場產(chǎn)生導體111同等的螺線管形狀。此外，通過對第I磁場產(chǎn)生導體111與第2磁場產(chǎn)生導體121利用相同的材料，從而不需要利用第3磁場產(chǎn)生導體122，因而能夠進一步減少溫度系數(shù)的依賴性。另外，由于不需要考慮第2磁場產(chǎn)生導體121和第3磁場產(chǎn)生導體122所產(chǎn)生的各個磁場的相互作用，因此可以擴大檢測磁場的區(qū)域。
[0074]再有，以第2電位為-Vc并且第3電位為Gnd進行了說明，但是并不限定于此，也可以使第2電位為Gnd并且第3電位為Vc/2。
[0075]如此，在本實施方式2中，每當檢測環(huán)境磁場檢測磁場時，對應于第2反饋電流和第2電流的磁場被賦給第2磁場檢測部420。因此，使對應于第2差分運算部220的輸出來減少檢測磁場的第2反饋電流流到第2磁場產(chǎn)生部120，形成電流反饋環(huán)路，因而第2磁場檢測部420所具有的第2磁場檢測元件20的電阻變化AR以相對于檢測磁場總是為零的方式被控制，因而與實施方式I相比較可以一邊抑制起因于環(huán)境溫度的第2磁場檢測部420的相對于檢測磁場的輸出變動(溫度漂移)一邊檢測檢測磁場。另外，通過形成電流反饋環(huán)路從而第2磁場檢測部420所具有的第2磁場檢測元件20的動作區(qū)域受到限制，抑制了電阻變化AR的起因于溫度的變動量，因而也可以改善第2磁場檢測部420的輸出的線性。
[0076](實施例1)
[0077]圖4是實施例1的第I磁場檢測部410的結(jié)構(gòu)圖。磁場檢測部410具備第I差分運算電路211、第I磁阻元件10、第3至第5磁阻元件(30、40、50)。這里，第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50)是S-V巨磁阻元件，成為形成在基板上并且層疊有自由層、導電層和釘扎層的構(gòu)造。第I磁阻元件10的一端連接于第I電位(Vc)，第I磁阻元件10的另一端與第3磁阻元件30的另一端連接，第3磁阻元件30的一端連接于第3電位(Gnd)。第4磁阻元件40的一端連接于第I電位(Vc)，第4磁阻元件40的另一端與第5磁阻元件50的另一端連接，第5磁阻元件50的一端連接于第3電位(Gnd)。這里，第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50)配置在同一個平面，以第I磁阻元件10與第3磁阻元件30的長邊方向在同一直線上的方式配置，并且以第4磁阻元件40與第5磁阻元件50的長邊方向在同一直線上的方式配置。第I磁阻元件10、第3至第5磁阻元件(30、40、50)所具有的各個釘扎層的釘扎方向與長邊方向垂直,并且第3磁阻兀件30的釘扎方向相對于第I磁阻兀件10為相反方向，第5磁阻兀件50的釘扎方向相對于第4磁阻兀件40為相反方向。另外，對角配置的第I磁阻元件10與第5磁阻元件50、第3磁阻元件30與第4磁阻元件40的釘扎方向為同一個方向。此外，第I磁阻元件10和第3磁阻元件30與第4磁阻元件40和第5磁阻元件50互相平行地配置。通過這樣配置第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50)，從而第1磁阻元件10與第3磁阻元件30的連接電位(Vl)相對于某個方向的環(huán)境磁場發(fā)生變動，第4磁阻元件40與第5磁阻元件50的連接電位(V2)以與第I磁阻元件10和第3磁阻元件30的連接電位(Vl)相反的極性表現(xiàn)同等的變動，因而可以增大第I差分運算電路211的輸入電位差。即，會提高對應于環(huán)境磁場而輸出的第I差分運算電路211的輸出精度。
[0078]圖5是實施例1的第2磁場檢測部420和第2磁場產(chǎn)生部120所具有的第3磁場產(chǎn)生導體122的結(jié)構(gòu)圖。第2磁場檢測部420具備第4差分運算電路221、檢測電阻540、第2磁阻元件20、第6至第8磁阻元件(60、70、80)。這里，第2磁阻元件20和第6至第8磁阻元件出0、70、80)是S-V巨磁阻元件，成為形成在基板上并且層疊有自由層、導電層和釘扎層的構(gòu)造。另外，在第2磁阻元件20、第6至第8磁阻元件(60、70、80)之上形成有絕緣膜，在其上部與絕緣膜一體地形成有第3磁場產(chǎn)生導體122。第2磁阻元件20的一端連接于第I電位(Vc),第2磁阻兀件20的另一端與第6磁阻兀件60的另一端相連接,第6磁阻元件60的一端連接于第3電位(Gnd)。第7磁阻元件70的一端連接于第I電位(Vc)，第7磁阻元件70的另一端與第8磁阻元件80的另一端相連接，第8磁阻元件80的一端連接于第3電位(Gnd)。這里，第2磁阻元件20與第6至第8磁阻元件(60、70、80)配置在同一個平面，以第2磁阻元件20與第6磁阻元件60的長邊方向在同一直線上的方式配置，并且以第7磁阻元件70與第8磁阻元件80的長邊方向在同一直線上的方式配置。第2磁阻元件20、第6至第8磁阻元件出0、70、80)所具有的各個釘扎層的釘扎方向與長邊方向垂直，并且第6磁阻兀件60的釘扎方向相對于第2磁阻兀件20為相反方向，第8磁阻兀件80的釘扎方向相對于第7磁阻元件70為相反方向。另外，對角配置的第2磁阻元件20與第8磁阻兀件80、第6磁阻兀件60與第7磁阻兀件70的釘扎方向為同一個方向。此外，第2磁阻元件20和第6磁阻元件60、與第7磁阻元件70和第8磁阻元件80互相平行地配置。第3磁場產(chǎn)生導體122以在第2磁阻兀件20和第6磁阻兀件60的上部成為同一直線上的第I導電體部123且在第7磁阻元件70和第8磁阻元件80的上部也成為同一直線上的第2導電體部124的方式配置，并且以將與檢測磁場相反方向的磁場賦給第2磁阻元件20和第6至第8磁阻元件出0、70、80)的方式配置。這里，在是平行配置的同一材料、線寬和長度的第I和第2導電體部(123、124)之間的中央，直線狀的第3導電體部125與第I和第2導電體(123、124)平行地存在。另外，第I方向的第I和第3導電體部(123、125)的一端彼此連接，與第I方向相反方向的第2和第3導線體部(123、125)的另一端彼此連接。通過這樣配置第2磁阻元件20和第6至第8磁阻元件出0、70、80)、以及第3磁場產(chǎn)生導體122，從而第2磁阻元件20與第6磁阻元件60的連接電位(V3)相對于檢測磁場發(fā)生變動，第7磁阻元件70與第8磁阻元件80的連接電位(V4)以與第2磁阻元件20和第6磁阻元件60的連接電位(V3)相反的極性表現(xiàn)同等的變動，因而可以增大第4差分運算電路221的輸入電位差。即，可以提高對應于檢測磁場而輸出的第4差分運算電路221的輸出的精度。另外，第4差分運算電路221的輸出端與一端連接于第3磁場產(chǎn)生導體122的第I導電體部123的另一端的檢測電阻540的另一端連接，第3磁場產(chǎn)生導體122的第2導電體部124的一端連接于第3電位(Gnd)。
[0079]圖6是實施例1的磁場檢測裝置3的結(jié)構(gòu)圖。在貼裝基板Ia貼裝有具有圖4所示的第I差分運算電路211的第I磁場檢測部410以及具有圖5所示的第4差分運算電路221的第2磁場檢測部420和第2磁場產(chǎn)生部120所具有的第3磁場產(chǎn)生導體122。這里，第I磁場產(chǎn)生導體111是與第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50)分開設置，并且以包圍第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50)的方式設置的第I螺線管線圈，第2磁場產(chǎn)生導體121是與第2磁阻元件20和第6至第8磁阻元件(60、70、80)分開設置，并且以包圍第2磁阻元件20和第6至第8磁阻元件(60、70、80)的方式設置的第2螺線管線圈。再有，第I和第2螺線管線圈為匝數(shù)、卷繞方向、材質(zhì)、寬度、長度同等的線圈。另外，第I和第2螺線管線圈分別配置在貼裝基板Ia的兩個端部側(cè)，并且以第I和第2螺線管線圈的中心線平行的方式配置。這里，中心線是指在從長度方向看螺線管線圈的情況下的延長螺線管線圈的中心的直線。第I磁場產(chǎn)生部110所具有的第I磁場產(chǎn)生導體111以將與環(huán)境磁場相反方向的第I反饋電流磁場賦給第I磁阻元件10和第3至第5磁阻元件(30、40、50