Mems壓力傳感器及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS壓力傳感器及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-ElectroMechanical System，簡(jiǎn)稱MEMS)是一種獲取信息、處理信息和執(zhí)行操作的集成器件。微機(jī)電系統(tǒng)中的傳感器能夠接收壓力、位置、速度、加速度、磁場(chǎng)、溫度或濕度等外部信息，并將所獲得的外部信息轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，以便于在微機(jī)電系統(tǒng)中進(jìn)行處理。常見的微機(jī)電系統(tǒng)包括溫度傳感器、壓力傳感器和濕度傳感器等。
[0003]對(duì)于MEMS壓力傳感器來(lái)說(shuō)，其尺寸更微小、且工藝精度，而且其制作工藝能夠與集成電路芯片的制造工藝兼容，因而使性價(jià)比大幅提高。目前的MEMS壓力傳感器包括壓阻式壓力傳感器和電容式壓力傳感器。壓阻式壓力傳感器利用硅電阻在應(yīng)(壓)力作用下，電阻能夠發(fā)生變化的原理，采用高精密硅電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電阻橋作為力電變換測(cè)量電路，具有較高的測(cè)量精度、較低的功耗。
[0004]MEMS壓阻式壓力傳感器的傳統(tǒng)制作方法是先利用離子注入或擴(kuò)散工藝在硅襯底中形成多個(gè)電阻或惠斯頓電阻橋，然后將電阻所在的硅襯底區(qū)域用濕法或干法刻蝕工藝形成感應(yīng)薄膜，最后通過(guò)密封工藝在感應(yīng)薄膜的背后形成壓力參照腔，封裝后形成壓力傳感器芯片。所述感應(yīng)薄膜在外界壓力下產(chǎn)生形變及應(yīng)力，于是電阻或電阻橋的阻值隨之產(chǎn)生變化，在電壓偏置下，上述阻值變化被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)并被信號(hào)處理電路放大后作為輸出信號(hào)。
[0005]而所述壓力傳感器芯片還需要與信號(hào)處理電路實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸，以便對(duì)壓力傳感器芯片輸出的電信號(hào)進(jìn)行處理，因此，需要對(duì)將所述壓力傳感器芯片與信號(hào)處理電路芯片進(jìn)行系統(tǒng)封裝以形成MEMS壓阻式壓力傳感器。
[0006]在現(xiàn)有的MEMS壓力傳感器制作方法中，集成壓力傳感器芯片和信號(hào)處理電路的工藝采用的工藝區(qū)別較大，實(shí)現(xiàn)單片集成的難度較大。同時(shí)，在單一襯底同時(shí)制作集成電路和壓力傳感器時(shí)，壓力傳感器的存在對(duì)集成電路的發(fā)展起到了阻礙的作用，在同一襯底上集成電路的存在也給小尺寸壓力傳感器的制作造成了困難。因此，用單一襯底作集成電路和壓力傳感器的制程較為復(fù)雜，所形成的器件尺寸較大，造成制造成本的提高。
[0007]在單一襯底上制作集成的壓力傳感器和電路時(shí)，如果先制作壓力傳感器的部件，后制作電路，壓力傳感器的工藝往往對(duì)襯底造成影響，導(dǎo)致集成電路制作的困難的成品率的降低。如果先制作集成電路，后制作壓力傳感器，集成電路的存在對(duì)壓力傳感器材料的選擇以及加工工藝的溫度有很大的限制，從而嚴(yán)重降低壓力傳感器的性能。
[0008]因此，急需一種可以有效集成壓力傳感器和集成電路的方法和結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明解決的問題是提供一種MEMS壓力傳感器及其形成方法，所述MEMS壓力傳感器制作方法中，制作工藝相互獨(dú)立，材料選擇自由，成品率高，后續(xù)集成方法簡(jiǎn)單，從而形成的集成壓力傳感器性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
[0010]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器的形成方法，包括:供第一襯底，所述第一襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；提供第二襯底，所述第二襯底包括相對(duì)的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上的壓敏電阻元件，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電阻元件位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電阻元件位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔；去除所述第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對(duì)的第五表面；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電阻元件形成電連接。
[0011]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0012]可選的，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層內(nèi)形成壓敏電阻元件，所述基底為第二基底。
[0013]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0014]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0015]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0016]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工
-H-
O
[0017]可選的，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0018]可選的，所述第一襯底還包括自測(cè)電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測(cè)電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0019]可選的，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0020]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0021]可選的，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0022]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器的形成方法，包括:提供第一襯底，所述第一襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；提供第二襯底，所述第二襯底包括相對(duì)的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電阻元件，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電阻元件位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電阻元件位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔；對(duì)所述第二襯底的第四表面進(jìn)行減薄，去除部分厚度的第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對(duì)的第五表面；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電阻元件形成電連接。
[0023]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0024]可選的，在對(duì)所述第二襯底的第四表面進(jìn)行減薄之后，在所述第二襯底內(nèi)形成第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對(duì)應(yīng)。
[0025]可選的，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層內(nèi)形成壓敏電阻元件，所述基底為第二基底。
[0026]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0027]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0028]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0029]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工
-H-
O
[0030]可選的，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0031]可選的，所述第一襯底還包括自測(cè)電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測(cè)電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0032]可選的，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0033]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0034]可選的，還包括:在所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成至少一個(gè)貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對(duì)應(yīng)。
[0035]可選的，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0036]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:第一襯底，所述第一襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；第二襯底，所述第二襯底包括相對(duì)的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括壓敏電阻元件，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電阻元件位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)；所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電阻元件電連接。
[0037]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0038]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0039]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0040]可選的，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0041]可選的，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
[0042]可選的，所述第一襯底還包括自測(cè)電極，所述自測(cè)電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0043]可選的，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0044]可選的，還包括:貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0045]可選的，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0046]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:第一襯底，所述第一襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；第二襯底，所述第二襯底包括相對(duì)的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電阻元件，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電阻元件位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)；所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電阻元件電連接。
[0047]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0048]可選的，所述第二襯底內(nèi)具有第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對(duì)應(yīng)。
[0049]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0050]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0051]可選的，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0052]可選的，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
[0053]可選的，所述第一襯底還包括自測(cè)電極，所述自測(cè)電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0054]可選的，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0055]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對(duì)應(yīng)。
[0056]可選的，還包括:至少一個(gè)位于所述第二襯底的第五表面一側(cè)并貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對(duì)應(yīng)。
[0057]可選的，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0058]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0059]本發(fā)明的一種形成方法中，提供包括導(dǎo)電層的第一襯底、以及包括壓敏電阻元件的第二襯底；而所述導(dǎo)電層位于第一襯底的第一表面一側(cè)，所述壓敏電阻元件位于第二襯底的第三表面一側(cè)；通過(guò)將所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，能夠形成第一襯底與第二襯底的疊層結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電層能夠用于對(duì)所述壓敏電阻元件輸出的電信號(hào)進(jìn)行傳輸，而為了使所述導(dǎo)電層與壓敏電阻元件之間能夠?qū)崿F(xiàn)電連接，需要在去除第二基底并形成于第三表面相對(duì)的第五表面之后，形成第二襯底的第五表面貫穿至導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞；由于所述第二襯底的第五表面暴露出所述第一導(dǎo)電插塞，因此后續(xù)易于形成于所述第一導(dǎo)電插塞頂部以及壓敏電阻元件電連接的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)所述壓敏電阻元件與導(dǎo)電層之間的電連接。
[0060]由于所述導(dǎo)電層形成于第一襯底內(nèi)，所述壓敏電阻元件形成于第二襯底內(nèi)，并通過(guò)使第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，以形成第一襯底與第二襯底重疊，從而避免了在同一基底上方逐層形成導(dǎo)電層、與導(dǎo)電層重疊的壓敏電阻元件、以及與所述壓敏電阻元件與基底之間的空腔的步驟，能夠降低工藝難度，尤其是形成空腔的工藝難度。而且，能夠避免形成第一襯底的工藝溫度限制影響第二襯底的制造工藝，所述第二襯底以及內(nèi)部的壓敏電阻元件的材料以及工藝選擇更廣泛，所形成的壓敏電阻元件的性能也更為優(yōu)化。
[0061]由于所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面直接接觸，則所述第一表面與第三表面的接觸面積較大，使得第一襯底和第二襯底之間的相互支撐強(qiáng)度更高，所述第一襯底和第二襯底不易發(fā)生彎折、斷裂或形變，使得所形成的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定，耐用性得到提高。
[0062]其次，上述方法導(dǎo)致由第二襯底的第四表面至第一襯底的第二表面之間的距離較小，有利于使所形成的壓力傳感器的尺寸減小，而且能夠使制造成本降低。
[0063]而且，由于通過(guò)形成自第二襯底的第五表面貫穿至導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層與壓敏電阻元件之間的電連接，則無(wú)需在第一襯底第一表面與第二襯底第三表面之間設(shè)置額外的導(dǎo)電層，能夠避免所述額外的導(dǎo)電層在第一表面和第三表面之間產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而影響壓敏電阻元件和導(dǎo)電層的性能。而且，所述第一襯底第一表面的材料、以及第二襯底第三表面的材料不受限制，能夠避免第一表面的材料與第三表面之間的材料熱膨脹系數(shù)過(guò)大，能夠使所形成的壓力傳感器件性能更穩(wěn)定；而且，形成第一襯底和第二襯底的工藝靈活度更高，則所述壓力傳感器的制造工藝應(yīng)用更廣泛，更有利于與其它集成導(dǎo)電層制程相兼容，而且制造成本降低。
[0064]進(jìn)一步，所述第一襯底包括電路，由于第一襯底與第二襯底重疊，因此，所述電路能夠?qū)λ龅诙r底內(nèi)的壓敏電阻元件輸出的電信號(hào)進(jìn)行處理。
[0065]進(jìn)一步，以提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底形成所述第二襯底。其中，通過(guò)對(duì)所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體層進(jìn)行離子摻雜，能夠形成壓敏電阻元件，所述壓敏電阻元件在受到應(yīng)力作用下能夠發(fā)生形變，以引起電阻變化，從而輸出與所受壓力有關(guān)的電信號(hào)。由于所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體層為單晶半導(dǎo)體材料，通過(guò)在所述單晶半導(dǎo)體材料中摻雜離子所形成的壓敏電阻元件具有良好的壓力敏感特性，能夠使所形成的壓敏電阻元件的靈敏度及耐久度提高。
[0066]進(jìn)一步，在所述第二襯底的第三表面、第一襯底的第一表面、或者第一表面和第三表面同時(shí)形成第一開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，由所述第一開口和第一襯底第一表面構(gòu)成位于壓敏電阻元件和導(dǎo)電層之間的空腔。由于除第一開口的位置之外，第一表面和第三表面大面積接觸，因此固定后的第一襯底和第二襯底總厚度較小，且第一襯底和第二襯底的機(jī)械強(qiáng)度較高，所形成的壓力傳感器的性能更強(qiáng)。
[0067]進(jìn)一步，所述第一襯底還包括自測(cè)電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測(cè)電極的位置與所述壓敏電阻元件的位置對(duì)應(yīng)。所述自測(cè)電極能夠?qū)λ鰤好綦娮柙a(chǎn)生靜電引力，以此檢測(cè)所述壓敏電阻元件是否能因形變而產(chǎn)生電阻變化，從而檢測(cè)所述壓敏電阻元件是否能夠正常工作。
[0068]進(jìn)一步，所述第二襯底包括敏感探測(cè)單元區(qū)和參考單元區(qū)，所述空腔分別形成于所述敏感探測(cè)單元區(qū)和參考單元區(qū)內(nèi)；例如在所述參考單元區(qū)的第二襯底第五表面可以形成覆蓋層，因此，在所述參考單元區(qū)，能夠避免或減小外部壓力對(duì)壓敏電阻元件產(chǎn)生電阻變化，而使所述參考單元區(qū)的壓敏電阻元件能夠隨壓力以外的因素而產(chǎn)生電阻變化。將所述敏感探測(cè)區(qū)的壓敏電阻元件輸出的電信號(hào)去除所述參考單元區(qū)的壓敏電阻元件輸出的電信號(hào)，則能夠獲得僅受外部壓力影響而產(chǎn)生的電信號(hào)。因此，所形成的壓力傳感器的精確度
[