芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路的測試方法，尤其涉及一種芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]由于芯片在生產(chǎn)過程中存在工藝偏差，芯片的所有參數(shù)最終會(huì)呈正態(tài)分布，從而影響產(chǎn)品參數(shù)的精度，其中某些參數(shù)會(huì)超出產(chǎn)品規(guī)格書所要求的范圍，從而影響產(chǎn)品的良率。為了提高產(chǎn)品參數(shù)精度和良率，通常會(huì)在芯片生產(chǎn)完成之后對(duì)所有的參數(shù)進(jìn)行測量，然后根據(jù)測量結(jié)果對(duì)其中的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行修調(diào)。
[0003]常用的修調(diào)方法是在Chip Probe測試階段進(jìn)行，在芯片封裝之前測量關(guān)鍵參數(shù)，然后用激光熔斷修調(diào)電路中的某些熔絲，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)關(guān)鍵參數(shù)的修調(diào)。該方法實(shí)現(xiàn)過程簡單，修調(diào)電路面積小，但是增加了 Chip Probe測試的工序，增加了測試成本；另外由于該修調(diào)方法是在封裝之前完成的，后續(xù)的封裝工藝還會(huì)進(jìn)一步的影響參數(shù)的精度，所以該方法對(duì)最終廣品的參數(shù)精度和良率的提尚并不十分的理想。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述成本高、參數(shù)精度和良率的提升效果較差的試缺陷，提供一種芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種芯片參數(shù)修調(diào)電路，用于對(duì)封裝后的芯片的參數(shù)進(jìn)行修調(diào)，其中，所述修調(diào)電路包括控制單元和分別連接至所述控制單元的至少一個(gè)修調(diào)單元；
[0006]所述控制單元用于給每個(gè)修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號(hào)；每個(gè)修調(diào)單元用于接收一組修調(diào)信號(hào)并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號(hào)永久性的輸出一組邏輯信號(hào)，所述的一組邏輯信號(hào)用于對(duì)一個(gè)參數(shù)進(jìn)行修調(diào)控制。
[0007]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述的一組修調(diào)信號(hào)包括多個(gè)修調(diào)位信號(hào)，每個(gè)修調(diào)單元包括數(shù)量與所述多個(gè)修調(diào)位信號(hào)對(duì)應(yīng)的多個(gè)開關(guān)電路和多個(gè)修調(diào)位執(zhí)行電路；每個(gè)所述開關(guān)電路分別連接至所述控制單元，每個(gè)所述修調(diào)位執(zhí)行電路連接至對(duì)應(yīng)的開關(guān)電路；
[0008]所述開關(guān)電路用于獲取對(duì)應(yīng)的修調(diào)位信號(hào)并根據(jù)該修調(diào)位信號(hào)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)閉；所述修調(diào)位執(zhí)行電路用于在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前輸出代表不進(jìn)行位修調(diào)的電平信號(hào)、在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后永久性的輸出代表進(jìn)行位修調(diào)的電平信號(hào)，一個(gè)修調(diào)單元內(nèi)的所有的修調(diào)位執(zhí)行電路輸出的電平信號(hào)組合形成所述的一組邏輯信號(hào)。
[0009]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述修調(diào)位執(zhí)行電路包括:低壓PMOS管、兩個(gè)開關(guān)器件、下拉電阻、比較器；
[0010]所述低壓PMOS管的柵極通過所述開關(guān)電路連接至芯片內(nèi)部高壓電源，所述低壓PMOS管的柵極還通過下拉電阻連接至比較器的反相輸入端，且該反相輸入端還通過一個(gè)開關(guān)器件連接至芯片內(nèi)部低壓電源，所述比較器的同相輸入端接收預(yù)設(shè)比較電壓，所述比較器的輸出端用于輸出所述電平信號(hào)，所述低壓PMOS管的漏極和源極連接后通過另一個(gè)開關(guān)器件連接至芯片內(nèi)部接地點(diǎn)。
[0011 ] 本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述兩個(gè)開關(guān)器件包括MOS管或三極管。
[0012]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述開關(guān)電路包括MOS管或三極管。
[0013]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述控制單元包括依次連接的測試電路、串并行轉(zhuǎn)換電路、電平轉(zhuǎn)換電路；
[0014]所述測試電路用于在接收到測試使能信號(hào)后進(jìn)入測試模式并接收串行修調(diào)控制信號(hào)；所述串并行轉(zhuǎn)換電路用于將所述串行修調(diào)控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為并行修調(diào)控制信號(hào)；所述電平轉(zhuǎn)換電路用于將該并行修調(diào)控制信號(hào)進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換得到所述的一組修調(diào)信號(hào)。
[0015]本發(fā)明還公開了一種包括所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路的芯片。
[0016]本發(fā)明還公開了一種基于所述芯片參數(shù)修調(diào)電路的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，包括如下步驟:
[0017]S1、控制單元給每個(gè)修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號(hào)；
[0018]S2、每個(gè)修調(diào)單元接收一組修調(diào)信號(hào)并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號(hào)永久性的輸出一組邏輯信號(hào)，所述的一組邏輯信號(hào)用于對(duì)一個(gè)參數(shù)進(jìn)行修調(diào)控制。
[0019]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，所述控制單元包括測試電路、串并行轉(zhuǎn)換電路、電平轉(zhuǎn)換電路；所述的一組修調(diào)信號(hào)包括多個(gè)修調(diào)位信號(hào)，每個(gè)修調(diào)單元包括數(shù)量與所述多個(gè)修調(diào)位信號(hào)對(duì)應(yīng)的多個(gè)開關(guān)電路和多個(gè)修調(diào)位執(zhí)行電路；
[0020]所述步驟SI包括如下步驟:
[0021]S11、測試電路在接收到測試使能信號(hào)后進(jìn)入測試模式并接收串行修調(diào)控制信號(hào);
[0022]S12、串并行轉(zhuǎn)換電路將所述串行修調(diào)控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為并行修調(diào)控制信號(hào)；
[0023]S13、電平轉(zhuǎn)換電路將該并行修調(diào)控制信號(hào)進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換得到所述的一組修調(diào)信號(hào)。
[0024]所述步驟S2包括如下步驟:
[0025]S21、開關(guān)電路獲取對(duì)應(yīng)的修調(diào)位信號(hào)并根據(jù)該修調(diào)位信號(hào)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)閉；
[0026]S22、修調(diào)位執(zhí)行電路在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前輸出代表不進(jìn)行位修調(diào)的電平信號(hào)、在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后永久性的輸出代表進(jìn)行位修調(diào)的電平信號(hào)；
[0027]S23、一個(gè)修調(diào)單元內(nèi)的所有的修調(diào)位執(zhí)行電路輸出的電平信號(hào)組合形成所述的一組邏輯信號(hào)。
[0028]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，所述修調(diào)位執(zhí)行電路包括低壓PMOS管和比較器，在所述步驟S22中，
[0029]在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前，所述低壓PMOS管的柵氧將所述低壓PMOS管的柵極與源極、漏極隔離，所述比較器的反相輸入端連接至芯片內(nèi)部低壓電源，所述比較器輸出代表不進(jìn)行位修調(diào)的低電平信號(hào)；
[0030]在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后，所述低壓PMOS管的柵極經(jīng)由所述開關(guān)電路連接至內(nèi)部高壓電源，所述低壓PMOS管的柵氧在所述內(nèi)部高壓電源的作用下被擊穿且不可恢復(fù)，所述比較器的反相輸入端經(jīng)所述PMOS管接地，所述比較器輸出代表進(jìn)行位修調(diào)的高電平信號(hào)。
[0031]實(shí)施本發(fā)明的芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片，具有以下有益效果:本發(fā)明在芯片封裝后執(zhí)行參數(shù)修調(diào)，給每個(gè)修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號(hào)，每個(gè)修調(diào)單元根據(jù)所述一組修調(diào)信號(hào)永久性的輸出一組邏輯信號(hào)，所述的一組邏輯信號(hào)實(shí)現(xiàn)對(duì)一個(gè)參數(shù)進(jìn)行修調(diào)控制。該方法減少了 ChipProbe測試的工序，降低了測試成本，另外由于該修調(diào)方法是在封裝之后完成的，修調(diào)已經(jīng)包含了封裝工藝對(duì)參數(shù)的影響，所以該方法可以極大地提尚最終廣品的參數(shù)精度和良率。
【附圖說明】
[0032]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0033]圖1是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的較佳實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
[0036]圖1是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]本發(fā)明的芯片參數(shù)修調(diào)電路，用于對(duì)封裝后的芯片的參數(shù)進(jìn)行修調(diào)，所述修調(diào)電路包括控制單元10和分別連接至所述控制單元10的至少一個(gè)修調(diào)單元20 ；
[0038]所述控制單元10用于給每個(gè)修調(diào)單元20發(fā)送一組修調(diào)信號(hào)；每個(gè)修調(diào)單元20用于接收一組修調(diào)信號(hào)并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號(hào)永久性的輸出一組邏輯信號(hào)，所述的一組邏輯信號(hào)用于對(duì)一個(gè)參數(shù)進(jìn)行修調(diào)控制。
[0039]所述的一組修調(diào)信號(hào)包括多個(gè)修調(diào)位信號(hào)，