銀溶液(2.0mM)進(jìn)行反應(yīng)30分鐘，根據(jù)電化學(xué)反應(yīng)原理，銀離子被S1-H鍵還原，在硅片表面原位生長一層均勻銀納米粒子，從而得到表面修飾銀納米顆粒的硅晶片，放入含有50mM 4-巰基苯硼酸的溶液中震蕩反應(yīng)24h，最后用氮?dú)獯蹈杀砻妫纯傻玫焦杌鵖ERS多功能芯片。
[0059]將得到的硅基SERS多功能芯片加入5.0 X 12ce11.mL—1細(xì)菌的溶液中，緩慢攪動(dòng)30min，確保細(xì)菌較均一地吸附在芯片表面，除去細(xì)菌溶液，用PBS緩沖液沖洗芯片3次除去非特異吸附的細(xì)菌，拉曼分析細(xì)菌特征圖譜；將得到的硅基SERS多功能芯片與
1.0X 13Cell 細(xì)菌溶液在37°C的恒溫振蕩儀中培養(yǎng)18小時(shí)，隨后轉(zhuǎn)移到其他的圓底試管中，用數(shù)碼相機(jī)對樣品拍照記錄，然后取一定量的菌液，經(jīng)過適當(dāng)?shù)南♂尯螅鶆虻耐坎荚贚B瓊脂板上，然后將瓊脂板倒置，在37°C下培養(yǎng)24小時(shí)，隨后用凝膠成像儀對生長在瓊脂板上的菌落進(jìn)行成像，然后對瓊脂板上的菌落進(jìn)行計(jì)數(shù)來考察芯片抗菌能力。
[0060]實(shí)施例6
[0061]取Icm2大小單硅晶片3?6片置于潔凈燒杯中于超聲儀中依次用去離子水、丙酮、去離子水超聲15分鐘，得到表面無雜質(zhì)無有機(jī)物的娃片備用。取40mL 98wt%硫酸和30wt%的過氧化氫體積比3:1的混合溶液，邊加邊緩慢搖勻。然后將硅片投入其中浸泡30分鐘后以去除難溶雜質(zhì)，然后去離子水清洗3?5次去除反應(yīng)溶液備用。
[0062]用10被％氫氟酸浸泡硅片20分鐘去除硅片表面的二氧化硅氧化層，使硅片表面形成S1-H鍵，然后將硅片平鋪于培養(yǎng)皿中，光面朝上，向其中迅速加入15mL硝酸銀溶液(2.5mM)進(jìn)行反應(yīng)20分鐘，根據(jù)電化學(xué)反應(yīng)原理，銀離子被S1-H鍵還原，在硅片表面原位生長一層均勻銀納米粒子，從而得到表面修飾銀納米顆粒的硅晶片，放入含有0.1mM萬古霉素的溶液中震蕩反應(yīng)6h，最后用氮?dú)獯蹈杀砻?，即可得到硅基SERS多功能芯片。
[0063]將得到的硅基SERS多功能芯片加入5.0 X 12ce11.mL—1細(xì)菌的溶液中，緩慢攪動(dòng)30min，確保細(xì)菌較均一地吸附在芯片表面，除去細(xì)菌溶液，用PBS緩沖液沖洗芯片3次除去非特異吸附的細(xì)菌，拉曼分析細(xì)菌特征圖譜；將得到的硅基SERS多功能芯片與
1.0X 13Cell 細(xì)菌溶液在37°C的恒溫振蕩儀中培養(yǎng)18小時(shí)，隨后轉(zhuǎn)移到其他的圓底試管中，用數(shù)碼相機(jī)對樣品拍照記錄，然后取一定量的菌液，經(jīng)過適當(dāng)?shù)南♂尯?，均勻的涂布在LB瓊脂板上，然后將瓊脂板倒置，在37°C下培養(yǎng)24小時(shí)，隨后用凝膠成像儀對生長在瓊脂板上的菌落進(jìn)行成像，然后對瓊脂板上的菌落進(jìn)行計(jì)數(shù)來考察芯片抗菌能力。
[0064]實(shí)施例7
[0065]取Icm2大小單硅晶片3?6片置于潔凈燒杯中于超聲儀中依次用去離子水、丙酮、去離子水超聲15分鐘，得到表面無雜質(zhì)無有機(jī)物的娃片備用。取40mL 98wt%硫酸和30wt%的過氧化氫體積比3:1的混合溶液，邊加邊緩慢搖勻。然后將硅片投入其中浸泡30分鐘后以去除難溶雜質(zhì)，然后去離子水清洗3?5次去除反應(yīng)溶液備用。
[0066]用15?1:%氫氟酸浸泡娃片20分鐘去除娃片表面的二氧化娃氧化層，使娃片表面形成S1-H鍵，然后將硅片平鋪于培養(yǎng)皿中，光面朝上，向其中迅速加入15mL硝酸銀溶液(3.0mM)進(jìn)行反應(yīng)30分鐘，根據(jù)電化學(xué)反應(yīng)原理，銀離子被S1-H鍵還原，在硅片表面原位生長一層均勻銀納米粒子，從而得到表面修飾銀納米顆粒的硅晶片，放入含有ImM萬古霉素的溶液中震蕩反應(yīng)12h，最后用氮?dú)獯蹈杀砻?，即可得到硅基SERS多功能芯片。
[0067]將得到的硅基SERS多功能芯片加入5.0 X 12ce11.mL—1細(xì)菌的溶液中，緩慢攪動(dòng)30min，確保細(xì)菌較均一地吸附在芯片表面，除去細(xì)菌溶液，用PBS緩沖液沖洗芯片3次除去非特異吸附的細(xì)菌，拉曼分析細(xì)菌特征圖譜；將得到的硅基SERS多功能芯片與4.0X 13Cell 細(xì)菌溶液在37°C的恒溫振蕩儀中培養(yǎng)24小時(shí)，隨后轉(zhuǎn)移到其他的圓底試管中，用數(shù)碼相機(jī)對樣品拍照記錄，然后取一定量的菌液，經(jīng)過適當(dāng)?shù)南♂尯?，均勻的涂布在LB瓊脂板上，然后將瓊脂板倒置，在37°C下培養(yǎng)24小時(shí)，隨后用凝膠成像儀對生長在瓊脂板上的菌落進(jìn)行成像，然后對瓊脂板上的菌落進(jìn)行計(jì)數(shù)來考察芯片抗菌能力。
[0068]實(shí)施例8
[0069]取Icm2大小單硅晶片3?6片置于潔凈燒杯中于超聲儀中依次用去離子水、丙酮、去離子水超聲15分鐘，得到表面無雜質(zhì)無有機(jī)物的娃片備用。取40mL 98wt%硫酸和30wt%的過氧化氫體積比3:1的混合溶液，邊加邊緩慢搖勻。然后將硅片投入其中浸泡30分鐘后以去除難溶雜質(zhì)，然后去離子水清洗3?5次去除反應(yīng)溶液備用。
[0070]用3(^1:%氫氟酸浸泡娃片20分鐘去除娃片表面的二氧化娃氧化層，使娃片表面形成S1-H鍵，然后將硅片平鋪于培養(yǎng)皿中，光面朝上，向其中迅速加入15mL硝酸銀溶液(4.0mM)進(jìn)行反應(yīng)40分鐘，根據(jù)電化學(xué)反應(yīng)原理，銀離子被S1-H鍵還原，在硅片表面原位生長一層均勻銀納米粒子，從而得到表面修飾銀納米顆粒的硅晶片，放入含有1mM萬古霉素的溶液中震蕩反應(yīng)18h，最后用氮?dú)獯蹈杀砻?，即可得到硅基SERS多功能芯片。[0071 ] 將得到的硅基SERS多功能芯片加入5.0 X 12ce11.mL-1細(xì)菌的溶液中，緩慢攪動(dòng)30min，確保細(xì)菌較均一地吸附在芯片表面，除去細(xì)菌溶液，用PBS緩沖液沖洗芯片3次除去非特異吸附的細(xì)菌，拉曼分析細(xì)菌特征圖譜；將得到的硅基SERS多功能芯片與4.0X 13Cell 細(xì)菌溶液在37°C的恒溫振蕩儀中培養(yǎng)24小時(shí)，隨后轉(zhuǎn)移到其他的圓底試管中，用數(shù)碼相機(jī)對樣品拍照記錄，然后取一定量的菌液，經(jīng)過適當(dāng)?shù)南♂尯?，均勻的涂布在LB瓊脂板上，然后將瓊脂板倒置，在37°C下培養(yǎng)24小時(shí)，隨后用凝膠成像儀對生長在瓊脂板上的菌落進(jìn)行成像，然后對瓊脂板上的菌落進(jìn)行計(jì)數(shù)來考察芯片抗菌能力。
[0072]實(shí)施例9
[0073]取Icm2大小單硅晶片3?6片置于潔凈燒杯中于超聲儀中依次用去離子水、丙酮、去離子水超聲15分鐘，得到表面無雜質(zhì)無有機(jī)物的娃片備用。取40mL 98wt%硫酸和30wt%的過氧化氫體積比3:1的混合溶液，邊加邊緩慢搖勻。然后將硅片投入其中浸泡30分鐘后以去除難溶雜質(zhì)，然后去離子水清洗3?5次去除反應(yīng)溶液備用。
[0074]用4(^丨％氫氟酸浸泡硅片40分鐘去除硅片表面的二氧化硅氧化層，使硅片表面形成S1-H鍵，然后將硅片平鋪于培養(yǎng)皿中，光面朝上，向其中迅速加入15mL硝酸銀溶液(5.0mM)進(jìn)行反應(yīng)20分鐘，根據(jù)電化學(xué)反應(yīng)原理，銀離子被S1-H鍵還原，在硅片表面原位生長一層均勻銀納米粒子，從而得到表面修飾銀納米顆粒的硅晶片，放入含有40mM萬古霉素的溶液中震蕩反應(yīng)24h，最后用氮?dú)獯蹈杀砻妫纯傻玫焦杌鵖ERS多功能芯片。
[0075]將得到的硅基SERS多功能芯片加入5.0 X 12ce11.mL—1細(xì)菌的溶液中，緩慢攪動(dòng)30min，確保細(xì)菌較均一地吸附在芯片表面，除去細(xì)菌溶液，用PBS緩沖液沖洗芯片3次除去非特異吸附的細(xì)菌，拉曼分析細(xì)菌特征圖譜；將得到的硅基SERS多功能芯片與4.0X 13Cell 細(xì)菌溶液在37°C的恒溫振蕩儀中培養(yǎng)24小時(shí)，隨后轉(zhuǎn)移到其他的圓底試管中，用數(shù)碼相機(jī)對樣品拍照記錄，然后取一定量的菌液，經(jīng)過適當(dāng)?shù)南♂尯螅鶆虻耐坎荚贚B瓊脂板上，然后將瓊脂板倒置，在37°C下培養(yǎng)24小時(shí)，隨后用凝膠成像儀對生長在瓊脂板上的菌落進(jìn)行成像，然后對瓊脂板上的菌落進(jìn)行計(jì)數(shù)來考察芯片抗菌能力。
[0076]實(shí)施例10
[0077]取5cm2大小單硅晶片3?6片置于潔凈燒杯中于超聲儀中依次用去離子水、丙酮、去離子水超聲15分鐘，得到表面無雜質(zhì)無有機(jī)物的娃片備用。取4