用于平面型電磁屏蔽材料的屏蔽效能法蘭同軸測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種測試裝置，更特定地，本發(fā)明涉及一種二次曲線型法蘭同軸測試裝置，用于測試平面型電磁屏蔽材料的屏蔽效能。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代社會電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，各種電子信息產(chǎn)品的使用數(shù)量急劇增力口，電磁波向人們生活的自然環(huán)境輻射的電磁能量正以每年10%左右的速度快速增長，電磁輻射污染隨之變得日益嚴(yán)重，已成為繼大氣污染、水污染、噪音污染之后的第4大污染源。電磁波的輻射不僅會影響和干擾電子設(shè)備的正常運(yùn)行，泄漏出來的電磁波還會影響計(jì)算機(jī)、手機(jī)等要求保密的通信工具的信息安全，電磁波的過量輻射還會威脅到人類的身體健康。研究表明，當(dāng)電磁波輻射量達(dá)到一定程度時(shí)，長時(shí)間在這種環(huán)境下會引起免疫系統(tǒng)、心血管系統(tǒng)、神經(jīng)系統(tǒng)等功能的紊亂和正常運(yùn)轉(zhuǎn)失調(diào)，從而誘發(fā)各種疾病，尤其是一些慢性病。電磁輻射的危害多年前就引起許多國家的高度重視，尤其是一些發(fā)達(dá)國家由于其生活水平較高，更加重視，已經(jīng)發(fā)布了一些環(huán)境電磁輻射的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定，如德國電氣技術(shù)協(xié)會、美國聯(lián)邦通訊委員會等。國際無線電干擾特別委員會CISPR也制定了電磁波輻射干擾的國際標(biāo)準(zhǔn)供各國參考。電磁輻射的危害也引起了我國政府的高度重視，我國于1988年制定了關(guān)于電磁兼容的EMC標(biāo)準(zhǔn)，從2000年開始強(qiáng)制執(zhí)行。
[0003]電磁輻射是看不見、摸不著的，它對人體的傷害往往容易被人們所忽略，尤其是生活中的電磁波存在的危害，如手機(jī)輻射的危害程度，一直還存在爭議，但研究已表明，它對人體的傷害確實(shí)是存在的，且其危害是與日俱增的。人的身體作為一個(gè)有機(jī)體，無時(shí)無刻不在向外輻射電磁波，這是很正常的，但各種人造輻射源的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于人體自然的輻射，進(jìn)而打破了這種平衡，對人體產(chǎn)生危害。
[0004]如何防止電磁輻射對人的危害成為一個(gè)熱門的探討話題。各種防電磁輻射屏蔽材料應(yīng)運(yùn)而生，在電力、航空、航天、環(huán)境、通信、國防以及人體健康防護(hù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，其中屏蔽效能是評價(jià)屏蔽材料的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。
[0005]當(dāng)前涉及平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能的測試方法的標(biāo)準(zhǔn)有:ASTM D4935-2010、SJ20524-1996、GJB6190-2008、GB/T30142-2013 (將于 2014 年 5 月 I 日開始實(shí)施)，當(dāng)前這些標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了屏蔽室法以及法蘭同軸測試方法。
[0006]其中屏蔽室法是一種既非遠(yuǎn)場亦非近場或介于兩者之間的方法，因?yàn)橐话闵钪械妮椛湓粗饕獮榻鼒鲈椿蚪橛谶h(yuǎn)場與近場之間，輻射環(huán)境是很復(fù)雜的，難以單一的模擬真實(shí)環(huán)境，屏蔽室法很好地解決了模擬真實(shí)復(fù)雜的電磁環(huán)境這一難題。屏蔽室法不僅能測試平面材料，還能測試復(fù)雜形狀的材料。
[0007]法蘭同軸測試法是美國國家標(biāo)準(zhǔn)局(NBS)推薦的一種測量屏蔽材料的方法，是一種模擬遠(yuǎn)場環(huán)境的屏蔽材料測試方法。這種方法根據(jù)電磁波在同軸傳輸線內(nèi)傳播的主模是橫電磁波這一原理，模擬自由空間遠(yuǎn)場的傳輸過程，對電磁輻射屏蔽織物進(jìn)行平面波的測定，并且相比另一種遠(yuǎn)場測試方法——同軸傳輸線法而言，改進(jìn)了樣品與同軸線的連接，使樣品和法蘭盤接觸時(shí)的阻抗減小，使得測試結(jié)果的重復(fù)性變好。
[0008]在描述法蘭同軸測試方法的標(biāo)準(zhǔn)中，ASTM D4935-2010、SJ20524-1996、GJB6190-2008中描述的30MHz?1.5GHz法蘭同軸測試裝置、GB/T30142-2013描述的30MHz?3GHz法蘭同軸測試裝置均采用錐形過渡段(公式:y=ax+b)連接法蘭測試夾具與N型同軸接口，以保證內(nèi)外導(dǎo)體的連續(xù)性，達(dá)到阻抗匹配。
[0009]在申請人之前申請的實(shí)用新型專利(專利號ZL201020505577.5)中，描述了具有改進(jìn)的錐形過渡段的測試裝置。
[0010]但是，現(xiàn)有技術(shù)中的均是線性過渡段，雖然在一定程度上彌補(bǔ)了 N型同軸接口與法蘭測試夾具的突變，但仍會產(chǎn)生一定損耗，在研究過程中發(fā)現(xiàn)，相比線性過渡段，由于二次曲線型過渡段提供了更理想的電容補(bǔ)償，因此引起更小回波損耗。所以，提供了一種精度更高的具有二次曲線型過渡段的法蘭同軸測試裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)的平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，該裝置對法蘭同軸測試裝置的過渡段幾何結(jié)構(gòu)作了改進(jìn)，以提高測量精度。
[0012]申請人通過大量實(shí)踐操作，發(fā)現(xiàn)采用幾何形狀為二次曲線的過渡段能大大提高測試精度。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，包括一種平面型電磁屏蔽材料的屏蔽效能的法蘭同軸測試裝置，包括N型同軸接口 ；外導(dǎo)體，包括N型同軸接口的外導(dǎo)體部分3、過渡段外導(dǎo)體部分5、和帶法蘭盤的測試夾具外導(dǎo)體部分7，且過渡段外導(dǎo)體部分5連接在N型同軸接口的外導(dǎo)體部分3和帶法蘭盤的測試夾具外導(dǎo)體部分7之間；內(nèi)導(dǎo)體，包括N型同軸接口的內(nèi)導(dǎo)體部分2、過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分4、和帶法蘭盤的測試夾具內(nèi)導(dǎo)體部分6，且過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分4連接在N型同軸接口的內(nèi)導(dǎo)體部分2和所述帶法蘭盤的測試夾具內(nèi)導(dǎo)體部分6之間。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分具有拋物線型輪廓。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分具有雙曲線型輪廓。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分具有參數(shù)不同的拋物線方程式。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分具有參數(shù)不同的雙曲線方程式。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分在與所述測試裝置的水平中心線上的投影線段不重合。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，公開了一種平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測試裝置，其中，過渡段外導(dǎo)體部分和過渡段內(nèi)導(dǎo)體部分在與所述測試裝置的水平中心線上的投影線段重合。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用帶有二次曲線型輪廓的過渡段，從而補(bǔ)償了裝置的匹配，改善了駐波比，提高了測試精度。
【附圖說明】
[0021]圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的法蘭同軸測試裝置系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1所示裝置剖視圖。
[0023]圖中:1——N型同軸接口陰頭；2——N型同軸接口的內(nèi)導(dǎo)體部分；3——N型同軸接口的外導(dǎo)體部分；4——二次曲線過渡段的內(nèi)導(dǎo)體部分；5——二次曲線過渡段的外導(dǎo)體部分；6——帶法蘭盤的測試夾具內(nèi)導(dǎo)體部分；7——帶法蘭盤的測試夾具外導(dǎo)體部分；8—平面型電磁屏蔽材料；9—墊圈；10—支撐內(nèi)外導(dǎo)體的絕緣子；11—空氣。
【具體實(shí)施方式】
[0024]本發(fā)明可能會有很多實(shí)施例和各種組合，此處將會參照附圖詳細(xì)說明特定的實(shí)施例。然而，這并不是將本發(fā)明以任何方式限制于這幾個(gè)實(shí)施例中，這些實(shí)施例詮釋的任何基于本發(fā)明實(shí)質(zhì)和技術(shù)范圍的組合、等同物和替代物都落在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0025]在描述中使用的詞語僅僅是為了描述特定實(shí)施例，并不是以任何方式限制本發(fā)明。
[0026]