去嵌入的測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種去嵌入的測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路一般包括多個有源和無源的器件，例如電阻器、電感器、電容器、晶體管、放大器等。各個器件在整合進入集成電路之后，通常無法輕易地對其進行測試。為了確認某一器件是否符合設(shè)計要求，一般在制作該器件的同時在晶片上單獨制作該器件的復制件，所述復制件與所述器件由相同工藝制造并具有相同的特征，通過測量所述復制件從而得到所述器件的各個特征。
[0003]所述復制件通常稱為待測器件(device — under 一 test，簡稱DUT)，所述待測器件(DUT)能夠正確地反映其對應(yīng)的器件的特征。進行測量時，所述待測器件(DUT)通過導線(leads)和測試焊墊(test pads)與外圍的測試設(shè)備進行電性連接，所述測試設(shè)備向所述待測器件(DUT)輸出激勵信號并采集從所述待測器件(DUT)返回的響應(yīng)信號來進行處理分析。
[0004]對于射頻電路和微波電路而言，通常利用散射參數(shù)(S)、導納參數(shù)(Y)或阻抗參數(shù)(Z)表征測試結(jié)果，散射參數(shù)(S)、導納參數(shù)(Y)或阻抗參數(shù)(Z)通常都有4個分量，散射參數(shù)(S)、導納參數(shù)(Y)或阻抗參數(shù)(Z)之間可以互相轉(zhuǎn)換。其中，S參數(shù)是建立在入射波、反射波關(guān)系基礎(chǔ)上的，用以評估待測器件(DUT)反射信號和傳送信號的性能，通過測試設(shè)備可以直接得到S參數(shù)表征的測試結(jié)果，因此通常以S參數(shù)為基礎(chǔ)對電路進行分析和處理。
[0005]通過測試設(shè)備測對所述待測器件(DUT)進行測試分析時，由于與所述待測器件(DUT)連接的導線(leads)和測試焊墊(test pads)本身也具有電阻值、電容值和電感值等特征，會產(chǎn)生寄生效應(yīng)(parasitics)影響待測器件(DUT)的測試結(jié)果。為了去除導線(leads)和測試焊墊(test pads)所產(chǎn)生的寄生效應(yīng)(parasitics),通常借由稱為去嵌入(de - embedding)方法以去除所述寄生效應(yīng)，從而得到待測器件(DUT)本身的特征。在所述去嵌入(de - embedding)方法中，采用一去嵌入的測試結(jié)構(gòu)，根據(jù)所述去嵌入的測試結(jié)構(gòu)的測試數(shù)據(jù)得到待測器件(DUT)本身的測試結(jié)果。
[0006]請參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)的去嵌入的測試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的去嵌入的測試結(jié)構(gòu)10包括三個相互獨立的測試子結(jié)構(gòu)，分別是未去嵌的整體結(jié)構(gòu)Total、用以消除測試焊墊所引起的寄生效應(yīng)的開路結(jié)構(gòu)Open和用以消除導線所引起的寄生效應(yīng)的短路結(jié)構(gòu)Short，其中，所述整體結(jié)構(gòu)Total包括一待測器件DUT，所述開路結(jié)構(gòu)Open和短路結(jié)構(gòu)Short均在所述整體結(jié)構(gòu)Total的基礎(chǔ)上去除了所述待測器件DUT，三個測試子結(jié)構(gòu)均包含依次排列的第一對接地焊墊、第一對信號焊墊和第二對接地焊墊，所述待測器件DUT的包括一個接地端和兩個信號端，所述接地端通過兩條第一導線(1a或10a’)分別與第一對接地焊墊連接，所述兩個信號端分別通過兩條第二導線(1c或10c’)與第一對信號焊墊連接，所述開路結(jié)構(gòu)Open的信號焊墊與接地焊墊之間都是斷開的，而短路結(jié)構(gòu)Short中的第一對信號焊墊與第一對接地焊墊通過導線直接相連。
[0007]利用所述去嵌入的測試結(jié)構(gòu)10進行去嵌，得到待測器件DUT本身的測試結(jié)果。去嵌的主要過程如下:首先，通過外圍的測試設(shè)備分別對所述整體結(jié)構(gòu)Total、開路結(jié)構(gòu)Open和短路結(jié)構(gòu)Short進行測試得到以散射參數(shù)(S)參數(shù)表征的測試數(shù)據(jù)，所述整體結(jié)構(gòu)Total、開路結(jié)構(gòu)Open和短路結(jié)構(gòu)Short的測得的散射參數(shù)值分別是SttrtalJtjpra^P Sstort ;接著，進行去嵌計算得到去嵌后的測試數(shù)據(jù)，即待測器件DUT本身的測試結(jié)果。
[0008]去嵌計算包括以下步驟:
「0009? S ~>- V tS ~>- V V =γ — V V ~>- 7.Lvvvw」 UtotaII total? ^open 1 open? 1 demopen 1 total1 open? 1 demopen ^demopen，
[001 O] SsJlort Yshort，Ysht Yshort ^open? Ysht ^sht?
[0011]ZfJut-ZcJem0Pen ZsJlt ；
[0012]其中，“一”表示參數(shù)轉(zhuǎn)換，Ytotal為Stotal的導納參數(shù)值，Ytjpen為Stjpen的導納參數(shù)值，
Yshort ^short
的導納參數(shù)值，
Zdemopen ^ Ydemopen
的阻抗參數(shù)值，
^demshort ^ Ydemshort
的阻抗參數(shù)值。
[0013]完成去嵌后，所述待測器件DUT的測試結(jié)果顯示為阻抗參數(shù)值Zdut，根據(jù)實際需要可以將所述阻抗參數(shù)值Zdut繼續(xù)轉(zhuǎn)換為散射參數(shù)值Sdut，即Zdu — sdut。
[0014]然而，現(xiàn)有的去嵌入的測試結(jié)構(gòu)10存在高估寄生效應(yīng)的問題。如圖1所示，短路結(jié)構(gòu)Short中的第三導線(1b或10b’)明顯要比整體結(jié)構(gòu)Total中的第一導線(1a或10a’)長，而導線引起的寄生效應(yīng)通常與所述導線的長度成正比，因此利用現(xiàn)有的去嵌入方法對整體結(jié)構(gòu)Total進行去嵌時，所述整體結(jié)構(gòu)Total中的導線引起的寄生效應(yīng)被高估了，造成過度去嵌。因此，如何解決現(xiàn)有的去嵌入方法存在高估寄生效應(yīng)的問題，已經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明的目的在于提供一種去嵌入的測試方法，以解決現(xiàn)有的去嵌入的測試結(jié)構(gòu)存在聞估寄生效應(yīng)的問題。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種去嵌入的測試方法。所述去嵌入的測試方法包括:
[0017]提供一去嵌入的測試結(jié)構(gòu)，所述去嵌入的測試結(jié)構(gòu)包括相互獨立的整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)，所述整體結(jié)構(gòu)具有一待測器件，所述開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)均在所述整體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上去除了所述待測器件；
[0018]分別測試所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)，得到所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)的散射參數(shù)值；
[0019]分別測量所述整體結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)中的導線長度；
[0020]根據(jù)測得的導線長度和所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)的散射參數(shù)值進行去嵌計算，得到所述待測器件本身的測試結(jié)果。
[0021 ] 優(yōu)選的，在所述的去嵌入的測試方法中，所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)均包含依次排列的第一對接地焊墊、第一對信號焊墊和第二對接地焊墊；
[0022]所述整體結(jié)構(gòu)的待測器件具有一接地端和兩個信號端，所述接地端分別通過兩條第一導線與所述整體結(jié)構(gòu)的第一對接地焊墊連接，所述兩個信號端分別通過兩條第二導線與所述整體結(jié)構(gòu)的第一對信號焊墊連接；
[0023]所述短路結(jié)構(gòu)的第一對接地焊墊分別與兩條第三導線連接，所述短路結(jié)構(gòu)的第一對信號焊墊分別與兩條第四導線連接，兩條第三導線分別與兩條第四導線連接。
[0024]優(yōu)選的，在所述的去嵌入的測試方法中，分別測量所述整體結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)中的導線長度的方法包括:
[0025]測量所述整體結(jié)構(gòu)的第一對接地焊墊所連接的第一導線的長度；
[0026]測量所述整體結(jié)構(gòu)的第一對信號焊墊所連接的第二導線的長度；
[0027]測量所述短路結(jié)構(gòu)的第一對接地焊墊所連接的第三導線的長度；
[0028]測量所述短路結(jié)構(gòu)的第一對信號焊墊所連接的第四導線的長度。
[0029]優(yōu)選的，在所述的去嵌入的測試方法中，所述去嵌計算包括以下步驟:
[0030]步驟一:分別將所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)的散射參數(shù)值轉(zhuǎn)化為所述整體結(jié)構(gòu)、開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)的導納參數(shù)值；
[0031]步驟二:將所述整體結(jié)構(gòu)的導納參數(shù)值減去所述開路結(jié)構(gòu)的導納參數(shù)值，得到所述整體結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的導納參數(shù)值，將所述整體結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的導納參數(shù)值轉(zhuǎn)化為所述整體結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的阻抗參數(shù)值；將所述短路結(jié)構(gòu)的導納參數(shù)值減去所述開路結(jié)構(gòu)的導納參數(shù)值，得到所述短路結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的導納參數(shù)值，將所述短路結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的導納參數(shù)值轉(zhuǎn)化為所述短路結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的阻抗參數(shù)值；
[0032]步驟三:根據(jù)測得的導線長度和所述短路結(jié)構(gòu)利用所述開路結(jié)構(gòu)去嵌后的阻抗參數(shù)值計算短路仿真結(jié)構(gòu)的阻抗參數(shù)值；
[0033]步驟四:將所述整