，具備： 電場增強元件，包括；金屬層、設置于所述金屬層上并使激發(fā)光透過的透光層、及設置 于所述透光層上并沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向排列的多個金屬粒子； 光源，將沿所述第一方向偏振的直線偏振光、沿所述第二方向偏振的直線偏振光W及 圓偏振光中的至少一個作為所述激發(fā)光而照射至所述電場增強元件；W及 檢測器，檢測從所述電場增強元件發(fā)射的光， 在所述金屬粒子上激發(fā)的局域型表面等離子體和在所述金屬層與所述透光層的界面 上激發(fā)的傳播型表面等離子體電磁地相互作用， 將所述透光層的厚度設為G、將所述透光層的有效折射率設為n,ff、將所述激發(fā)光的波 長設為時，其中，所述G和所述Ai的單位為nm，下述式（1)的關系被滿足： 20[nm] <G. (n址f/1.46)《140[nm] ? (Ai/785[nm]) ? ? ? (1)。
2. -種分析裝置，其特征在于，具備： 電場增強元件，包括；金屬層、設置于所述金屬層上并使激發(fā)光透過的透光層、及設置 于所述透光層上并沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向排列的多個金屬粒子； 光源，將沿所述第一方向偏振的直線偏振光、沿所述第二方向偏振的直線偏振光W及 圓偏振光中的至少一個作為所述激發(fā)光而照射至所述電場增強元件；W及 檢測器，檢測從所述電場增強元件發(fā)射的光， 在所述金屬粒子上激發(fā)的局域型表面等離子體和在所述金屬層與所述透光層的界面 上激發(fā)的傳播型表面等離子體電磁地相互作用， 所述透光層由通過m層的層層疊而成的層疊體構(gòu)成，m是自然數(shù)， 所述透光層從所述金屬粒子側(cè)向所述金屬層側(cè)按照第一透光層、第二透光層、…、第m-1透光層、第m透光層的順序?qū)盈B， 將所述金屬粒子的周邊的折射率設為n。、將所述金屬層的法線方向與所述激發(fā)光的入 射方向所成的角設為0。、將所述金屬層的法線方向與所述第m透光層中的所述激發(fā)光的折 射光朝向所述金屬層的入射方向所成的角設為0m、將所述第m透光層的折射率設為rv將 所述第m透光層的厚度設為Gm、將所述激發(fā)光的波長設為Ai時，其中，所述G和所述Ai的 單位為nm，下述式（2)W及式（3)的關系被滿足： n〇 ?sin白0=Dm?sin白m? ? ? (2)
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的分析裝置，其特征在于， 所述金屬粒子在所述第一方向上排列的第一節(jié)距P1和所述金屬粒子在所述第二方向 上排列的第二節(jié)距P2相等。
4. 一種分析裝置，其特征在于，具備： 電場增強元件，包括；金屬層、設置于所述金屬層上并使激發(fā)光透過的透光層、及設置 于所述透光層上的多個金屬粒子，多個所述金屬粒子在第一方向上W第一節(jié)距排列，并在 與所述第一方向交叉的第二方向上W第二節(jié)距排列； 光源，將沿所述第一方向偏振的直線偏振光、沿所述第二方向偏振的直線偏振光和圓 偏振光中的至少一個作為所述激發(fā)光而照射至所述電場增強元件；w及 檢測器，檢測從所述電場增強元件發(fā)射的光， 所述電場增強元件的所述金屬粒子的配置滿足下述式（4)的關系： P1 <P2《Q+P1 ? ? ? (4) 其中，P1表示所述第一節(jié)距，P2表示所述第二節(jié)距，將在所述金屬粒子的列上激發(fā)的 局域型等離子體的角頻率設為《、將構(gòu)成所述金屬層的金屬的介電常數(shù)設為e(?)、將所 述金屬粒子的周邊的介電常數(shù)設為e、將真空中的光速設為C、將作為所述激發(fā)光的照射 角的來自所述金屬層的厚度方向的傾斜角設為0，Q表示滿足下述式巧）的衍射光柵的節(jié) 距： (co/c) ? {e?e〇)/(e+e〇))}1/2=e1/2 ? ?sin0 +2aJT/Q(a= ±1， ±2，…）? ? ?（5)， 將所述透光層的厚度設為G、將所述透光層的有效折射率設為n,ff、將所述激發(fā)光的波 長設為時，其中，所述G和所述Ai的單位為nm，下述式（1)的關系被滿足： 20[nm] <G. (n址f/1.46)《140[nm] ? (Ai/785[nm]) ? ? ? (1)。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的分析裝置，其特征在于， 所述第一節(jié)距P1滿足60 [皿]《P1《1310 [皿]的關系。
6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的分析裝置，其特征在于， 所述第二節(jié)距P2滿足60 [皿]《P2《1310 [皿]的關系。
7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的分析裝置，其特征在于， 所述透光層包括選自氧化娃、氧化鐵、氧化侶、氮化娃W及氧化粗的層。
8. 根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的分析裝置，其特征在于， 所述金屬層包括由金、銀、銅、銷或者侶構(gòu)成的層。
9. 根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的分析裝置，其特征在于， 在所述金屬粒子遠離所述透光層一側(cè)的角部上激發(fā)的局域型表面等離子體的強度與 在所述金屬粒子靠近所述透光層一側(cè)的角部上激發(fā)的局域型表面等離子體的強度之比不 管所述透光層的厚度如何都為一定。
10. -種電子設備，其特征在于，具備： 權利要求1至9中任一項所述的分析裝置； 運算部，根據(jù)來自所述檢測器的檢測信息而運算健康醫(yī)療信息； 存儲部，存儲所述健康醫(yī)療信息；W及 顯示部，顯示所述健康醫(yī)療信息。
【專利摘要】涉及分析裝置及電子設備。分析裝置具備電場增強元件，包括金屬層、設置于金屬層上使激發(fā)光透過的透光層及設置于透光層上沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向排列的多個金屬粒子；光源，將沿第一方向偏振的直線偏振光、沿第二方向偏振的直線偏振光和圓偏振光的至少一個作為激發(fā)光照射至電場增強元件；及檢測器，檢測從電場增強元件發(fā)射的光，在金屬粒子激發(fā)的局域型表面等離子體和在金屬層與透光層的界面激發(fā)的傳播型表面等離子體電磁地相互作用，將透光層厚度設為G[nm]、透光層的有效折射率設為neff、激發(fā)光波長設為λi[nm]時，滿足20[nm]＜G·(neff/1.46)≤140[nm]·(λi/785[nm])的關系。
【IPC分類】G01N21-65
【公開號】CN104849255
【申請?zhí)枴緾N201510082573
【發(fā)明人】杉本守, 江成芽久美
【申請人】精工愛普生株式會社
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年2月15日
【公告號】US20150233835