的纜線(未示)。凸緣422附接到基管420的每一端部,以及內(nèi)部和外部密封環(huán)(未示出)通過拉緊系桿424而被壓縮,以便獲得圖11 (c)中所示的主體部分414。
[0600]圖12(a)至12(c)示出在另一流體傳感器的主體部分514制備中的步驟。主體部分514具有與流體傳感器10的主體部分14相似的許多特征,因此,主體部分14和514共享相似的附圖標記。如圖12(a)中所示,主體部分514包括限定流體流動路徑521的基管520以及安裝到基管520上的腔體填充構(gòu)件526。主體部分514和流體傳感器10的主體部分14之間的主要區(qū)別在于腔體填充構(gòu)件526具有在每一端部處的彎曲的或漸縮的輪廓580。基管520和腔體填充構(gòu)件526 —起形成芯體527。如圖12(b)中所示,腔體構(gòu)件530隨后通過圍繞芯體527卷繞一段或多段PEEK/碳纖維帶而在原位形成。腔體填充構(gòu)件526的漸縮輪廓580可簡化PEEK/碳纖維帶圍繞芯體527卷繞和/或提高所得腔體構(gòu)件530的強度。這可能減短制備時間和/或提高腔體構(gòu)件530的產(chǎn)率。對于流體傳感器10的主體部分14而言,主體部分514的制備通過附接電氣組合件540而完成,所述電氣組合件540包括電子封套542、天線544、溫度傳感器(未示出)和相關聯(lián)的纜線(未示出)以及用于將電子儀器(未示出)通信到腔體構(gòu)件530的纜線(未示)。凸緣522附接到基管520的每一端部,以及內(nèi)部和外部密封環(huán)(未示出)通過拉緊系桿524而被壓縮,以便獲得圖12(c)中所示的主體部分514。
[0601]圖13(a)至13(c)圖示管道612的傳感器主體部分614的制備的步驟。傳感器主體部分614具有與流體傳感器10的主體部分14相似的許多特征,因此,主體部分14和614共享相似的附圖標記。首先參照圖13(c),傳感器主體部分614圍繞管道612的透過性部分620在原位形成。不像經(jīng)由凸緣22連接到管道12的流體傳感器10的主體部分14,傳感器主體部分614與管道612 —體地形成,從而避免對凸緣的任何要求。
[0602]管道612包括PEEK內(nèi)管690,其沿管道612的長度延伸且其限定流體流動路徑621。管道612的透過性部分620包括圍繞內(nèi)管690同心地形成的嵌入到PEEK基質(zhì)內(nèi)的E-玻璃增強元素的外層692。管道612在透過性部分620的任一側(cè)的部分694可均包括圍繞內(nèi)管690同心地形成的包括嵌入到PEEK基質(zhì)內(nèi)的碳纖維增強元素的外層696。
[0603]傳感器主體部分614包括安裝到管道612的透過性部分620上的腔體填充構(gòu)件626。腔體填充構(gòu)件626具有在每一端部處的彎曲的或漸縮輪廓680。如圖13(b)中所示,內(nèi)部導電腔體構(gòu)件層631隨后通過圍繞腔體填充構(gòu)件626和管道612的透過性部分620卷繞一段或多段PEEK/碳纖維帶而在原位形成。對于流體傳感器10的主體部分14而言,主體部分614的制備通過附接電氣組合件640繼續(xù),所述電氣組合件640包括電子封套642、天線644、溫度傳感器(未示出)和相關的纜線(未示出)以及用于將電子儀器(未示出)與內(nèi)部腔體構(gòu)件層631通信的纜線(未示出)。主體部分614的制備通過將一段或多段PEEK/碳纖維帶圍繞內(nèi)部腔體構(gòu)件層631和管道612的透過性部分620 二者卷繞,以便形成覆蓋電子封套642的外部腔體構(gòu)件層632來完成。在使用中,外部腔體構(gòu)件層632可用于保護電子封套642免受外部力和/或壓力,并且可用于防止流體進入到電子封套642內(nèi)。因此,夕卜部腔體構(gòu)件層632的存在可允許使用更簡單、更耐用的電子封套642。外部腔體構(gòu)件層632的存在例如可消除對電子封套642被密封以便防止流體從高壓流體進入到電子封套642內(nèi)的要求,所述高壓流體諸如可存在于海底環(huán)境中的高壓流體或可存在于油井和/或天然氣井內(nèi)的高壓流體。
[0604]本領域的技術(shù)人員將理解的是,前述流體傳感器的各種變型都是可能的。例如,腔體構(gòu)件可包括包括諸如PEEK/碳纖維的導電性復合材料,而不是包括每層具有不同的性能的多個層。
[0605]腔體構(gòu)件可包括包括任何種類的基質(zhì)和嵌入到基質(zhì)中的任何種類的一個或多個導電性的增強元素的導電性復合材料,而不是包括PEEK/碳纖維材料。所述基質(zhì)可包括聚合物材料、熱塑性材料、熱固性材料、聚芳基醚酮、聚芳基酮、聚醚酮(PEK)、聚碳酸酯、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺、聚酰胺11 (PAll)、聚偏氟乙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚甲醛(POM)、乙縮醛、硬化樹脂、聚合物樹脂、環(huán)氧樹脂或類似物中的至少一種。
[0606]導電性的增強元素可包括為除了碳纖維外的形式的碳。例如,一個或多個增強元素可包括碳粒子、碳簇、碳片和/或類似物。所述一個或多個增強元素可以是金屬的。一個或多個增強元素可包括金屬纖維、金屬粒子、金屬簇、金屬片和/或類似物。腔體構(gòu)件可包括增強元素,其包括銅、黃銅、金、銀、鋁、鐵、鋼、和類似物質(zhì)的至少一種。
[0607]腔體構(gòu)件可包括大致管狀的導電主體部分和在其每一端部處的大致平坦的導電端部部分,其中每個端部部分具有形成于其中的孔,并且每個端部部分的相應面接合主體部分的相應端面。主體部分和端部部分可單獨地形成。腔體構(gòu)件的主體部分和端部部分可以粘合、粘附、熔合、焊接或以其它方式結(jié)合在一起。腔體構(gòu)件的主體部分和端部部分可包括相同的材料。腔體構(gòu)件的主體部分和端部部分可包括不同的材料。例如,腔體構(gòu)件的主體部分可由導電性的復合材料形成,腔體構(gòu)件的端部部分可由金屬形成。腔體構(gòu)件可遠離芯體形成,然后裝配到芯體的上方、芯體上和/或其周圍。
[0608]基管可包括傳輸在一定電磁場頻率下的電磁輻射的任何材料?;芸膳渲贸沙惺軆?nèi)部流體壓力?;芸膳渲贸沙惺茌S向拉力、軸向壓縮和/或彎曲應力。
[0609]腔體填充構(gòu)件可包括傳輸在一定電磁場頻率下發(fā)射電磁輻射的任何材料。
[0610]基管和/或腔體填充構(gòu)件可配置成對于在RF頻率下的電磁輻射基本上是透過性的。
[0611]基管和/或腔體填充構(gòu)件可包括具有在流體傳感器的使用壽命期間是相對恒定的介電常數(shù)的材料。這可使得簡化和/或提高在流體傳感器的使用壽命期間確定流體的組成和/或流動特性的精確度。基管和/或腔體填充構(gòu)件可包括具有對于溫度是相對不敏感的介電常數(shù)的材料。這可使得簡化和/或提高在更寬的溫度范圍內(nèi)確定流體的組成和/或流動特性的精確度?;芎?或腔體填充構(gòu)件可包括具有對于到基部構(gòu)件內(nèi)或通過基部構(gòu)件的諸如空氣和/或水的流體的滲透是不敏感的介電常數(shù)的材料。這即使在進入到基部構(gòu)件內(nèi)或通過基部構(gòu)件的諸如空氣或水的流體迀移通過或部分滲透通過基管和/或腔體填充構(gòu)件的情況下也可使得簡化和/或提高確定流體的組成和/或流動特性的精確度。
[0612]基管和/或腔體填充構(gòu)件可包括具有在流體傳感器的使用壽命期間內(nèi)以可預測的量化方式作為時間的函數(shù)而變化的介電常數(shù)的材料?;芎?或腔體填充構(gòu)件可包括具有以可預測的量化方式作為溫度的函數(shù)而變化的介電常數(shù)的材料。基管和/或腔體填充構(gòu)件可包括具有以可預測的量化方式作為諸如空氣和/或水的流體到基管內(nèi)或通過基管的滲透程度的函數(shù)而變化的介電常數(shù)的材料。
[0613]腔體填充構(gòu)件可相對于基管在原位形成。腔體填充構(gòu)件可在原位形成于基管的上方、基管上和/或其周圍。腔體填充構(gòu)件可通過鑄造、模制、機械加工和/或沉積工藝形成。腔體填充構(gòu)件可整體或一體地形成。
[0614]流體傳感器可包括多個天線,而不是包括用于將電磁能量耦聯(lián)到電磁場和從電磁場耦聯(lián)的單個天線。每個天線可配置成將電磁能量耦聯(lián)到電磁場和/或從電磁場耦聯(lián)。流體傳感器可包括用于將電磁能量耦聯(lián)到電磁場的第一天線和用于將電磁能量從所述電磁場耦聯(lián)的第二天線。
[0615]流體傳感器可包括配置成擴增從電磁場往回通過電磁能量源耦聯(lián)的電磁能量的電磁能量源,而不是包括為振蕩器形式的電磁能量源。連同一個或多個天線、腔體構(gòu)件和電磁場一起,這種電磁能量源可給電磁場限定一種諧振系統(tǒng)。這種流體傳感器可產(chǎn)生電磁場,其具有包括振幅頻譜和相位頻譜的復合頻譜,其中復合頻譜的每個振幅頻譜和相位頻譜取決于諧振系統(tǒng)的配置,并尤其取決于芯體的配置、腔體構(gòu)件的配置和存在于流體流動路徑中的任何流體。
[0616]電磁能量源可包括增益介質(zhì)、放大器和負阻中的至少一種。
[0617]在另一變型中,流體傳感器可配置成防止從電磁場往回通過電磁能源耦聯(lián)的電磁能量的擴增。由這種流體傳感器所產(chǎn)生的電磁場的頻率可獨立于芯體的配置、腔體構(gòu)件的配置和存在于流體流動路徑中的任何流體的配置。這種流體傳感器可允許電磁能量被提供給存在于流體流動路徑中的流體。能量可被提供給存在于流體流動路徑中的流體,以便確定流體的組成、分布和/或流率中的至少一個的目的。能量可提供給存在于流體流動路徑中的流體,以便加熱流體、攪動流體、激發(fā)流體和/或?qū)α黧w成像的目的。
[0618]溫度傳感器可包括鉑電阻溫度計之外的溫度傳感器。例如,溫度傳感器可包括任何種類的電阻溫度檢測器(RTD)或熱電偶、熱敏電阻、溫度計或類似物。
[0619]處理器和存儲器可鄰近于流體傳感器的主體部分定位或并入到流體傳感器的主體部分內(nèi),而不是將至少一個解調(diào)器遠離流體傳感器的主體部分定位。
【主權(quán)項】
1.流體傳感器,其包括: 限定流體流動路徑的芯體;和 腔體構(gòu)件,其位于所述芯體的外部并包括導電性的復合材料,所述導電性的復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素; 其中所述腔體構(gòu)件配置成給電磁場提供約束,并且所述芯體配置成允許在電磁場的一頻率下的電磁輻射通過其傳輸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體傳感器,其中所述電磁場包括射頻(RF)電磁場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流體傳感器,其中所述基質(zhì)是電絕緣的,并且所述一個或多個增強元素是導電性的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體傳感器,其中所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線以預定的角度取向。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的流體傳感器,其中所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線以80和90度之間的角度、以85和90度之間的角度、或以87和90度之間的角度螺旋地取向。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中的任一項所述的流體傳感器,其中所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線沿周向或基本上沿周向取向。
7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括大致管狀的主體部分和兩個端部部分,每個端部部分位于所述主體部分的不同端部處,并且其中所述芯體延伸通過所述腔體構(gòu)件的主體部分和每個端部部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的每個端部部分包括大致平坦的構(gòu)件。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的每個端部部分包括大體管狀的構(gòu)件。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的每個端部部分包括復合材料,所述復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個導電性的增強元素,并且在所述腔體構(gòu)件的每個端部部分內(nèi)的一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線以預定的角度取向。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的流體傳感器,其中在所述腔體構(gòu)件的每個端部部分內(nèi)的所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線以80和90度之間的角度、以85和90度之間的角度、或以87和90度之間的角度螺旋地取向。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的流體傳感器,其中在所述腔體構(gòu)件的每個端部部分內(nèi)的所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線沿周向或基本上沿周向取向。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至12任一項所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的每個端部部分具有的內(nèi)徑小于所述主體部分的內(nèi)徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求7至12任一項所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的每個端部部分具有的內(nèi)徑基本上等于所述腔體構(gòu)件的所述主體部分的內(nèi)徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求7至14中的任一項所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的所述主體部分包括復合材料,所述復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個導電性的增強元素,并且所述腔體構(gòu)件的所述主體部分的一個或多個增強元素具有預定的取向。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的所述主體部分的所述一個或多個增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線平行地或基本上沿周向地取向。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的所述主體部分的一個或多個增強元素具有多個預定的取向。
18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件配置成承受預定的壓力、預定的力、預定的軸向拉力、預定的軸向壓縮和/或預定的彎曲應力中的至少一種。
19.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體配置成承受預定的壓力、預定的力、預定的軸向拉力、預定的軸向壓縮和/或預定的彎曲應力中的至少一種。
20.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述基質(zhì)包括聚合物材料、熱塑性材料、熱固性材料、聚芳基醚酮、聚芳基酮、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸醋、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺、聚酰胺11 (PAll)、聚偏氟乙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚甲醛(POM)、乙縮醛、樹脂、硬化樹脂、聚合物樹脂和環(huán)氧樹脂中的至少一種。
21.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述一個或多個增強元素對于在電磁場的一頻率下的電磁輻射的傳輸基本上是不透過性的。
22.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述一個或多個增強元素包括纖維、股線、細絲、納米管、粒子、簇和片中的至少一種。
23.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述一個或多個增強元素包括碳。
24.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述一個或多個增強元素包括金屬。
25.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述一個或多個增強元素包括銅、黃銅、金、銀、鋁、鐵和鋼中的至少一種。
26.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的一部分包括所述導電性復合材料,并且所述腔體構(gòu)件的一部分包括所述導電性復合材料之外的材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括金屬部分。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的流體傳感器,其中所述金屬部分由銅、黃銅、金、銀、鋁、鐵和鋼中的至少一種形成。
29.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件的組成跨越所述腔體構(gòu)件的厚度而變化,或所述腔體構(gòu)件的組成相對于腔體構(gòu)件軸線沿軸向或周向變化。
30.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括多個層。
31.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括第一層,所述第一層包括導電性的復合材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括第二層,所述第二層配置成承受預定的壓力、預定的力、預定的軸向拉力、預定的軸向壓縮和/或預定的彎曲應力中的至少一種。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的流體傳感器,其中所述第二層位于所述第一層的外部。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的流體傳感器,其中所述第一層限定所述腔體構(gòu)件的內(nèi)表面。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的流體傳感器,其中所述第二層限定所述腔體構(gòu)件的外表面。
36.根據(jù)權(quán)利要求32至35中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第二層包括復合材料,所述復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的基質(zhì)不同于所述第一層的導電性復合材料的基質(zhì)。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的基質(zhì)與所述第一層的導電性復合材料的基質(zhì)相同。
39.根據(jù)權(quán)利要求32至38中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的增強元素不同于所述第一層的導電性復合材料的增強元素。
40.根據(jù)權(quán)利要求32至39中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的增強元素由不同于所述第一層的導電性復合材料的增強元素的材料形成。
41.根據(jù)權(quán)利要求32至40中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的增強元素具有的濃度、密度和/或分布不同于所述第一層的導電性復合材料的增強元素的濃度、密度和/或分布。
42.根據(jù)權(quán)利要求32至41中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第二層的復合材料的增強元素具有的取向不同于所述第一層的導電性復合材料的增強元素的取向。
43.根據(jù)權(quán)利要求32至42中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第一層的增強元素沿著第一螺旋形軌跡形成,并且所述第二層的增強元素沿著不同于所述第一螺旋形軌跡的第二螺旋形軌跡形成。
44.根據(jù)權(quán)利要求32至43中的任一項所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括位于所述腔體構(gòu)件的所述第一層和所述第二層之間的第三層。
45.根據(jù)權(quán)利要求32至44中的任一項所述的流體傳感器,其中所述第三層是電絕緣的。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的流體傳感器,其中所述第三層包括與用作適于所述腔體構(gòu)件的所述第一層和所述第二層的一者或兩者的基質(zhì)的材料相同的材料。
47.根據(jù)權(quán)利要求45或46所述的流體傳感器,其中所述第三層包括復合材料,所述復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素。
48.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件包括導電部分和電絕緣部分,所述導電部分包括導電性復合材料,并且所述電絕緣部分配置成傳輸在所述電磁場的所述頻率下的電磁輻射。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的流體傳感器,其中所述導電部分的導電性復合材料包括電絕緣的基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個導電性的增強元素,并且所述電絕緣部分由與所述導電部分的相同基質(zhì)材料形成。
50.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述腔體構(gòu)件與所述芯體一體地形成,或粘合、粘附、熔合、焊接或結(jié)合到所述芯體。
51.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體在其內(nèi)部限定流體流動路徑。
52.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體包括一種或多種固體材料。
53.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體是大致管狀的。
54.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體包括流體導管、管和管道的一部分的至少一種。
55.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體具有沿著所述流體流動路徑的方向變化的外部形狀、輪廓和/或尺寸。
56.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體具有沿所述流體流動路徑的方向變化的外部徑向尺寸。
57.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體具有沿所述流體流動路徑的方向變化的外徑。
58.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的流體傳感器,其中所述芯體包括流體。
59.適用于制備流體傳感器的方法,所述方法包括: 提供限定流體流動路徑的芯體; 提供芯體外部的腔體構(gòu)件; 其中所述腔體構(gòu)件包括導電性的復合材料,所述導電性的復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素,并且所述腔體構(gòu)件配置成給電磁場提供約束,并且所述芯體配置成允許在電磁場的一頻率下的電磁輻射通過其傳輸。
60.流體傳感器,其包括: 限定流體流動路徑的芯體;和 腔體構(gòu)件,其位于所述芯體的外部并包括復合材料,所述復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個導電性的增強元素; 其中所述一個或多個導電性的增強元素相對于所述腔體構(gòu)件的縱向軸線以預定的角度取向。
61.流體傳感器,其包括腔體構(gòu)件,所述腔體構(gòu)件包括導電性的復合材料,所述導電性的復合材料包括基質(zhì)和嵌入到所述基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素,其中流體流動路徑延伸通過所述腔體構(gòu)件,并且所述腔體構(gòu)件配置成給電磁場提供約束。
【專利摘要】流體傳感器(10)包括限定流體流動路徑(21)的芯體(27)和位于芯體外部的腔體構(gòu)件(30)。腔體構(gòu)件(30)包括導電性的復合材料,所述導電性的復合材料包括基質(zhì)和嵌入到基質(zhì)內(nèi)的一個或多個增強元素。腔體構(gòu)件(30)配置成給電磁場提供約束,并且芯體(27)配置成允許在電磁場的一頻率下的電磁輻射通過其傳輸。電磁場可以是射頻(RF)電磁場。流體傳感器(10)可用于測量流體流動路徑(21)中流體的組成和/或流動特性。
【IPC分類】G01N22-04, G01N33-28, G01N22-00
【公開號】CN104854452
【申請?zhí)枴緾N201380065576
【發(fā)明人】賈爾斯·愛德華, 艾倫·帕克
【申請人】M-弗洛科技有限責任公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2013年10月22日
【公告號】CA2889052A1, EP2909622A2, US20150260662, WO2014064437A2, WO2014064437A3