絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置及測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于高電壓外絕緣領(lǐng)域，特別是一種絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置 及測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于我國能源與負(fù)荷中屯、分布不均勻，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，急需實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的能源 輸送。為此，我國電網(wǎng)已經(jīng)建設(shè)或規(guī)劃建設(shè)了許多條超高壓或特高壓輸電線路。由于復(fù)合絕 緣子W及室溫硫化娃橡膠涂料具有良好的防污閃能力，其在高壓輸電線路中被廣泛應(yīng)用， 但隨著運(yùn)行時間的增加，該些憎水性絕緣表面會積累大量污穢，當(dāng)遇到大霧、毛毛雨等惡劣 天氣時，也會引起絕緣子閃絡(luò)事故，導(dǎo)致電力供應(yīng)中斷，嚴(yán)重影響人民生活W及國民經(jīng)濟(jì)的 穩(wěn)定發(fā)展。
[0003] 絕緣表面等效覆鹽密度是衡量絕緣表面污穢程度的重要指標(biāo)，目前對于憎水性表 面等效覆鹽密度的測量需要利用采樣布或者去離子水將憎水性表面的全部污穢清洗下來， 然后用蒸饋水清洗采樣布，最后使用電導(dǎo)率儀測出污液的電導(dǎo)率并對照電導(dǎo)率與鹽量濃度 的關(guān)系表，算出該鹽量濃度對應(yīng)的等值鹽密。該種測量手段操作復(fù)雜，步驟繁瑣，并且每次 測量之后，絕緣表面污穢被清洗干凈，無法連續(xù)測量一段時期內(nèi)絕緣表面污穢積累變化規(guī) 律。
[0004] 目前，為使得絕緣表面的等效覆鹽密度的測量步驟簡化，國家電網(wǎng)、中國電力科學(xué) 研究院提出的一種鹽密測量方法，該方法通過噴水裝置對絕緣子表面污穢處噴水，檢測探 頭浸沒在污水中，得到電導(dǎo)率并計算鹽密值；該方法一定程度上減小等效覆鹽密度的測量 步驟，但該種測量方式無法完成絕緣表面為憎水性時等效覆鹽密度的測量，并且無法連續(xù) 測量一段時期內(nèi)絕緣表面污穢積累變化規(guī)律。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置及測量方法。
[0006] 實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為：
[0007] 一種絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置，包括用于存儲去離子水的儲水罐、測 量探頭、用于控制去離子水流量的水路控制模塊、電路控制模塊、切換開關(guān)和局部鹽密轉(zhuǎn)化 模塊；
[000引所述儲水罐通過水路控制模塊與測量探頭相連，將去離子水輸送給測量探頭，測 量探頭將絕緣子表面覆鹽與去離子水混合溶解，所述電路控制模塊與測量探頭相連，得到 測量探頭的污液電阻值；
[0009] 所述切換開關(guān)與測量探頭相連，用于切換測量絕緣子上下表面的污液電阻值；
[0010] 所述局部鹽密轉(zhuǎn)化模塊與電路控制模塊相連，將污液電阻值轉(zhuǎn)換為局部覆鹽密 度。
[0011] 本發(fā)明還提供一種絕緣子憎水性表面局部鹽密測量方法，包括：
[0012] 第一步，儲水罐通過水路控制模塊將去離子水輸送到測量探頭；
[0013] 第二步，電路控制模塊測得絕緣子其中一面的污液電阻值；
[0014] 第=步，通過切換開關(guān)，電路控制模塊測得絕緣子另一面的污液電阻值；
[0015] 第四步，將絕緣子表面的污液電阻值轉(zhuǎn)換為局部覆鹽密度。
[0016]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點(diǎn)為：
[0017] (1)本發(fā)明的測量裝置設(shè)置在錯形裝置上，測量探頭為一對平行電極且外電極固 定，內(nèi)電極可調(diào)，可W實(shí)現(xiàn)與復(fù)合絕緣子表面的完整接觸，測量方便快捷，可W單人操作，測 量時可W直接讀出局部鹽密值，并且儀器具有記錄數(shù)據(jù)功能，減輕測量人員負(fù)擔(dān)。
[001引 似本發(fā)明通過水路控制模塊精確控制噴水流量，減小測量誤差，測量結(jié)果穩(wěn)定可 靠。
[0019] (3)本發(fā)明通過切換開關(guān)實(shí)現(xiàn)對復(fù)合絕緣子上下表面局部鹽密的測量。
[0020] (4)本發(fā)明可W分別測量絕緣表面不同區(qū)域的局部等效覆鹽密度，為進(jìn)一步深入 評估表面絕緣狀態(tài)的不均勻程度打下基礎(chǔ)。
[0021] 妨本發(fā)明成本低廉、操作方便，可便捷的帶到線路現(xiàn)場、自然積污站、戶外空曠場 地W及實(shí)驗(yàn)大廳中進(jìn)行試驗(yàn)，在不破壞絕緣子表面污層的情況下，實(shí)現(xiàn)直接利用便攜式絕 緣子局部鹽密測量裝置對絕緣子憎水性表面的上下兩個表面局部鹽密的測量，并可W直接 儲存該絕緣子表面局部鹽密數(shù)值，提高測量的穩(wěn)定性和測量精度。
[0022] (6)本發(fā)明設(shè)置有局部鹽密轉(zhuǎn)化模塊，可W將染污溶液的電導(dǎo)率轉(zhuǎn)化為絕緣子局 部鹽密并在顯示屏上輸出，并設(shè)有數(shù)據(jù)保持電路，可W存儲穩(wěn)定測量數(shù)據(jù)。
【附圖說明】
[0023] 圖1為本發(fā)明的局部鹽密轉(zhuǎn)化原理示意圖。
[0024] 圖2為本發(fā)明的絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置結(jié)構(gòu)圖。
[0025] 圖3為本發(fā)明的絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置的測量探頭示意圖。
[0026] 圖4為本發(fā)明的絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 結(jié)合圖1、圖2,本發(fā)明的一種絕緣子憎水性表面局部鹽密測量裝置，包括；用于存 儲去離子水1的儲水罐2、測量探頭3、用于控制去離子水流量的水路控制模塊、電路控制模 塊、切換開關(guān)、局部鹽密轉(zhuǎn)化模塊、錯形裝置和直流電源；
[002引所述儲水罐通過水路控制模塊與測量探頭相連，將去離子水輸送給測量探頭，所 述電路控制模塊與測量探頭相連，得到測量探頭上的污液電阻值；
[0029] 所述切換開關(guān)與測量探頭相連，用于切換測量絕緣子上下表面的污液電阻值；
[0030] 所述局部鹽密轉(zhuǎn)化模塊與電路控制模塊相連，將污液電阻值轉(zhuǎn)換為局部覆鹽密 度。
[0031] 結(jié)合圖3,測量探頭設(shè)置在錯口處，測量探頭包括對稱設(shè)置在錯形裝置錯口兩端 的平行電極10,分別用于測量復(fù)合絕緣子上表面和下表面的局部鹽密；兩端的平行電極均 包括兩個沿錯口寬度方向平行設(shè)置的電極，其中內(nèi)側(cè)的電極通過彈黃8設(shè)置在錯口上，所 述彈黃用于調(diào)節(jié)該內(nèi)側(cè)電極與絕緣子表面的接觸；平行電極的兩個電極之間還設(shè)置有注水 口，用于將去離子水注入到由平行電極和復(fù)合絕緣子表面形成的空腔中。
[0032] 所述水路控制模塊包括第一單向閥、第二單向閥、第S單向閥、第四單向閥、第一 可調(diào)節(jié)活塞、第二可調(diào)節(jié)活塞、第一出水探頭和第二出水探頭；
[0033] 儲水罐設(shè)有第一排水口、第二排水口和進(jìn)氣口；第一排水口通過導(dǎo)管與第一單向 閥、第一可調(diào)節(jié)活塞進(jìn)水口順次相連，第一可調(diào)節(jié)活塞出口與第二單向閥相連，第二單向閥 與第一出水探頭相連，第一出水探頭與第一注水口相連；第二排水口通過導(dǎo)管與第=單向 閥、第二可調(diào)節(jié)活塞進(jìn)水口順次相連，第二可調(diào)節(jié)活塞出口與第四單向閥相連，第四單向閥 與第二出水探頭相連，第二出水探頭與第二注水口相連。
[0034] 所述錯形裝置的兩個手柄4之間設(shè)置有調(diào)節(jié)彈黃5,調(diào)節(jié)彈黃兩端與兩個手柄固 定，所述第一可調(diào)節(jié)活塞、第二可調(diào)節(jié)活塞設(shè)置在兩個手柄之間，通過手柄控制兩個可調(diào)節(jié) 活塞吸水或排水；活塞后端安置可調(diào)節(jié)螺栓，便于調(diào)節(jié)活塞每次吸水和吐水的量。
[0035] 電路控制模塊包括用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的LRC振蕩電路，W及用于測 量污液電阻值的LRC數(shù)字電橋；
[0036] 所述局部鹽密轉(zhuǎn)化模塊是針對鹽密范圍