具有高密度傳導(dǎo)部的測(cè)試插座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于具有高密度傳導(dǎo)部的測(cè)試插座，且更特定言之，是有關(guān)于具有能夠與待測(cè)試的裝置的端子進(jìn)行可靠電接觸的耐久性高密度傳導(dǎo)部的測(cè)試插座。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，當(dāng)測(cè)試裝置的電特性時(shí)，將所述裝置穩(wěn)定地電連接至測(cè)試設(shè)備。測(cè)試插座通常用于連接待測(cè)試的裝置與測(cè)試設(shè)備。
[0003]此類測(cè)試插座的功能為將待測(cè)試的裝置的端子連接至測(cè)試設(shè)備的襯墊以便允許電信號(hào)在其間的雙向傳輸。為此目的，彈性導(dǎo)電薄片或彈簧式頂針在測(cè)試插座中用作接觸部分。彈性導(dǎo)電薄片用以使彈性傳導(dǎo)部與待測(cè)試的裝置的端子接觸，且其中安置有彈簧的彈簧式頂針用以連接待測(cè)試的裝置與測(cè)試設(shè)備，同時(shí)緩沖進(jìn)行連接時(shí)所可能發(fā)生的任何機(jī)械沖擊。此類彈性導(dǎo)電薄片或彈簧式頂針用于大多數(shù)測(cè)試插座中。
[0004]圖1說(shuō)明相關(guān)技術(shù)的例示性測(cè)試插座(20)。測(cè)試插座(20)包括:導(dǎo)電硅酮部⑶，其形成于BGA(ball grid array)半導(dǎo)體裝置(2)的球形引線(ball lead) (4)可置放到的位置處；以及絕緣硅酮部￠)，其形成于不與半導(dǎo)體裝置(2)的端子(4)接觸的區(qū)域中，用于支撐導(dǎo)電硅酮部(8)。導(dǎo)電硅酮部(8)將半導(dǎo)體裝置(2)的引線端子(4)電連接至插座板(12)的接觸襯墊(10)以用于測(cè)試半導(dǎo)體裝置(2)，且導(dǎo)電環(huán)(7)安裝在導(dǎo)電硅酮部(8)的頂表面上。
[0005]測(cè)試插座對(duì)于藉由朝向檢查設(shè)備推動(dòng)半導(dǎo)體裝置而使檢查設(shè)備與半導(dǎo)體裝置接觸可為有用的。此外，因?yàn)閷?dǎo)電硅酮部是個(gè)別地推動(dòng)，所以可容易地根據(jù)周邊裝置的平坦度執(zhí)行測(cè)試程序。換句話說(shuō)，導(dǎo)電硅酮部具有改良的電特性。此外，導(dǎo)電環(huán)在藉由半導(dǎo)體裝置的引線端子推動(dòng)導(dǎo)電硅酮部時(shí)防止導(dǎo)電硅酮部的展布，且因而接點(diǎn)可較少變形且因而穩(wěn)定地使用很長(zhǎng)的時(shí)段。
[0006]圖2說(shuō)明相關(guān)技術(shù)的另一例不性測(cè)試插座。導(dǎo)電娃酮部⑶將插座板(12)的接觸襯墊(10)電連接至待測(cè)試的半導(dǎo)體裝置(2)的引線端子(4)，且導(dǎo)體(22)藉由電鍍、蝕刻或涂布方法而形成于導(dǎo)電硅酮部(8)的頂表面及/或底表面上。
[0007]然而，因?yàn)榻逵呻婂?、蝕刻或涂布方法而形成于導(dǎo)電硅酮部(8)的頂表面及底表面上的導(dǎo)體(22)相對(duì)較硬(rigid)，故導(dǎo)電硅酮部的彈性與不使用導(dǎo)體的情況相比可能會(huì)降低。因此，連接半導(dǎo)體裝置的引線端子與插座板的接觸襯墊的導(dǎo)電硅酮部所具有的彈性可能較小。此外，若頻繁地進(jìn)行接觸動(dòng)作，則藉由電鍍、蝕刻或涂布方法形成的導(dǎo)體、半導(dǎo)體裝置或測(cè)試板的接觸襯墊可能會(huì)損壞，且污染物可能累積于其上。
[0008]為解決此類問(wèn)題，已提議圖3中所示的測(cè)試插座。所述測(cè)試插座包括:導(dǎo)電硅酮部(8)，其由硅酮與導(dǎo)電金屬粉末的混合物形成且安置在可置放BGA半導(dǎo)體裝置(2)的引線端子(4)的位置處；以及絕緣硅酮部￠)，其形成于不與半導(dǎo)體裝置(2)的球形引線(balllead) (4)接觸的區(qū)域中，用于支撐導(dǎo)電硅酮部⑶。導(dǎo)電金屬粉末密度大于導(dǎo)電硅酮部(8)的導(dǎo)電金屬粉末密度的導(dǎo)電性增強(qiáng)膜(30，30')形成于導(dǎo)電硅酮部(8)的頂表面(參考圖3的(a))及/或底表面(參考圖3的(b))上。因此，圖3中所示的測(cè)試插座具有改良的導(dǎo)電性。
[0009]然而，相關(guān)技術(shù)的測(cè)試插座可能具有以下問(wèn)題。
[0010]盡管測(cè)試插座的導(dǎo)電性由于導(dǎo)電性增強(qiáng)膜而得到改良，但因?yàn)閷?dǎo)電性增強(qiáng)膜自導(dǎo)電硅酮部突出，所以導(dǎo)電性增強(qiáng)膜可能容易因與半導(dǎo)體裝置(2)的端子的頻繁接觸而變形或損壞。明確地說(shuō)，導(dǎo)電性增強(qiáng)膜可能會(huì)因與端子的頻繁接觸而變形且斷裂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問(wèn)題
[0012]本發(fā)明提供一種包括具有改良的電接觸特性的耐久性高密度傳導(dǎo)部的測(cè)試插座。
[0013]技術(shù)解決方案
[0014]根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，提供一種測(cè)試插座，其具有高密度傳導(dǎo)部且用以安置在待測(cè)試的裝置與測(cè)試設(shè)備之間用于電連接所述裝置的端子與所述測(cè)試設(shè)備的襯墊，所述測(cè)試插座包括:彈性導(dǎo)電薄片，其包括第一傳導(dǎo)部及絕緣支撐部，所述第一傳導(dǎo)部安置在對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處且是藉由在所述第一傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第一導(dǎo)電粒子而形成，所述絕緣支撐部支撐所述第一傳導(dǎo)部且使所述第一傳導(dǎo)部彼此絕緣；支撐薄片，其附接至所述彈性導(dǎo)電薄片的頂表面且包括處于對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處的穿透孔；以及第二傳導(dǎo)部，其安置于所述支撐薄片的所述穿透孔中且是藉由在所述第二傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第二導(dǎo)電粒子而形成，其中所述第二導(dǎo)電粒子比所述第一導(dǎo)電粒子配置得更密集，且所述穿透孔具有大于其下部直徑的上部直徑。
[0015]所述穿透孔可具有向下減小的直徑。
[0016]所述穿透孔可包括:直徑減小部分，其具有向下減小的直徑；以及恒定直徑部分，其形成于所述直徑減小部分下方且具有恒定直徑。
[0017]所述直徑減小部分的高度可小于所述恒定直徑部分的高度。
[0018]所述第二導(dǎo)電粒子的平均粒徑可小于所述第一導(dǎo)電粒子的平均粒徑。
[0019]所述第二導(dǎo)電粒子之間的平均距離可小于所述第一導(dǎo)電粒子之間的平均距離。
[0020]所述支撐薄片可由比用以形成所述絕緣支撐部的材料硬的材料形成。
[0021]分離線可形成于所述支撐薄片中以為彼此相鄰的所述第二傳導(dǎo)部提供獨(dú)立性。
[0022]所述分離線可為藉由切割所述支撐薄片而形成的凹槽或孔。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣，一種測(cè)試插座具有高密度傳導(dǎo)部且用以安置在待測(cè)試的裝置與測(cè)試設(shè)備之間用于電連接所述裝置的端子與所述測(cè)試設(shè)備的襯墊，所述測(cè)試插座包括:彈性導(dǎo)電薄片，其包括第一傳導(dǎo)部及絕緣支撐部，所述第一傳導(dǎo)部安置在對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處且是藉由在所述第一傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第一導(dǎo)電粒子而形成，所述絕緣支撐部支撐所述第一傳導(dǎo)部且使所述第一傳導(dǎo)部彼此絕緣；支撐薄片，其附接至所述彈性導(dǎo)電薄片的底表面且包括處于對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處的穿透孔；以及第二傳導(dǎo)部，其安置于所述支撐薄片的所述穿透孔中且是藉由在所述第二傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第二導(dǎo)電粒子而形成，其中所述第二導(dǎo)電粒子比所述第一導(dǎo)電粒子配置得更密集，且所述穿透孔具有大于其上部直徑的下部直徑。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣，一種測(cè)試插座具有高密度傳導(dǎo)部且用以安置在待測(cè)試的裝置與測(cè)試設(shè)備之間用于電連接所述裝置的端子與所述測(cè)試設(shè)備的襯墊，所述測(cè)試插座包括:彈性導(dǎo)電薄片，其包括第一傳導(dǎo)部及絕緣支撐部，所述第一傳導(dǎo)部安置在對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處且是藉由在所述第一傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第一導(dǎo)電粒子而形成，所述絕緣支撐部支撐所述第一傳導(dǎo)部且使所述第一傳導(dǎo)部彼此絕緣；支撐薄片，其附接至所述彈性導(dǎo)電薄片的頂表面且包括處于對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處的第一穿透孔；第二傳導(dǎo)部，其安置于所述支撐薄片的所述第一穿透孔中且是藉由在所述第二傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第二導(dǎo)電粒子而形成；以及彈性部分，其安置在所述支撐薄片的頂表面上且包括對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的第二穿透孔，所述彈性部分是由比用以形成所述支撐薄片的材料軟的材料形成，其中所述第二導(dǎo)電粒子比所述第一導(dǎo)電粒子配置得更密集。
[0025]所述第二導(dǎo)電粒子可具有小于所述第一導(dǎo)電粒子的平均粒徑的平均粒徑。
[0026]所述第二導(dǎo)電粒子之間的平均距離可小于所述第一導(dǎo)電粒子之間的平均距離。
[0027]藉由形成于所述支撐薄片中而制造分離線，為彼此相鄰的所述第二傳導(dǎo)部提供獨(dú)立性。
[0028]用以形成所述支撐薄片的所述材料可比用以形成所述絕緣支撐部的材料硬。
[0029]所述彈性部分可由與用以形成所述絕緣支撐部的材料相同的材料形成。
[0030]所述彈性部分可由硅酮橡膠形成。
[0031]所述裝置的所述端子可插入至所述彈性部分的所述第二穿透孔中。
[0032]所述第二傳導(dǎo)部可自所述支撐薄片突出，且可插入至所述彈性部分的所述第二穿透孔中。
[0033]所述測(cè)試插座可進(jìn)一步包括:下部支撐薄片，其附接至所述彈性導(dǎo)電薄片的底表面且包括處于對(duì)應(yīng)于所述裝置的所述端子的位置處的下部穿透孔；以及下部傳導(dǎo)部，其安置于所述下部支撐薄片的所述下部穿透孔中且是藉由在所述下部傳導(dǎo)部的厚度方向上在彈性材料中配置多個(gè)第三導(dǎo)電粒子而形成，其中所述第三導(dǎo)電粒子可比所述第一導(dǎo)電粒子配置得更密集。
[0034]有利效果
[0035]根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槠渲忻芗嘏渲盟龅诙?dǎo)電粒子的所述第二傳導(dǎo)部支撐于所述支撐薄片中，所以所述測(cè)試插座可具有改良的導(dǎo)電率及耐久性。
[0036]此外，因?yàn)樗鰷y(cè)試插座的所述第二傳導(dǎo)部具有大于其下部直徑的上部直徑，所以可容易地使待測(cè)試的裝置的