放射線圖像檢測裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及放射線圖像檢測裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]蓄積性熒光體通過照射至蓄積性熒光體的激光激發(fā)而放出光。眾所周知的是如下讀取裝置，其對蓄積性熒光體照射激光(激發(fā)光)，并將自蓄積性熒光體放出的光通過光檢測元件而轉(zhuǎn)換為電信號(參照例如專利文獻I)。
[0003]先前技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻I日本專利特開平6-130526號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明所要解決的問題
[0007]本發(fā)明的目的在于，提供一種能抑制在光檢測元件的激發(fā)光的檢測的放射線圖像檢測裝置。
[0008]解決問題的技術(shù)手段
[0009]本發(fā)明的一個觀點的放射線圖像檢測裝置為檢測自記錄介質(zhì)放出的熒光光的放射線圖像檢測裝置，該記錄介質(zhì)是通過對記錄有放射線圖像的記錄介質(zhì)照射激發(fā)光而記錄放射線圖像的，且該放射線圖像檢測裝置包括:光檢測元件，其檢測熒光光；及棱鏡，其以位于朝向記錄介質(zhì)的激發(fā)光的光路上且光檢測元件與記錄介質(zhì)之間的方式配置；且棱鏡具有作為表面的與記錄介質(zhì)相對的第一面、及相對于第一面傾斜的第二面及第三面，并且以如下方式配置:自第二面入射的激發(fā)光在內(nèi)部傳播并自第一面出射，且自第一面入射的來自記錄介質(zhì)的反射光在內(nèi)部傳播并自第二面或第三面出射，光檢測元件與棱鏡的表面中的與來自記錄介質(zhì)的反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對配置。
[0010]本發(fā)明的一個觀點的放射線圖像檢測裝置中，激發(fā)光自不與記錄介質(zhì)相對的第二面入射至棱鏡，并自第一面出射。熒光光自第一面入射至棱鏡，且在棱鏡內(nèi)傳播并入射至光檢測元件。自第一面入射至棱鏡的反射光，自不與記錄介質(zhì)相對的第二面或第三面出射。光檢測元件與棱鏡的表面中的與反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對配置。因此，激發(fā)光不易入射至光檢測元件。根據(jù)該放射線圖像檢測裝置，可抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0011 ] 也可為第三面是透過激發(fā)光的面，且棱鏡以自第一面入射的來自記錄介質(zhì)的反射光自第三面出射的方式配置。該情形時，自第二面入射的激發(fā)光自第一面出射并照射至記錄介質(zhì)。自第一面入射至棱鏡的反射光自第三面出射。由于光檢測元件與棱鏡的表面中的與反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對配置，因此激發(fā)光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0012]也可為第三面是反射激發(fā)光的面，且棱鏡以自第二面入射的激發(fā)光在第三面反射并自第一面出射，且自第一面入射的來自記錄介質(zhì)的反射光自第二面出射的方式配置。該情形時，自第二面入射的激發(fā)光在第三面反射之后自第一面出射并照射至記錄介質(zhì)。自第一面入射至棱鏡的反射光自第二面出射。由于光檢測元件與棱鏡的表面中的與反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對配置，因此激發(fā)光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0013]光檢測元件也能以與第二面中的與激發(fā)光入射的區(qū)域不同的區(qū)域相對的方式配置。該情形時，由于光檢測元件以與第二面中的與激發(fā)光入射的區(qū)域不同的區(qū)域相對的方式配置，因此激發(fā)光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0014]光檢測元件也能以與第三面中的與來自記錄介質(zhì)的反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對的方式配置。該情形時，由于光檢測元件以與第三面中的與反射光出射的區(qū)域不同的區(qū)域相對的方式配置，因此激發(fā)光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0015]也可為棱鏡作為表面具有與第一面相對的第四面，且光檢測元件以與第四面相對的方式配置。該情形時，由于以相對于與激發(fā)光出射的第二面或第三面不同的第四面的方式配置光檢測元件，因此激發(fā)光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發(fā)光。
[0016]光檢測元件將光電二極管陣列作為I個信道而具備多個信道，且該光電二極管陣列包括:多個雪崩光電二極管，其以蓋格模式動作；及粹滅電阻，其對各個雪崩光電二極管串聯(lián)連接。該情形時，激發(fā)光不易入射至多個雪崩光電二極管。若激發(fā)光入射至多個雪崩光電二極管，則不僅熒光光，而且激發(fā)光也被雪崩倍增。由于激發(fā)光不易入射至多個雪崩光電二極管，因此可將會通過雪崩倍增而增大的激發(fā)光的影響抑制為較低。
[0017]發(fā)明的效果
[0018]根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能抑制在光檢測元件的激發(fā)光的檢測的放射線圖像檢測
目.ο
【附圖說明】
[0019]圖1為表示實施方式的放射線圖像檢測裝置的概略構(gòu)成圖。
[0020]圖2為實施方式的光電二極管陣列的立體圖。
[0021]圖3 (a)為圖2所示的光電二極管陣列的I1-1I箭頭剖面圖，圖3(b)為其電路圖。
[0022]圖4為實施方式的光電二極管陣列的電路圖。
[0023]圖5為棱鏡的剖面圖。
[0024]圖6為表不棱鏡的一變形例的剖面圖。
[0025]圖7為表不棱鏡的一變形例的剖面圖。
[0026]圖8為表示實施方式的變形例的放射線圖像檢測裝置的概略構(gòu)成圖。
[0027]圖9為棱鏡的剖面圖。
【具體實施方式】
[0028]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。再者，在說明中，對同一要素或具有同一功能的要素使用同一符號，并省略重復(fù)的說明。
[0029]首先，參照圖1對本實施方式的放射線圖像檢測裝置20的構(gòu)成進行說明。圖1為表示實施方式的放射線圖像檢測裝置的概略構(gòu)成圖。
[0030]放射線圖像檢測裝置20檢測對成像板IP照射激發(fā)光EL而自成像板IP放出的熒光光。成像板IP為記錄放射線圖像的記錄介質(zhì)。自成像板IP放出的熒光光的波長與激發(fā)光的波長不同。
[0031]放射線圖像檢測裝置20包括激發(fā)光源2、MEMS(Micro Electro MechanicalSystem，微機電系統(tǒng))鏡片3、掃描透鏡4、棱鏡5、及光檢測元件10。光檢測元件10以與棱鏡5相對的方式配置。
[0032]自激發(fā)光源2發(fā)出的激發(fā)光EL在MEMS鏡片3反射，并通過掃描透鏡4。通過掃描透鏡4的激發(fā)光EL入射至棱鏡5。棱鏡5配置于激發(fā)光EL的光路上。入射至棱鏡5的激發(fā)光EL在棱鏡5內(nèi)折射并照射至成像板IP。
[0033]當(dāng)激發(fā)光EL照射至成像板IP時，自成像板IP放出熒光光。光檢測元件10檢測自成像板IP放出的熒光光。光檢測元件10將光電二極管陣列11作為一個信道而具有多個通道。此處，參照圖2?圖4對本實施方式的光電二極管陣列11的構(gòu)成進行說明。
[0034]圖2是光電二極管陣列11的立體圖。圖3(a)為圖4所示的光電二極管陣列的I1-1I箭頭剖面圖，圖3(b)為其電路圖。圖4為光電二極管陣列的整體的電路圖。
[0035]在光電二極管陣列11中，多個光電二極管Dl (參照圖4)形成于N型(第I導(dǎo)電型)的半導(dǎo)體基板IN上。
[0036]各個光電二極管Dl包括:P型(第2導(dǎo)電型)的第I半導(dǎo)體區(qū)域1PA，其形成于半導(dǎo)體基板IN的一個表面?zhèn)龋?amp;P型(第2導(dǎo)電型)的第2半導(dǎo)體區(qū)域1PB，其形成于第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA內(nèi)。第2半導(dǎo)體區(qū)域IPB具有較第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA更高的雜質(zhì)濃度。光電二極管Dl包括:第I電極E1，其電連接于半導(dǎo)體基板IN ;及表面電極E3，其形成于第2半導(dǎo)體區(qū)域IPB上。第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA的平面形狀為四邊形。第2半導(dǎo)體區(qū)域IPB位于第I半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且平面形狀為四邊形。第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA的深度較第2半導(dǎo)體區(qū)域IPB更深。圖3中的半導(dǎo)體基板I表示為包含N型半導(dǎo)體基板IN、及P型半導(dǎo)體區(qū)域1PA、IPB的雙方。
[0037]光電二極管陣列11針對各個光電二極管Dl的每一個，而包括由金屬層構(gòu)成的第I反射體E2、及電阻層(猝滅電阻)R1。
[0038]第I反射體E2隔著絕緣層L(參照圖3)而形成于第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA外側(cè)的半導(dǎo)體基板IN上。電阻層Rl其一端連接于表面電極E3，且沿第I半導(dǎo)體區(qū)域IPA上的絕緣層L的表面延伸。圖2中，為使構(gòu)造明確化而省略圖3所示的絕緣層L的記載。
[0039]第I反射體E2由反射體E21構(gòu)成，該反射體E21由平面形狀為L字型的金屬層構(gòu)成。位于半導(dǎo)體基板IN上的第I反射體E21 (E2)、與具有第I開口的環(huán)狀的表面電極E3電性隔離。即，在光電二極管Dl的陽極與陰極分別設(shè)置有電極，但一個表面電極E3與第I反射體E2電性分離。由