飛行時間。這樣做能夠基于母離子的特性以及第一子離子和第二子離子的特性來推斷出母離子的標(biāo)識(方塊310)。
[0045]在第一方法示例中，一種方法包括:確定樣本是否包含具有第一特性的離子，其中包括通過施加RF電場和/或熱能來修飾從樣本中得到的第一多個離子。在第二示例中，施加熱能包括:在將離子引入漂移室的區(qū)域之前或之后，在選定的時段中對光譜儀漂移室的區(qū)域施加熱能。這個第二示例可選地包含了第一示例的特征。在第三示例中，光譜儀漂移室包括用于施加RF電場的電極，并且熱能被局限在所述電極的選定距離以內(nèi)。這個第三示例可選地包含了第一示例和第二示例中的任一示例或是所有這兩個示例的特征等。在第四示例中，施加熱能以及RF電場包括在施加RF電場之前施加熱能。這個第四示例可選地包含了第一、第二和第三示例中的任意的一個或多個示例的特征。在第五示例中，該方法包括確定光譜儀漂移室的區(qū)域的溫度，并且僅僅在該溫度低于選定的閾值溫度的時候施加熱能。這個第五示例可選地包含了第一至第四示例中的任意的一個或多個示例的特征。
[0046]在第一裝置示例中，離子迀移光譜儀被配置成在特性確定器確定樣本的離子具有第一特性的情況下，對第一多個離子施加RF電場和熱能中的任一者；并且在特性確定器確定所述第一多個離子具有第二特性的情況下，則對第二多個離子施加RF電場和熱能。
[0047]在第二裝置示例中，特性確定器包括光譜儀漂移室，以及用于控制離子進入漂移室的通道的閘門，其中該控制器被配置成在選定時段中，通過操作加熱器來施加熱能。這個第二裝置示例可選地包含了第一裝置示例的特征。
[0048]在第三裝置示例中，控制器被配置成在溫度低于選定的閾值溫度的情況下，通過操作加熱器來施加熱能。這個第三裝置示例可選地包含了第一裝置示例和/或第二裝置示例的特征。
[0049]在第四裝置示例中，離子迀移光譜儀包括:被配置成在光譜儀的區(qū)域中對離子施加RF電場的離子修飾器；被配置成加熱該區(qū)域的加熱器；以及被配置成在操作離子修飾器施加RF電場之前操作加熱器加熱該區(qū)域的控制器。這個第四裝置示例可選地包含了第一裝置示例和/或第二裝置示例和/或第三裝置示例的特征。
[0050]在第五裝置示例中，加熱器和離子修飾器被布置成使加熱器不會阻礙RF電場修飾離子。這個第五裝置示例可選地包含了第一到第一裝置示例中的一個或多個示例的特征。
[0051]應(yīng)該認(rèn)識到的是，在本公開的上下文中，RF電場包括任何具有適于施加能量來修飾離子(例如通過為離子給予能量來提升離子有效溫度)的頻率特性的交變電場。
[0052]對本領(lǐng)域的讀者來說，其他的示例和變體在本公開的上下文是顯而易見的。
[0053]本公開的方面提供了存儲指令的計算機程序產(chǎn)品以及計算機可讀媒體，例如有形的非暫時性媒體，其中所述指令通過對處理器編程來執(zhí)行描述于此的任意的一種或多種方法。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在本公開的上下文中，裝置的其他變體和修改都是顯而易見的。
【主權(quán)項】
1.一種離子迀移光譜測定方法，包括: 確定樣本是否包含具有第一特性的離子； 在確定所述樣本包含具有所述第一特性的離子的情況下，則對母離子施加熱能以及射頻RF電場，以便獲取具有第二特性的子離子，以基于所述第一特性和所述第二特性來推斷出所述母離子的至少一個標(biāo)識。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中確定樣本是否包含具有第一特性的離子包括:通過施加RF電場和熱能中的一者來修飾從所述樣本中得到的第一多個離子。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加熱能包括在選定時段中將熱能施加于光譜儀漂移室的區(qū)域。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述光譜儀漂移室包括用于施加所述RF電場的電極，并且所述熱能被局限在所述電極的選定距離以內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加熱能以及RF電場包括:在施加所述RF電場之前施加所述熱能。6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:確定光譜儀漂移室的區(qū)域的溫度，以及僅在該溫度低于選定的閾值溫度的情況下才施加所述熱能。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加熱能包括將光譜儀漂移室的區(qū)域加熱至在沒有施加RF電場的情況下不足以修飾離子的溫度。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加熱能包括將光譜儀漂移室的區(qū)域加熱至為促進所述RF電場的離子修飾處理而選擇的溫度。9.一種離子迀移光譜儀，包括: 特性確定器，用于確定樣本的離子的特性； 電極，被適配成使所述離子在所述光譜儀中的區(qū)域遭遇到RF電場； 加熱器，被適配成加熱所述區(qū)域； 控制器，被配置成有選擇地控制以下的至少一者: 將RF電壓施加于所述電極；以及 所述加熱器； 基于所確定的特性來施加熱能和RF電場中的至少一者。10.如權(quán)利要求9所述的離子迀移光譜儀，其中所述控制器被配置成在所述特性確定器確定所述樣本的離子具有第一特性的情況下，操作所述電極以對第一多個離子施加RF電場和熱能中的一者；以及 然后，在所述特性確定器確定所述第一多個離子具有第二特性的情況下，操作所述電極以對第二多個離子施加所述RF電場和熱能。11.如權(quán)利要求9所述的離子迀移光譜儀，其中所述特性確定器包括光譜儀漂移室，以及用于控制離子進入所述漂移室的通道的閘門，其中所述控制器被配置成在選定時段中通過操作所述加熱器來施加熱能。12.如權(quán)利要求9所述的離子迀移光譜儀，其中所述控制器被配置成在溫度低于選定的閾值溫度的情況下，通過操作所述加熱器來施加熱能。13.一種離子迀移光譜儀，包括: 離子修飾器，被配置成在所述光譜儀的區(qū)域中對離子施加RF電場； 加熱器，被配置成加熱所述區(qū)域；以及 控制器，被配置成在操作所述離子修飾器施加所述RF電場之前，操作所述加熱器來加熱所述區(qū)域。14.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，其中所述加熱器和所述離子修飾器被布置成使所述加熱器不會阻礙所述RF電場修飾離子。15.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，包括漂移室，以及被配置成檢測沿著所述漂移室的離子的通道的檢測器，以及被配置成控制離子進入所述漂移室的通道的閘門，其中所述加熱器被部署在從包含下列各項的列表中選出的位置:在所述漂移室的漂移氣體入口 ；在介于所述離子修飾器與所述閘門之間的所述漂移室中；在介于所述檢測器與所述離子修飾器之間的所述漂移室中；以及附在圍繞所述離子修飾器的所述漂移室的壁部。16.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，其中所述加熱器被布置成加熱所述漂移室的所述區(qū)域超出加熱所述漂移室的其他區(qū)域。17.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，包括漂移室，其中所述離子修飾器被部署在所述漂移室中，并且所述光譜儀包括被布置成對所述漂移室中的局部區(qū)域施加紅外輻射的紅外輻射源。18.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，其中所述離子修飾器包括所述加熱器。19.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，包括用于確定離子特性的特性確定器，其中所述控制器被配置成除非所述特性確定器指示存在具有選定的特性集合中的一者的離子，否則不會操作所述加熱器。20.如權(quán)利要求13所述的離子迀移光譜儀，包括溫度傳感器，其中所述控制器被配置成除非溫度低于選定的閾值溫度，否則不操作所述加熱器。
【專利摘要】一種離子遷移光譜測定方法，包括確定樣本是否包含具有第一特性的離子，以及在確定該樣本包含具有第一特性的離子的情況下，對母離子施加熱能以及射頻RF電場，以便獲取具有第二特性的子離子，由此基于所述第一特性和所述第二特性來推斷出母離子的至少一個標(biāo)識。
【IPC分類】G01N27/62
【公開號】CN105209897
【申請?zhí)枴緾N201480027747
【發(fā)明人】D·夏普, J·阿特金森
【申請人】史密斯探測-沃特福特有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2014年3月12日
【公告號】CA2906255A1, EP2972284A1, US20160054263, WO2014140577A1