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      一種光檢測方法及電子設(shè)備的制造方法_4

      文檔序號(hào):9522337閱讀:來源:國知局

      [0143]步驟503:調(diào)節(jié)N次光子晶體層的受控電壓以改變所述光子晶體層透射出的第一部分以及第二部分。
      [0144]本發(fā)明實(shí)施例中,通過調(diào)節(jié)所述光子晶體層的受控電壓,能改變所述第一光線的第二部分的光波波長,如此,調(diào)節(jié)N次光子晶體層的受控電壓可以改變光子晶體層透射出的第一部分的波段以及第二部分的波長。
      [0145]步驟504:利用所述感光層獲取所述第一部分對(duì)應(yīng)的N個(gè)光強(qiáng)值;執(zhí)行步驟505、步驟508。
      [0146]本發(fā)明實(shí)施例中,第一光線由N種基色光按照不同比例混合而成時(shí),需要確定N種基色光的相對(duì)比例,也即基色光參數(shù)才能夠確定出第一光線的顏色;為此,需要獲取N次所述第一部分的光強(qiáng)值,其中,每次獲取第一部分的光強(qiáng)值時(shí),需要改變所反射出的第二部分的光波波長,以得到N組光強(qiáng)值與基色光參數(shù)之間的映射關(guān)系,然后,根據(jù)N組光強(qiáng)值與基色光參數(shù)之間的映射關(guān)系,求解出N種基色光的相對(duì)比例。
      [0147]具體地,對(duì)于每次調(diào)節(jié)光子晶體層的受控電壓時(shí),都利用感光層采集第一部分的光強(qiáng)值,如此,可以采集到N個(gè)光強(qiáng)值。
      [0148]具體地,以第一光線由三種基色光RGB按照不同比例混合而成為例,第一次獲取第一部分的光強(qiáng)值時(shí),光子晶體層反射出的第二部分為R,獲得的光強(qiáng)值Il ;第二次獲取第一部分的光強(qiáng)值時(shí),光子晶體層反射出的第二部分為G,獲得的光強(qiáng)值12 ;第三次獲取第一部分的光強(qiáng)值時(shí),光子晶體層反射出的第二部分為B,獲得的光強(qiáng)值13。
      [0149]步驟505:基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,確定所述第一光線的光譜。
      [0150]本發(fā)明實(shí)施例中,第一光線的光譜是指第一光線中的波長與光強(qiáng)值的映射關(guān)系,根據(jù)第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,可以獲取到第一光線的基色光參數(shù);也即第一光線的光譜。
      [0151]步驟506:基于所述第一光線的光譜,確定所述第一光線的色溫。
      [0152]這里,光譜與色溫具有對(duì)應(yīng)關(guān)系,特定的光譜對(duì)應(yīng)特定的色溫;色溫越高,光譜中藍(lán)光區(qū)域所占比重越大。
      [0153]步驟507:基于所述第一光線的色溫,調(diào)節(jié)所述顯示屏的顯示參數(shù)以改變所述顯示屏的色溫;結(jié)束本流程。
      [0154]本發(fā)明實(shí)施例中,第一光線可以是環(huán)境光或者是顯示屏的光線,獲取到第一光線的色溫后,可以調(diào)節(jié)顯示屏的顯示參數(shù)以改變所述顯示屏的色溫,如此,可以將顯示屏的色溫調(diào)節(jié)至人眼舒適的范圍內(nèi),保護(hù)視覺。
      [0155]步驟508:基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù)。
      [0156]基于步驟504,建立三組光強(qiáng)值與基色光參數(shù)之間的映射關(guān)系,為公式(Ie):
      [0157]IG+IB = Il
      [0158]IR+IB = 12(Ie)
      [0159]IG+IR = 13
      [0160]其中,11?、1(;、、分別表示1?、6、8的光強(qiáng)值。
      [0161]通過求解公式(Ie),可以得出IR、Ie、Ib值,進(jìn)而確定出第一光線的基色光參數(shù)。
      [0162]本發(fā)明實(shí)施例中,通過N次獲取第一部分的光強(qiáng)值,即可確定出N種基色光的基色光參數(shù),也即分辨出第一光線中基色光的成分,相對(duì)于CF而言,CF只能確定出1/N的基色光參數(shù),本發(fā)明實(shí)施例大大提高了第一光線的分辨率。
      [0163]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖,所述電子設(shè)備具有光子晶體層、感光層;所述電子設(shè)備還包括:
      [0164]第一處理單元61,用于利用所述光子晶體層透射出第一光線的第一部分,以及反射出所述第一光線的第二部分;所述第一光線由所述第一部分和所述第二部分組成,所述第二部分的光波波長為第一波長;
      [0165]獲取單元62,用于利用所述感光層獲取所述第一部分的光強(qiáng)值;
      [0166]第二處理單元63,用于獲取N次所述第一部分的光強(qiáng)值,并基于得到的N個(gè)光強(qiáng)值計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù),N > 3。
      [0167]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元所實(shí)現(xiàn)的功能,可參照前述的光檢測方法的相關(guān)描述而理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元,可通過實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的模擬電路而實(shí)現(xiàn),也可以通過執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的軟件在智能終端上的運(yùn)行而實(shí)現(xiàn)。
      [0168]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖,所述電子設(shè)備具有光子晶體層、感光層;所述電子設(shè)備還包括:
      [0169]第一處理單元71,用于利用所述光子晶體層透射出第一光線的第一部分,以及反射出所述第一光線的第二部分;所述第一光線由所述第一部分和所述第二部分組成,所述第二部分的光波波長為第一波長;
      [0170]獲取單元72,用于利用所述感光層獲取所述第一部分的光強(qiáng)值;
      [0171]第二處理單元73,用于獲取N次所述第一部分的光強(qiáng)值,并基于得到的N個(gè)光強(qiáng)值計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù),N > 3。
      [0172]優(yōu)選地,所述光子晶體層受電壓控制,通過調(diào)節(jié)所述光子晶體層的受控電壓,能改變所述第一光線的第二部分的光波波長;相應(yīng)地,所述第二處理單元73包括:
      [0173]第一調(diào)節(jié)子單元731,用于調(diào)節(jié)N次光子晶體層的受控電壓以改變所述光子晶體層透射出的第一部分以及第二部分;
      [0174]獲取子單元732,用于利用所述感光層獲取所述第一部分對(duì)應(yīng)的N個(gè)光強(qiáng)值;
      [0175]計(jì)算子單元733,用于基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù)。
      [0176]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元所實(shí)現(xiàn)的功能,可參照前述的光檢測方法的相關(guān)描述而理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元,可通過實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的模擬電路而實(shí)現(xiàn),也可以通過執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的軟件在智能終端上的運(yùn)行而實(shí)現(xiàn)。
      [0177]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖,所述電子設(shè)備具有光子晶體層、感光層;所述電子設(shè)備還包括:
      [0178]第一處理單元81,用于利用所述光子晶體層透射出第一光線的第一部分,以及反射出所述第一光線的第二部分;所述第一光線由所述第一部分和所述第二部分組成,所述第二部分的光波波長為第一波長;
      [0179]獲取單元82,用于利用所述感光層獲取所述第一部分的光強(qiáng)值;
      [0180]第二處理單元83,用于獲取N次所述第一部分的光強(qiáng)值,并基于得到的N個(gè)光強(qiáng)值計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù),N > 3。
      [0181]優(yōu)選地,所述光子晶體層受電壓控制,通過調(diào)節(jié)所述光子晶體層的受控電壓,能改變所述第一光線的第二部分的光波波長;相應(yīng)地,所述第二處理單元83包括:
      [0182]第一調(diào)節(jié)子單元831,用于調(diào)節(jié)N次光子晶體層的受控電壓以改變所述光子晶體層透射出的第一部分以及第二部分;
      [0183]獲取子單元832,用于利用所述感光層獲取所述第一部分對(duì)應(yīng)的N個(gè)光強(qiáng)值;
      [0184]計(jì)算子單元833,用于基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù)。
      [0185]優(yōu)選地,所述電子設(shè)備的曝光時(shí)長為Tl ;
      [0186]所述第一調(diào)節(jié)子單元831,還用于在tl時(shí)刻,調(diào)節(jié)光子晶體層的受控電壓為第一電壓;相應(yīng)地,所述獲取子單元832,還用于利用所述感光層獲取所述第一部分的第一光強(qiáng)值;
      [0187]所述第一調(diào)節(jié)子單元831,還用于在t2時(shí)刻,調(diào)節(jié)光子晶體層的受控電壓為第二電壓;相應(yīng)地,所述獲取子單元832,還用于利用所述感光層獲取所述第一部分的第二光強(qiáng)值;
      [0188]所述第一調(diào)節(jié)子單元831,還用于在t3時(shí)刻,調(diào)節(jié)光子晶體層的受控電壓為第三電壓;相應(yīng)地,所述獲取子單元832,還用于利用所述感光層獲取所述第一部分的第三光強(qiáng)值;其中,
      [0189]所述t3時(shí)刻晚于所述t2時(shí)刻,所述t2時(shí)刻晚于所述tl時(shí)刻,t3-tl彡Tl。
      [0190]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元所實(shí)現(xiàn)的功能,可參照前述的光檢測方法的相關(guān)描述而理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元,可通過實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的模擬電路而實(shí)現(xiàn),也可以通過執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例所述的功能的軟件在智能終端上的運(yùn)行而實(shí)現(xiàn)。
      [0191]圖9為本發(fā)明實(shí)施例四的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖,所述電子設(shè)備具有光子晶體層、感光層;所述電子設(shè)備還包括:
      [0192]第一處理單元91,用于利用所述光子晶體層透射出第一光線的第一部分,以及反射出所述第一光線的第二部分;所述第一光線由所述第一部分和所述第二部分組成,所述第二部分的光波波長為第一波長;
      [0193]獲取單元92,用于利用所述感光層獲取所述第一部分的光強(qiáng)值;
      [0194]第二處理單元93,用于獲取N次所述第一部分的光強(qiáng)值,并基于得到的N個(gè)光強(qiáng)值計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù),N > 3。
      [0195]優(yōu)選地,所述光子晶體層受電壓控制,通過調(diào)節(jié)所述光子晶體層的受控電壓,能改變所述第一光線的第二部分的光波波長;相應(yīng)地,所述第二處理單元93包括:
      [0196]第一調(diào)節(jié)子單元931,用于調(diào)節(jié)N次光子晶體層的受控電壓以改變所述光子晶體層透射出的第一部分以及第二部分;
      [0197]獲取子單元932,用于利用所述感光層獲取所述第一部分對(duì)應(yīng)的N個(gè)光強(qiáng)值;
      [0198]計(jì)算子單元933,用于基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,計(jì)算所述第一光線的基色光參數(shù)。
      [0199]優(yōu)選地,所述電子設(shè)備還具有透鏡、處理器;相應(yīng)地,所述電子設(shè)備還包括:
      [0200]成像單元94,用于利用所述透鏡對(duì)所述目標(biāo)對(duì)象進(jìn)行成像,得到所述目標(biāo)對(duì)象的第一光線;
      [0201]所述計(jì)算子單元933,還用于利用所述處理器基于所述第一部分的N個(gè)光強(qiáng)值,建立N組所述光強(qiáng)值與基色光參數(shù)之間的映射關(guān)系,并基于所述映射關(guān)系計(jì)算所述目標(biāo)對(duì)象的基色光參數(shù)。
      [0202]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元所實(shí)現(xiàn)的功能,可參照前述的光檢測方法的相關(guān)描述而理解,本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中的各單元,可通過實(shí)現(xiàn)本發(fā)
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