高壓法模擬容性設備介損時由于電阻發(fā)熱所導致的介損變化。
[0040]本實施例的模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)還包括，泄露電流測量裝置和電壓測量裝置；所述泄露電流測量裝置用于測量所述標準電容的泄露電流，所述電壓測量裝置用于測量所述電壓移相裝置輸出的移相后的參考電壓。
[0041]本實施例中，所述電壓移相裝置包括9對電壓輸出端，如圖3所示，信號輸出1L-信號輸出N為第一對，信號輸出2L-信號輸出N為第二對，以此類推，信號輸出9L-信號輸出N為第九對。試驗時，將試驗變壓器的電壓測量端對應地接到所述電壓移相裝置的電壓輸入端(即信號輸入L端和信號輸入N端)，通過電壓移相裝置不同的電壓輸出端輸出的電壓即可得到不同的介損值。
[0042]如圖3所示，本實施例中，電壓移相裝置的9對電壓輸出端分別對應了 9組RC移相電路，每一組RC移相電路對應一對電壓輸出端，每一組RC移相電路對電壓相角的改變不同，通過電壓移相裝置后原有的介損值(即所述容性設備的固有介損)會有特定的增加。優(yōu)選地，通過設定所述電壓移相裝置，可使得所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)根據所述容性設備的泄露電流、所述電壓移相裝置的9對電壓輸出端輸出的9個相角不同的電壓，可輸出介損值分別為 δ。、δ0+0.3%, δ0+0.5%, δ0+1%, δ0+2%, δ0+5%, δ0+10%,δ0+2Ο%及δ0+5Ο% ;所述δ。為所述容性設備的固有介損。
[0043]根據本發(fā)明的上述實施例，基于電壓移相技術的高壓介損模擬系統(tǒng)，應用于對容性設備在線監(jiān)測系統(tǒng)或帶電測試儀的功能及精度進行校驗，可真實模擬高壓容性設備的運行環(huán)境，通過對參考電壓相角的改變來實現(xiàn)高壓介損模擬系統(tǒng)輸出介損值的改變，解決了以往高壓電阻電容模擬介損時電阻發(fā)熱導致阻值改變的難題，可在高壓法環(huán)境下穩(wěn)定模擬某一預期介損值。
[0044]以下對為一種模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的方法實施例進行描述。圖4為本發(fā)明實施例的模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的方法的示意性流程圖，包括步驟:
[0045]S21，向容性設備提供輸入電壓，獲取所述輸入電壓的參考電壓；
[0046]優(yōu)選地，步驟S21中，可通過上述試驗變壓器向容性設備提供輸入電壓，通過上述試驗變壓器的電壓測量端獲取所述輸入電壓的參考電壓，可參考如2所示。
[0047]S22，通過預設的電壓移相裝置對所述參考電壓進行移相處理；
[0048]作為一優(yōu)選實施方式，通過預設的電壓移相裝置，可對所述參考電壓進行若干相角的移相處理，得到若干相角不同的電壓。
[0049]本實施例中，所述電壓移相裝置的結構可參考上述實施例所述，不做贅述。
[0050]S23，獲取所述容性設備的泄露電流，根據所述泄露電流、所述電壓移相裝置輸出的移相后的參考電壓，得出對應的容性設備介損值。
[0051 ] 優(yōu)選的，所述容性設備為電容器。
[0052]例如，所述電壓移相裝置包括9對電壓輸出端，通過電壓移相裝置后原有的介損值(即所述容性設備的固有介損)會有特定的增加。通過設定所述電壓移相裝置，根據所述容性設備的泄露電流、所述電壓移相裝置的9對電壓輸出端輸出的9個相角不同的電壓，可得到對應的容性設備介損值為δ。、δ0+0.3%, δ0+0.5%, δ0+1%、δ0+2%, δ 0+5%,δ0+10%、δ0+2Ο%及δ0+5Ο% ;所述δ。為所述容性設備的固有介損。
[0053]需要說明的是，對于上述方法實施例，為了簡便描述，將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定都是本發(fā)明所必須的。
[0054]在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其它實施例的相關描述。
[0055]以上為對本發(fā)明所提供的模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)的描述，對于本領域的一般技術人員，依據本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處，綜上，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。
【主權項】
1.模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，包括:容性設備、試驗變壓器以及電壓移相裝置； 所述試驗變壓器，用于為所述容性設備提供輸入電壓； 所述電壓移相裝置，用于對測量到的所述輸入電壓的參考電壓進行移相處理，并輸出移相后的參考電壓； 所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，根據所述容性設備的泄露電流、所述移相后的參考電壓，輸出對應的容性設備介損值。2.如權利要求1所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓移相裝置包括一對電壓輸入端和若干電壓輸出端； 所述電壓移相裝置具體用于，將所測量到的所述輸入電壓的參考電壓進行若干不同相角的移相處理，并通過所述若干電壓輸出端輸出若干相角不同的電壓。3.如權利要求2所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓移相裝置包括若干RC移相電路，每一電壓輸出端對應一 RC移相電路，每一 RC移相電路對電壓相角的改變不同。4.如權利要求3所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓移相裝置包括9對電壓輸出端； 所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，根據所述容性設備的泄露電流、所述電壓移相裝置的9對電壓輸出端輸出的9個相角不同的電壓，輸出對應的介損值分別為δ。、δ0+0.3%, δ0+0.5%、δ0+1%, δ0+2%, δ0+5%, δ0+10%^ 3。+20%及 3。+50% ;所述 δ0為所述容性設備的固有介損。5.如權利要求3所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，所述RC移相電路包括精密電容及精密電阻； 所述精密電容的溫度系數(shù)小于等于-200±100ppm/°C，介質損耗小于等于5Χ104，所述精密電阻的電阻值為10kQ以上。6.如權利要求1所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，還包括泄露電流測量裝置和電壓測量裝置； 所述泄露電流測量裝置用于測量所述容性設備的泄露電流， 所述電壓測量裝置用于測量所述電壓移相裝置輸出的移相后的參考電壓。7.如權利要求1至6任一所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，其特征在于，所述容性設備為電容器。8.模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的方法，其特征在于，包括: 向容性設備提供輸入電壓，獲取所述輸入電壓的參考電壓； 通過預設的電壓移相裝置對所述參考電壓進行移相處理； 獲取所述容性設備的泄露電流，根據所述泄露電流、移相后的參考電壓得出對應的容性設備介損值。9.如權利要求8所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的方法，其特征在于，所述通過預設的電壓移相裝置對所述參考電壓進行移相處理包括， 通過預設的電壓移相裝置，對所述參考電壓進行若干相角的移相處理，得到若干相角不同的電壓。10.如權利要求8或9所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的方法，其特征在于，所述容性設備為電容器。
【專利摘要】本發(fā)明涉及模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)和方法。所述系統(tǒng)包括：容性設備、試驗變壓器以及電壓移相裝置；所述試驗變壓器，用于為所述容性設備提供輸入電壓；所述電壓移相裝置，用于對測量到的所述輸入電壓的參考電壓進行移相處理，并輸出移相后的參考電壓；所述模擬高壓環(huán)境下容性設備介損的系統(tǒng)，根據所述容性設備的泄露電流、所述移相后的參考電壓，輸出對應的容性設備介損值。通過本發(fā)明，解決了以往高壓電阻電容模擬介損時，電阻發(fā)熱導致阻值改變的難題，可在高壓法環(huán)境下穩(wěn)定模擬某一預期介損值。
【IPC分類】G01R27/26
【公開號】CN105319448
【申請?zhí)枴緾N201510785259
【發(fā)明人】楊森, 熊俊, 楊玨, 老洪干, 鐘少泉, 鄭服利, 李光茂, 劉宇
【申請人】廣州供電局有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年11月13日