一種tem樣品的定位方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種TEM樣品的定位方法。
【背景技術(shù)】
[0002]TEM (Transmiss1n Electron Microscope，簡稱透射電鏡)是一種非常重要的材料分析手段。特別是隨著半導(dǎo)體集成電路工藝持續(xù)的開發(fā)，特征尺寸從微米級別逐漸發(fā)展到現(xiàn)在的納米級別，TEM已經(jīng)取代SEM(掃描電子顯微鏡)成為集成電路材料/結(jié)構(gòu)分析的主要工具。
[0003]—般情況下，在具有特殊結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品上面制備TEM樣品，后續(xù)在TEM樣品上觀察目標(biāo)結(jié)構(gòu)都是比較容易的。但是，對于某些具有大量重復(fù)的小尺寸單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，如圖1和圖2所示，即使制樣前能夠通過電壓襯度等方式定位到失效單元100，但在制樣過程中或制樣完成后卻很難確認(rèn)失效單元100的位置，從而造成制樣效率低下，甚至可能分析到錯誤的重復(fù)單元上去，而影響分析結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種TEM樣品的定位方法，從而對重復(fù)單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行準(zhǔn)確定位。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種TEM樣品的定位方法，包括:
[0006]步驟1:提供具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，并確定該產(chǎn)品上的失效單元的位置；
[0007]步驟2:在產(chǎn)品表面制作與所述失效單元對應(yīng)的定位標(biāo)記和警示標(biāo)記；
[0008]步驟3:在所述失效單元上方沉積第一金屬保護(hù)層，所述第一金屬保護(hù)層部分覆蓋所述定位標(biāo)記和警示標(biāo)記；步驟4:在所述第一金屬保護(hù)層上沉積第二金屬保護(hù)層；
[0009]步驟5:根據(jù)所述定位標(biāo)記和警示標(biāo)記切割產(chǎn)品制備TEM樣品。
[0010]作為優(yōu)選，所述步驟2中，定位標(biāo)記和警示標(biāo)記均為線狀。
[0011]作為優(yōu)選，使用FIB制作所述定位標(biāo)記和警示標(biāo)記。
[0012]作為優(yōu)選，所述步驟2包括:
[0013]步驟21:制作線狀定位標(biāo)記，所述線狀定位標(biāo)記與所述失效單元處于同一直線上，且所述線狀定位標(biāo)記的一端與所述失效單元距離多個重復(fù)單元；
[0014]步驟22:制作線狀警示標(biāo)記，所述線狀警示標(biāo)記與所述線狀定位標(biāo)記平行設(shè)置，且距離所述線狀定位標(biāo)記一個或多個重復(fù)單元。
[0015]作為優(yōu)選，通過FIB電子束輔助沉積所述第一金屬保護(hù)層，離子束輔助沉積第二金屬保護(hù)層。
[0016]作為優(yōu)選，所述第一、第二金屬保護(hù)層均采用金屬鉑。
[0017]作為優(yōu)選，所述步驟5包括:
[0018]步驟51:切割產(chǎn)品到警示標(biāo)記后停下；
[0019]步驟52:繼續(xù)切割產(chǎn)品到定位標(biāo)記處，完成TEM樣品的第一面切割；
[0020]步驟53:根據(jù)定位標(biāo)記的位置，進(jìn)行TEM樣品第二面的切割。[0021 ] 作為優(yōu)選，所述步驟51中的電流強(qiáng)度為3000?500pA，所述步驟52中的電流強(qiáng)度為 300 ?ΙΟΟρΑο
[0022]作為優(yōu)選，所述具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品為SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)晶圓陣列、DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)晶圓陣列、FLASH(閃存)晶圓陣列或CT(contact，測試結(jié)構(gòu))陣列。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明針對具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品上的失效單元，在產(chǎn)品上制作與所述失效單元對應(yīng)的定位標(biāo)記和警示標(biāo)記，以便后續(xù)切割產(chǎn)品進(jìn)行TEM樣品時，能夠準(zhǔn)確地獲知失效單元的位置，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)精確定位。本發(fā)明的操作簡單，可以在制樣過程中或制樣完成后快速確認(rèn)失效單兀的位置，提尚了 TEM樣品的制樣效率。
【附圖說明】
[0024]圖1為具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品上失效單元的俯視圖；
[0025]圖2為具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品上失效單元的剖面圖；
[0026]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上形成線性警示標(biāo)記后的俯視圖；
[0027]圖4為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上形成線性警示標(biāo)記后失效單元的剖面圖；
[0028]圖5為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上沉積第一金屬保護(hù)層后的俯視圖；
[0029]圖6為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上沉積第一金屬保護(hù)層后失效單元的剖面圖；
[0030]圖7為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上沉積第二金屬保護(hù)層后的俯視圖；
[0031]圖8為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上沉積第二金屬保護(hù)層后失效單元的剖面圖；
[0032]圖9為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品切割至線性警示標(biāo)記后的俯視圖；
[0033]圖10為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中產(chǎn)品上切割至線性定位標(biāo)記后(完成第一面切割后)的俯視圖；
[0034]圖11為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中對產(chǎn)品進(jìn)行第二面切割的示意圖；
[0035]圖12為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中一種TEM樣品的定位方法的流程圖。
[0036]圖1至圖2中:100-失效單元；
[0037]圖3至圖12中:10_失效單元、20-線狀定位標(biāo)記、30-線狀警示標(biāo)記、40-第一金屬保護(hù)層、50-第二金屬保護(hù)層；
[0038]200-產(chǎn)品、210-重復(fù)單元。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。需說明的是，本發(fā)明附圖均采用簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0040]如圖3至圖12所示，本發(fā)明提供一種TEM樣品的定位方法，包括:
[0041]步驟1:提供具有重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品200，并確定該產(chǎn)品200上的失效單元10的位置。本實(shí)施例中，所述產(chǎn)品200上設(shè)置有若干重復(fù)單元210。
[0042]步驟2:如圖3和圖4所示，在產(chǎn)品200表面制作與所述失效單元10對應(yīng)的定位標(biāo)記和警示標(biāo)記；所述定位標(biāo)記為線狀定位標(biāo)記20，所述警示標(biāo)記為線狀警示標(biāo)記30，所述線狀定位標(biāo)記20和線狀警示標(biāo)記30均使用FIB (聚焦離子束)制作。
[0043]所述步驟2具體包括下面兩個步驟:
[0044]步驟21:利用FIB將廣品200表面的原子進(jìn)彳丁剝尚，完成線狀定位標(biāo)記20的制備。較佳的，所述線狀定位標(biāo)記20與所述失效單元10處于同一直線上，且所述線狀定位標(biāo)記20的一端與所述失效單元10距離多個重復(fù)單元210，便于后續(xù)制備TEM樣品時，切割產(chǎn)品200 ;進(jìn)一步的，所述線狀定位標(biāo)記20的深度大于重復(fù)單元210的深度，便于后續(xù)TEM樣品的制備。
[0045]步驟22:制作線狀警示標(biāo)記30，同樣利用FIB將產(chǎn)品200表面的原子進(jìn)行剝離，完成線狀警示標(biāo)記30的制備。并且，所述線