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      一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法

      文檔序號:9596307閱讀:617來源:國知局
      一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及高電壓裝備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容 的測試方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 大型電工裝備的支撐和屏蔽系統(tǒng)中包含多個結(jié)構(gòu)復(fù)雜的金屬部件,在特定布置形 式下形成分布電容,需要采用一個復(fù)雜的η維矩陣進(jìn)行表示。運行中的電工裝備需要承受 來自交、直流系統(tǒng)的操作、雷電、陡波等各種形式的沖擊電壓。分布電容的存在會導(dǎo)致沖擊 電壓作用下,各功能單元電壓分布不均勻,局部因承受電壓過高而加速老化,甚至失效損 壞。此外,分布電容與電工裝備的結(jié)構(gòu)緊密相關(guān),在設(shè)計過程中,二者之間需要迭代優(yōu)化。通 過改變導(dǎo)體的幾何形狀、幾何參數(shù)以及組部件布局方式,可以改善分布電容。
      [0003] 隨著目前電工裝備電壓等級和輸送容量的提升,結(jié)構(gòu)體積日益增大,上述問題更 為突出。為了準(zhǔn)確獲知分布電容的分布規(guī)律,需要開展試驗測試,為上述優(yōu)化和控制工作奠 定基礎(chǔ)。但多個導(dǎo)體間分布電容分布規(guī)律復(fù)雜,測量引入效應(yīng)導(dǎo)致的誤差需要進(jìn)行控制和 評估。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 為了滿足現(xiàn)有技術(shù)的需要,本發(fā)明提供了一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的 測試方法。
      [0005] 本發(fā)明的技術(shù)方案是:
      [0006] 所述方法包括:
      [0007] 步驟1 :對所述導(dǎo)體系統(tǒng)中所有的待測導(dǎo)體進(jìn)行編號;所述導(dǎo)體系統(tǒng)包括η+1個導(dǎo) 體,η至少為1 ;
      [0008] 步驟2 :對所述導(dǎo)體系統(tǒng)進(jìn)行單導(dǎo)體不接地測試,得到η個測量電容值,所述測量 電容值為~C:;
      [0009] 步驟3 :對所述導(dǎo)體系統(tǒng)進(jìn)行兩導(dǎo)體不接地測試,得到Ν-η個測量電容值,所述測 量電容值為Ν為所述導(dǎo)體系統(tǒng)中分布電容的數(shù)量,
      [0010] 步驟4 :依據(jù)所述測量電容值,構(gòu)建測量電容列向量
      [0011] 步驟5 :依據(jù)所述測量電容列向量Cm構(gòu)建待測電容列向量C D;
      [0012] 步驟6 :對所述待測電容列向量CD中各參數(shù)進(jìn)行編碼,得到編碼矩陣E %
      [0013] 步驟7 :構(gòu)建所述單導(dǎo)體不接地測試的系數(shù)矩陣Γ;
      [0014] 步驟8 :對所述兩導(dǎo)體不接地測試的測量電容進(jìn)行編碼,得到編號矩陣Em;
      [0015] 步驟9 :構(gòu)建所述兩導(dǎo)體不接地測試的系數(shù)矩陣Kb;
      [0016] 步驟10 :依據(jù)所述測量電容列向量Cm、系數(shù)矩陣Γ和系數(shù)矩陣Kb計算待測電容列 向量CD的值。
      [0017] 優(yōu)選的,所述步驟5中構(gòu)建待測電容列向量CD:
      [0018] 將所述測量電容列向量Cm中的上三角矩陣的各行元素依次轉(zhuǎn)置后合并,得到所述 待測電容列向量CD= [C u i…CUn,…,Q廣· Clin,…,Cn,JT;
      [0019] 優(yōu)選的,所述步驟6中對待測電容列向量CD中各參數(shù)進(jìn)行編碼:
      [0020] 采用一個2行N列的矩陣EH己錄所述待測電容列向量C D中待測電容C u的下角 標(biāo)i和j的值,
      [0021] 優(yōu)選的,所述步驟7中構(gòu)建系數(shù)矩陣Γ:
      [0022] 將步驟1中編號后的n+1個導(dǎo)體中的第i個導(dǎo)體不接地,其余η個導(dǎo)體接地,則系 數(shù)矩陣Γ中第i行第j列的元素值%為:
      [0024] 其中,^和否^為分別步驟6中對待測電容列向量CD中各參數(shù)進(jìn)行編碼得到的編 碼矩陣礦中第1行第j列的元素,以及第2行第j列的元素;所述K 3為η行N列的矩陣;
      [0025] 優(yōu)選的,所述步驟8中對兩導(dǎo)體不接地測試的測量電容進(jìn)行編碼:
      [0026] 依次選擇步驟1中編號后的n+1個導(dǎo)體中的兩個導(dǎo)體短接且不接地,其 余的導(dǎo)體接地,對每次選擇的導(dǎo)體組合進(jìn)行編號,得到η行N列的編號矩陣Em,
      ;所述Em為2行N-n列的矩陣;
      [0027] 優(yōu)選的,所述步驟9中構(gòu)建兩導(dǎo)體不接地測試的系數(shù)矩陣Kb:
      [0028] 將步驟1中編號后的n+1個導(dǎo)體中的第i個導(dǎo)體和第j個導(dǎo)體短接且不接地,第 i個導(dǎo)體和第j個導(dǎo)體構(gòu)成的組合在步驟8中構(gòu)建的測量電容的編號矩陣Em中的第k行元 素,則系數(shù)矩陣Kb中第k行第j列的元素值 為:
      [0029] ④:若編碼矩陣礦中第j列的兩個元素包含有編碼矩陣Em中第k列中兩個元素的 任一個元素,則=1;
      [0030] ⑤:若編碼矩陣礦中第j列的兩個元素沒有包含有編碼矩陣E m中第k列中兩個元 素,則
      [0031] ⑥:若編碼矩陣#中第j列的兩個元素與編碼矩陣Em中第k列中兩個元素相同, 則(,.=〇;
      [0032] 優(yōu)選的,所述步驟10中待測電容列向量CD的計算公式為:
      [0033] CD= K (2)
      [0035] 與最接近的現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)異效果是:
      [0036] 1、本發(fā)明提供的一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法,適用于多種大 型電工裝備的分布電容測試,可以有效抑制測量接線引入誤差的影響;
      [0037] 2、本發(fā)明提供的一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法,測試方法簡 潔、規(guī)范,便于使用計算機(jī)程序生成試驗方案,便于流程化操作。
      【附圖說明】
      [0038] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
      [0039] 圖1 :本發(fā)明實施例中一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法流程圖;
      [0040] 圖2 :本發(fā)明實施例中測量引線引入誤差電容示意圖;
      [0041] 圖3 :本發(fā)明實施例中導(dǎo)體系統(tǒng)電容示意圖。
      【具體實施方式】
      [0042] 下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終 相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附 圖描述的實施例是示例性的,旨在用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制。
      [0043] 本發(fā)明提供的一種大型電工裝備導(dǎo)體系統(tǒng)分布電容的測試方法的實施例如圖1 所示,具體為:
      [0044] -、對導(dǎo)體系統(tǒng)中所有的待測導(dǎo)體進(jìn)行編號。本實施例中導(dǎo)體系統(tǒng)包括n+1個導(dǎo) 體,η至少為1。
      [0045] 在靜電獨立的多導(dǎo)體系統(tǒng)中,通常將各導(dǎo)體上的帶電量與導(dǎo)體電位之間的關(guān)系通 過兩兩導(dǎo)體之間的相互電容表不,即分布電容表不,本實施例中n+1個導(dǎo)體的多導(dǎo)體系統(tǒng) 可以表示為:
      [0047] 其中,是參考地電位,% (i = 1,2,......η)是對應(yīng)導(dǎo)體的電位,(i = 1,2,...... η)是對應(yīng)導(dǎo)體的帶電量。q。稱為自有分布電容,即各導(dǎo)體與0號導(dǎo)體間的分布電容, 稱為互有分布電容,即相應(yīng)的兩個導(dǎo)體間的分布電容,且Cu = c 。其中分布電容僅與系統(tǒng) 中所有導(dǎo)體的幾何形狀、尺寸、相互位置以及介質(zhì)的介電常數(shù)有關(guān),與導(dǎo)體所帶電量無關(guān)。
      [0048] n+1個導(dǎo)體的多導(dǎo)體系統(tǒng)的分布電容的數(shù)量為:
      [0050] 二、對導(dǎo)體系統(tǒng)進(jìn)行單導(dǎo)體不接地測試,得到η個測量電容值為~C:,其中m為 measure的首字母,即Cm的含義為測量電容值。
      [0051] 本實施例中n+1個導(dǎo)體的多導(dǎo)體系統(tǒng)需要通過多次測量,構(gòu)建N個線性無關(guān)的方 程,構(gòu)造方法為選取一個或幾個導(dǎo)體"短接且不接地"作為一個電極,其余導(dǎo)體"短接且接 地"作為另一電極。測量引線引入的誤差不可忽略,在試驗設(shè)計中需要進(jìn)行控制。假設(shè)每個 導(dǎo)體經(jīng)1根測量引線連接至測量設(shè)備,多根測量引線的截面如圖2所示,接地部分導(dǎo)體與不 接地部分導(dǎo)體的連接線可視為相互絕緣的兩個電極,相互臨近形成誤差電容,與系統(tǒng)分布 電容形成的輸入電容相并聯(lián),導(dǎo)致測量結(jié)果比實際結(jié)果偏高。由電容性質(zhì)可知,兩組測量引 線數(shù)量差別越大,則有效相對面積越小,誤差電容值越低。當(dāng)導(dǎo)體數(shù)量較多時,選擇"短接且 不接地"導(dǎo)體數(shù)較少的組合,即可減小誤差電容。
      [0052] 由排列組合性質(zhì)可以知道,僅選擇單個導(dǎo)體對其余導(dǎo)體的電容組合,以及某2個 導(dǎo)體對其余導(dǎo)體的電容組合即可以構(gòu)造出所需要的分布電容線性組合。即單導(dǎo)體不接地測 試和兩導(dǎo)體不接地測試。
      當(dāng)前第1頁1 2 
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