(2)把制備好的ΡΑΝΙ/ β -⑶修飾電極在0.lmol/L磷酸鹽緩沖溶液(PBS)中采用CV過氧化得ΟΡΑΝΙ/ β -⑶，電位掃描范圍為0.4?1.2V，掃描速率為60mV/s。
[0026](3)將制備的過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極分別浸入L/D-色氨酸溶液的濃度為0.5mM，富集時(shí)間為80s，富集電位為_0.05V色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效果圖見圖2。
[0027]通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS (pH = 7.0)溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4?1.0Vo可見過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體有較好的識(shí)別效果，Id/Il為2.9。
[0028]實(shí)施例二:
[0029]過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備方法及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體過程與實(shí)施例一相同。
[0030]對(duì)過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體的不同富集電位進(jìn)行考察。將制備的過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極分別浸入L/D-色氨酸對(duì)映體溶液的濃度為0.5mM，富集時(shí)間為80s，富集電位考察范圍為_0.15V?0.2V色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效果圖見圖3。通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS (pH = 7.0)溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4?1.0V。由圖可見過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體最佳識(shí)別富集電位為-0.05V。
[0031]實(shí)施例三:
[0032]過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備方法及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體過程與實(shí)施例一相同。
[0033]對(duì)過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體的不同pH值進(jìn)行考察。將制備的過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極分別浸入L/D-色氨酸對(duì)映體溶液的濃度為0.5mM，富集時(shí)間為80s，pH考察范圍為4?9色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效果圖見圖4。通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS,pH范圍為4?9溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4?1.0V。由圖可見過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體最佳識(shí)別pH范圍為7。
[0034]對(duì)比例一:
[0035]制備β-環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備方法及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體，步驟如下:
[0036](1)采用三電極體系，玻碳電極(GCE)為工作電極(d = 3mm)，鈾片為對(duì)電極，飽和甘汞電極(SCE)為參比電極。在5mmol/Lf3-⑶和0.5mmol/L Na2S04混合溶液中通過循環(huán)伏安法(CV)合成β -⑶修飾電極，電位掃描范圍為-0.2?0.85V，掃描速率為60mV/s，聚合5圈。
[0037](2)將制備的β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極分別浸入L/D-色氨酸溶液的濃度為0.5mM，富集時(shí)間為80s，富集電位為-0.05V色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效果圖見圖5。通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS (pH = 7.0)溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4?1.0V。可見β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極對(duì)色氨酸對(duì)映體識(shí)別效果不如過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極，Il/Id為1.42。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種過氧化聚苯胺/ β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體，其特征在于:步驟如下: a、制備過氧化聚苯胺/β-環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極:采用三電極體系，玻碳電極(GCE)為工作電極(d = 3mm)，鉑片為對(duì)電極，飽和甘汞電極(SCE)為參比電極。在苯胺、β -CD和Na2S(V混合溶液中通過循環(huán)伏安法(CV)合成ΡΑΝΙ/β-CD。把制備好的ΡΑΝΙ/β-CD修飾電極在磷酸鹽緩沖溶液(PBS)中采用CV過氧化得ΟΡΑΝΙ/ β -⑶。 b、電化學(xué)法識(shí)別色氨酸對(duì)映體(Trp):將ΟΡΑΝΙ/β-⑶修飾電極分別浸入25mL的0.5mmol/L的L_Trp和D_Trp溶液中。恒電位-0.05V富集80s。最后，通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS (pH = 7.0)溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4-1.0V。ΟΡΑΝΙ/ β -⑶修飾電極電化學(xué)識(shí)別Trp對(duì)映體是基于L_Trp和D_Trp被β -⑶包合后到達(dá)電極表面的Trp的氧化峰電流的差異。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種過氧化聚苯胺/β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體，其特征是:所述步驟a中苯胺濃度為0.001?0.lmol/L, β -⑶濃度為1?10mmol/L和他2304濃度0.1?lmmol/L。f旦電位掃描范圍為-0.2?0.85V，掃描速率為10?100mV/s，聚合1?10圈。把制備好的ΡΑΝΙ/ β -⑶修飾電極在0.lmol/L磷酸鹽緩沖溶液(PBS)中采用CV過氧化得ΟΡΑΝΙ/ β -CD,電位掃描范圍為0.4?1.2V，掃描速率為 10 ?100mV/so3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種過氧化聚苯胺/β -環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體，其特征是:所述步驟b中將ΟΡΑΝΙ/ β -CD修飾電極分別浸入25mL的0.1?lmmol/L的L_Trp和D_Trp溶液中。f旦電位-0.01?0.1V富集40?120s。最后，通過差分脈沖伏安法(DPV)在0.lmol/L PBS (pH = 7.0)溶液中測(cè)定Trp的氧化峰電流，電位掃描范圍為0.4?1.0V。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種過氧化聚苯胺/β-環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備及電化學(xué)識(shí)別色氨酸對(duì)映體，包括以下步驟：制備過氧化聚苯胺/β-環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極、通過電化學(xué)對(duì)色氨酸對(duì)映體的進(jìn)行識(shí)別。本發(fā)明的有益效果是：過氧化聚苯胺/β-環(huán)糊精復(fù)合膜修飾電極的制備方法簡(jiǎn)便易行，制備過程綠色環(huán)保，且該復(fù)合膜材料修飾電極與單一β-環(huán)糊精修飾電極相比對(duì)色氨酸對(duì)映體的識(shí)別效率明顯提高。
【IPC分類】G01N27/48, G01N27/30
【公開號(hào)】CN105424786
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510724411
【發(fā)明人】孔泳, 歐潔, 沈健, 沙艷, 陶永新
【申請(qǐng)人】常州大學(xué), 江蘇蒙彼利生物科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年10月29日