連接。
[0024]根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實施例，所述基板能設(shè)有毛細(xì)槽，所述毛細(xì)槽在正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)壬贤ㄟ^蝕刻形成，并且所述兩側(cè)均能被蓋板覆蓋，所述兩個槽通過鏜孔連接。
[0025]由于要求將壓強(qiáng)減少幾個數(shù)量級，有益的是將多個具有逐漸增大的橫截面的毛細(xì)槽串聯(lián)連接而不是具有單個的毛細(xì)槽，并且因此將在各個結(jié)構(gòu)中的每一個結(jié)構(gòu)的端部處的陡壓降延伸至隨后的結(jié)構(gòu)中的相對長的路徑，因此確保了相對于所需輸出壓強(qiáng)的高精度。為了這個目的，具有恒定橫截面并且氣體入口和氣體排放口被改變以彼此適應(yīng)的多個壓降設(shè)備能在壓降模塊中串聯(lián)地彼此連接。
[0026]為簡化設(shè)置，特別是在已知壓強(qiáng)和流量條件的情況下，并且為了完全避免死體積，直接在基板上生產(chǎn)具有不同橫截面的多個毛細(xì)槽也是可行的。此處，所述槽的橫截面尺寸優(yōu)選地朝向所述氣體排放口增大。
[0027]根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選實施例，多個壓降設(shè)備連接以形成模塊。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的模塊能由多個所述壓降設(shè)備來生產(chǎn)，所述生產(chǎn)的方式是一個疊一個地堆疊基板、蓋板、基板、蓋板等等，或者是一個疊一個地堆疊多個基板，并且最后堆疊蓋板。
[0029]根據(jù)優(yōu)選的實施例，模塊由2至10對的基板/蓋板組成或者由至少一個蓋板和最多10個基板組成，所述模塊的實施方式是所述板以夾層的方式一個在另一個之上地分層堆放并且所述多個毛細(xì)槽形成從第一板的所述入口開口至最后一個板的排放口開口的連續(xù)的通道。
[0030]優(yōu)選地，由多個壓降設(shè)備制成的模塊僅在所述模塊的所述氣體排放口開口處包含一個腔，但在可能的情況下在每一個單獨的壓降設(shè)備的氣體排放口處沒有腔，頂多是所述毛細(xì)通道的變寬。因此，通過組合多個壓降設(shè)備并使得橫截面從進(jìn)口至出口地逐漸增大，能以簡單的方式生產(chǎn)系統(tǒng)，所述系統(tǒng)能實現(xiàn)在非常不同的方法條件下設(shè)置壓降。通常來說，在模塊中2-5個壓降設(shè)備被組合在一起。在氣體出口和下一個模塊的氣體入口之間的連接能通過機(jī)械連接方法實現(xiàn)，比如螺絲結(jié)合或者粘接劑結(jié)合。在模塊內(nèi)，優(yōu)選的是一個在另一個之上地堆疊所述設(shè)備。在進(jìn)口和出口開口以精確配合一個疊在另一個之上的情況下，那么陽極鍵合也能用來連接所述設(shè)備。根據(jù)優(yōu)選的實施例，所述設(shè)備一個在另一個之上堆疊的方式使得一個設(shè)備的氣體排放口與下一個設(shè)備的氣體入口交疊。
[0031]當(dāng)生產(chǎn)所述壓降設(shè)備和/或所述模塊時，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員必須小心以盡可能地避免死體積。
[0032]本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及一種氣相色譜儀，其包含至少一個根據(jù)本發(fā)明的壓降設(shè)備。此時，所述壓降設(shè)備位于原本安裝壓降所需的毛細(xì)管的位置處，即，在所述樣品入口和所述分離柱之間。優(yōu)選地，所述壓降設(shè)備與所述分離柱的入口齊平地連接。根據(jù)特別優(yōu)選的實施例，所述壓降設(shè)備連接至加熱板，以使得其受到溫度控制。根據(jù)進(jìn)一步優(yōu)選的實施例，所述壓降設(shè)備與所述分離柱緊密地連接，以使得所述壓降設(shè)備能在所述分離柱的溫度下操作，這樣使得無需對所述壓降設(shè)備進(jìn)行單獨加熱。
[0033]本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及一種質(zhì)譜儀，其包含一個或者多個根據(jù)本發(fā)明的壓降設(shè)備。此時也是，所述一個壓降設(shè)備或者多個壓降設(shè)備被安裝在樣品入口室和實際質(zhì)譜儀之間或者直接集成在系統(tǒng)中。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的壓降設(shè)備的優(yōu)勢在于所述壓降級能基本上沒有額外的能量需求地操作的事實，這是由于所述壓降設(shè)備小的熱質(zhì)量和小的體積。大約處于蒸發(fā)器溫度的所述壓降級使得在該溫度下降低樣品壓強(qiáng)成為可能。所述樣品壓強(qiáng)在所述壓降級中能降低至低于在室溫下所述樣品氣體的蒸汽壓，這樣使得當(dāng)所述樣品離開所述蒸發(fā)器的被加熱區(qū)域時不再發(fā)生冷凝。與此同時，在隨后的分析系統(tǒng)，例如質(zhì)譜儀或者氣相色譜儀的壓強(qiáng)區(qū)域中的樣品的出口壓強(qiáng)能被設(shè)定。
[0035]所述壓降設(shè)備的有成本效益的生產(chǎn)和可簡單集成至采樣系統(tǒng)使得在堵塞的情況下或者在系統(tǒng)失效的情況下能經(jīng)濟(jì)地替換。微壓降單元還能容易地被改變以適用于非常不同的樣品液體和需要的壓強(qiáng)差和流量。
[0036]本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及以一種氣相色譜儀/質(zhì)譜儀(GC/MS)組合，其包含I到2個壓降設(shè)備，即在樣品入口和氣相色譜儀之間的一個可選擇的壓降設(shè)備，以及在所述氣相色譜儀的出口和所述質(zhì)譜儀之間的一個壓降設(shè)備。
[0037]本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及一種減壓閥，其包含一個或者多個根據(jù)本發(fā)明的壓降設(shè)備，所述壓降設(shè)備作為在氣流中的部件。
[0038]基于附圖對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)的闡述。
[0039]圖1中，(I)表示所述基板。所述蓋板(2)附接至所述基板。所述基板包含所述氣體入口開口(3)，而所述蓋板包含所述氣體排出口開口(4)。
[0040]圖2描述了所述毛細(xì)槽。在這個例子中，選擇的是曲折的毛細(xì)槽。
[0041]圖3示出了質(zhì)譜儀(6)的采樣系統(tǒng)，其包含用于保持根據(jù)本發(fā)明的壓降設(shè)備(9)的凹部，所述凹部具有適形裝配的進(jìn)口和出口開口(未在此處示出)。根據(jù)本發(fā)明的所述壓降設(shè)備(7)作為部件插在這個凹部中，這樣使得所述采樣系統(tǒng)的所述進(jìn)口開口和出口開口與所述壓降設(shè)備的所述氣體入口和氣體排出口相連并且通過蓋部(8)緊固。
[0042]通常，緊固在優(yōu)選地具有良好的導(dǎo)熱率的局部穿孔的薄膜或者O形環(huán)密封(未在此處示出)的幫助下實現(xiàn)。此外，所述蓋部(8)具有一體的加熱元件。
【主權(quán)項】
1.一種壓降設(shè)備，其包含平面基板和蓋板，以及氣體入口開口和氣體排出口，所述氣體入口開口和氣體排出口通過毛細(xì)槽連接，其中所述毛細(xì)槽在所述基板中以蝕槽或者壓槽的形式被實施并且由所述蓋板覆蓋。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓降設(shè)備，其特征在于，存在加熱元件，其作為另外的板毗鄰地連接在所述基板的一側(cè)上或者所述蓋板的一側(cè)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1和2當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備，其特征在于，所述基板由各向異性地可蝕刻的材料構(gòu)成，尤其是硅或者半導(dǎo)體材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備，其特征在于，所述蓋板由玻璃構(gòu)成，尤其是硼硅玻璃。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備，其特征在于，所述氣體入口開口和所述氣體排出口開口都實施在所述基板的同一平面上或者實施在所述基板的相對的平面上。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備，其特征在于，所述氣體入口實施在所述硅板的自由側(cè)面上并且所述氣體排出口實施在所述玻璃板的自由側(cè)面上。7.一種由壓降設(shè)備制成的模塊，其特征在于，所述模塊由至少2個到最多10個根據(jù)權(quán)利要求I至6當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備串聯(lián)連接制成，其中所述模塊能由2至10對基板/蓋板構(gòu)成或者由至少一個蓋板和最多10個基板構(gòu)成，所述構(gòu)成的方式是所述板以夾層的方式一個在另一個之上地分層堆放并且所述毛細(xì)槽形成從所述第一板的所述入口開口到最后的板的所述排放口開口的連續(xù)的通道。8.一種氣相色譜儀，其包含至少一個根據(jù)權(quán)利要求1至6當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備。9.一種質(zhì)譜儀，其包含至少一個根據(jù)權(quán)利要求1至6當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備。10.一種減壓閥，其包含至少一個根據(jù)權(quán)利要求1至6當(dāng)中任一項所述的壓降設(shè)備。
【專利摘要】本發(fā)明的主題涉及一種壓降設(shè)備，其能用于氣相色譜儀或者質(zhì)譜儀。所述壓降設(shè)備包含平面基板(1)和蓋板(2)，以及氣體入口開口(3)和氣體排出口開口(4)，所述氣體入口開口(3)和所述氣體排出口開口(4)通過毛細(xì)槽(5)連接，其中所述毛細(xì)槽在所述基板中以蝕槽或者壓槽的形式實施并且由所述蓋板覆蓋，并且其中可以連接多個壓降設(shè)備以形成模塊。
【IPC分類】G01N27/62, G01N30/02
【公開號】CN105527352
【申請?zhí)枴緾N201510895393
【發(fā)明人】R·M·拉米雷斯王, J·米勒
【申請人】拜耳技術(shù)服務(wù)有限責(zé)任公司, 克洛納測量技術(shù)有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年10月21日
【公告號】EP3012628A1, US20160109333