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      基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法

      文檔序號(hào):9785570閱讀:648來(lái)源:國(guó)知局
      基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法,尤其涉及一種導(dǎo)電材 料中的微顆?;虍愘|(zhì)缺陷的監(jiān)測(cè)與檢測(cè)。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 在生產(chǎn)過(guò)程中,導(dǎo)電材料由于制備工藝或在使役過(guò)程產(chǎn)生的缺陷,如氧化物、氮化 物、硫化物等顆?;蛄鸭y缺陷、氣孔等缺陷,它們的存在往往會(huì)嚴(yán)重影響導(dǎo)電材料的使用安 全。例如,電纜線中的雜質(zhì)既嚴(yán)重降低了導(dǎo)體材料的機(jī)械強(qiáng)度,也會(huì)通過(guò)導(dǎo)電屬性的改變?cè)?大電阻,產(chǎn)生額外的焦耳熱,從而削弱導(dǎo)電性能和使用壽命。顯而易見(jiàn),對(duì)微顆粒或缺陷進(jìn) 行有效的探測(cè)和監(jiān)測(cè)具有重要的生產(chǎn)意義。
      [0003] 傳統(tǒng)的渦流檢測(cè)方法一般由激勵(lì)線圈和接收線圈組成。在激勵(lì)線圈中通入交流 電,根據(jù)安培定律在其周?chē)a(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng),它可滲透到待測(cè)導(dǎo)體中,由于輸入電流的時(shí)諧特 性在導(dǎo)體中產(chǎn)生渦電流,進(jìn)一步地,渦電流在導(dǎo)體周?chē)a(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng),當(dāng)導(dǎo)體中存在異質(zhì)缺 陷時(shí),上述的渦電流及其周?chē)母袘?yīng)磁場(chǎng)都會(huì)發(fā)生變化,可由接收線圈的阻抗變化探知到 導(dǎo)體周?chē)袘?yīng)磁場(chǎng)的變化,進(jìn)而獲得缺陷的特征信息。渦流檢測(cè)方法中的線圈由于由導(dǎo)線 螺旋纏繞而成的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),線圈尺寸一般為數(shù)毫米,很難再進(jìn)一步減小尺寸,因而測(cè)量精度 受到限制;其次,由于通過(guò)接受線圈測(cè)量的量為阻抗,而空間變化的感應(yīng)磁場(chǎng)為矢量,因而 存在所謂的提離效應(yīng),這是傳統(tǒng)的渦電流法存在的不足。本發(fā)明克服了上述不足。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷 探測(cè)方法,使小永磁體與待測(cè)導(dǎo)體之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng),由麥克斯韋的電磁場(chǎng)理論可知在導(dǎo) 體中將產(chǎn)生渦電流,由于微顆粒和導(dǎo)體之間電導(dǎo)率的差異,根據(jù)安培定律,渦電流在空間產(chǎn) 生的感應(yīng)磁場(chǎng)也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,利用磁阻效應(yīng)直接探這種空間磁場(chǎng)的變化。
      [0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法, 所述方法包括:
      [0006] 步驟1,將小永磁體置于待測(cè)導(dǎo)體附近,使磁場(chǎng)滲透到所述待測(cè)導(dǎo)體中;
      [0007] 步驟2,使所述小磁體與待測(cè)導(dǎo)體之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng);
      [0008] 步驟3,測(cè)量由微顆?;蛉毕輹r(shí)引起的待測(cè)導(dǎo)體周?chē)母袘?yīng)磁場(chǎng)的變化;
      [0009]步驟4,通過(guò)所述感應(yīng)磁場(chǎng)變化確定所述微顆粒或缺陷的特征。
      [0010] 進(jìn)一步的,所述步驟1中所述小永磁體產(chǎn)生空間分布的靜磁場(chǎng),并且滲透到待測(cè)導(dǎo) 體中;所述小永磁體的磁化方向垂直于待測(cè)導(dǎo)體表面,或所述小永磁體與待測(cè)導(dǎo)體之間不 接觸。
      [0011] 進(jìn)一步的,所述步驟2具體為,固定所述小永磁體,使所述待測(cè)導(dǎo)體運(yùn)動(dòng);或固定所 述待測(cè)導(dǎo)體,使所述小永磁體運(yùn)動(dòng)。
      [0012] 進(jìn)一步的,所述步驟2中的相對(duì)運(yùn)動(dòng)具體為速度為常數(shù)的線性運(yùn)動(dòng)或角速度為常 數(shù)的圓周運(yùn)動(dòng)。
      [0013] 進(jìn)一步的,所述步驟3中采用基于磁阻效應(yīng)的傳感器測(cè)量空間感應(yīng)磁場(chǎng)的變化。
      [0014] 進(jìn)一步的,所述步驟4中的磁場(chǎng)變化的脈沖數(shù)目為微顆?;虍愘|(zhì)缺陷的數(shù)目。
      [0015] 進(jìn)一步的,所述步驟4中的磁場(chǎng)變化的量越大,則微顆?;虍愘|(zhì)缺陷的尺寸越大。
      [0016] 進(jìn)一步的,所述步驟4中的磁場(chǎng)變化所產(chǎn)生的脈沖信號(hào)與微顆?;虍愘|(zhì)缺陷相對(duì) 應(yīng)。
      [0017] 進(jìn)一步的,所述步驟2、3中,改變所述相對(duì)運(yùn)動(dòng)的速度,獲得微顆?;虍愘|(zhì)缺陷在 導(dǎo)體中的深度信息。
      [0018] 本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法,電磁學(xué)原理清晰;測(cè)量?jī)x機(jī)構(gòu) 簡(jiǎn)單;測(cè)量準(zhǔn)確度高;測(cè)量效率高;并且不要求待測(cè)試樣導(dǎo)磁,因而適用范圍更為廣泛。
      【附圖說(shuō)明】
      [0019] 圖1A為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之一; [0020]圖1B為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之二; [0021]圖1C為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之三; [0022]圖1D為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之四; [0023]圖1E為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之五; [0024]圖1F為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之六; [0025]圖1G為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之七; [0026]圖1H為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量原理示意圖之八; [0027]圖2為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的流程圖;
      [0028]圖3為本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的示意圖。
      [0029]圖4A是使用本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量信號(hào)示意圖 之一;
      [0030] 圖4B是使用本發(fā)明基于電磁感應(yīng)原理的導(dǎo)體中缺陷探測(cè)方法的測(cè)量信號(hào)示意圖 之二。
      【具體實(shí)施方式】
      [0031] 下面通過(guò)附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
      [0032]本發(fā)明的基本原理如下:由小尺寸、可設(shè)計(jì)形狀的永磁體提供一個(gè)局部的靜磁場(chǎng) 否。,使小永磁體與待測(cè)導(dǎo)體試樣之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng),
      [0033]如圖1A所示,在導(dǎo)體中建立一個(gè)電磁敏感區(qū),范圍約為小磁體尺寸的三倍,所有的 電磁參量變化主要集中在該敏感區(qū)內(nèi)。根據(jù)歐姆定律,在導(dǎo)體中產(chǎn)生電流方向相反的一對(duì) 渦電流環(huán)如圖1B所示;根據(jù)安培定律,渦電流在其周?chē)a(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)如圖1C所示;空 間磁場(chǎng)可表示為矢量和的形式:1=? +客,如圖1D所示。
      [0034]圖1E示出了當(dāng)微顆粒隨導(dǎo)體運(yùn)動(dòng)進(jìn)入電磁敏感區(qū)時(shí)的情形;由于微顆?;虍愘|(zhì)缺 陷與待測(cè)導(dǎo)體之間電導(dǎo)率的差異,導(dǎo)體中的渦電流環(huán)/大小及分布將發(fā)生變化,如圖1F所 示;相應(yīng)地,渦電流在其周?chē)a(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)也將發(fā)生變化,如圖1G所示;區(qū)域的空間磁 場(chǎng)變化為哀' 4 + f,如圖1Η所示。
      [0035] 顯見(jiàn),空間磁場(chǎng)的變化量
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