儲元件安裝在所述集成電路基板上。2.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述磁性傳感器中至少包括一對磁性傳感器元件,其中一個所述磁性傳感器元件的所述永磁體的取向與另一個所述磁性傳感器元件的所述永磁體的取向正交。3.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述磁性存儲元件包括釘扎層、絕緣層和自由層,其中所述釘扎層被配置為具有固定取向的永磁體,并且所述自由層被配置為在第一取向和第二取向之間轉(zhuǎn)換。4.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其中施加外部磁場以選擇性地轉(zhuǎn)換所述自由層的取向。5.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其中自旋極化電流通過所述磁性存儲元件以選擇性地轉(zhuǎn)換所述自由層的取向。6.根據(jù)權利要求4所述的裝置,其中在施加所述外部磁場之前,選擇性地加熱所述自由層。7.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其中所述多個磁性存儲元件的所述釘扎層被形成為具有與所述磁性傳感器元件中的所述永磁體的取向基本上相同的取向。8.根據(jù)權利要求7所述的裝置,其中所述磁性傳感器元件中的所述永磁體和所述磁性存儲元件的所述釘扎層包括一對鐵磁層即FM層和反鐵磁層即AFM層。9.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其中所述磁性傳感器元件包括釘扎層、絕緣層和自由層,其中所述釘扎層被配置為具有固定取向的永磁體,并且所述自由層被配置為使得當外部磁場施加在所述磁性傳感器元件上時,所述磁性傳感器元件的電阻發(fā)生變化。10.根據(jù)權利要求9所述的裝置,其中所述磁性傳感器元件的電阻的變化指示所施加的磁場的方向。11.根據(jù)權利要求2所述的裝置,其中所述磁性傳感器元件中的所述永磁體至少包含一對鐵磁層即FM層和反鐵磁層即AFM層,其中一個所述磁性傳感器元件的所述AFM層的阻擋溫度比另一個所述磁性傳感器元件的所述AFM層的阻擋溫度高。12.根據(jù)權利要求11所述的裝置,其中,通過以大于較高的阻擋溫度的溫度,在第一方向上施加外部磁場,所述磁性傳感器元件的所述永磁體中的一個在所述第一方向上被磁化。13.根據(jù)權利要求12所述的裝置,其中,通過以大于具有較低阻擋溫度的AFM層的所述較低阻擋溫度但是小于具有較高阻擋溫度的AFM層的阻擋溫度的溫度,在第二方向上施加另一個外部磁場,所述磁性元件的所述永磁體中的另一個在所述第二方向上被磁化。14.根據(jù)權利要求13所述的裝置,其中所述永磁體被形成為具有長邊和短邊的條紋圖案,所述條紋圖案的寬度和長度的比值限定了寬長比,其中所述寬長比在1:1到1:5的范圍內(nèi)。15.根據(jù)權利要求14所述的裝置,其中所述短邊被成形為使得沿著所述長邊的最長距離基本上沿著所述條紋圖案的中心。16.根據(jù)權利要求14所述的裝置,其中所述短邊具有對稱凸拋物線的形狀。17.根據(jù)權利要求14所述的裝置,其中所述短邊具有等腰三角形的形狀。18.根據(jù)權利要求8所述的裝置,其中所有的所述永磁體都具有多個FM層和AFM層的交互層,其中所述FM層和所述AFM層中的每個都具有在大約10埃到大約1000埃之間的厚度。19.根據(jù)權利要求18所述的裝置,其中FM層和AFM層的所述交互層的總厚度在大約0.1微米和大約1.5微米之間。20.根據(jù)權利要求11所述的裝置,其中所有的所述永磁體都具有多個FM層和AFM層的交互層,其中所述FM層和所述AFM層中的每個都具有在大約10埃到大約1000埃之間的厚度。21.根據(jù)權利要求20所述的裝置,其中FM層和AFM層的所述交互層的總厚度在大約0.1微米和大約1.5微米之間。22.根據(jù)權利要求13所述的裝置,其中聚磁器安裝在所述一對磁性傳感器元件上,從而使施加的正交于所述一對磁性傳感器元件中的所述永磁體的取向的磁場彎曲;并且所述一對磁性傳感器元件被配置為用于測量施加的正交于所述一對磁性傳感器元件中的所述永磁體的取向的所述磁場的強度。23.根據(jù)權利要求1所述的裝置,還包括: MEMS基板,所述MEMS基板包括操作層和裝置層,其中傳感器形成在所述裝置層上; 安裝在所述集成電路基板上的多個IC焊盤;以及 耦合到所述傳感器的多個裝置焊盤,其中所述多個裝置焊盤選擇性地耦合到所述多個IC焊盤從而處理所述傳感器產(chǎn)生的信號。24.根據(jù)權利要求23所述的裝置,其中所述裝置層利用導電金屬密封與所述集成電路基板耦合,從而形成裝置腔體。25.—種用于提供裝置的方法,包括: 提供集成電路基板; 安裝具有至少一個磁性傳感器元件的磁性傳感器,其中所述至少一個磁性傳感器元件具有永磁體,所述磁性傳感器安裝在所述集成電路基板上;以及 安裝多個磁性存儲元件,每個磁性存儲元件至少具有一個永磁體,所述多個磁性存儲元件安裝在所述集成電路基板上。26.根據(jù)權利要求25所述的方法,其中所述磁性傳感器至少包含一對磁性傳感器元件,其中一個所述磁性傳感器元件的所述永磁體的取向正交于另一個所述磁性傳感器元件的所述永磁體的取向。27.根據(jù)權利要求25所述的方法,其中所述磁性存儲元件包括釘扎層、絕緣層和自由層,將所述釘扎層配置為具有固定取向的永磁體,并且將所述自由層配置為在第一取向和第二取向之間轉(zhuǎn)換。28.根據(jù)權利要求27所述的方法,還包括施加外部磁場以選擇性地轉(zhuǎn)換所述自由層的取向。29.根據(jù)權利要求27所述的方法,還包括使自旋極化電流通過所述磁性存儲元件以選擇性地轉(zhuǎn)換所述自由層的取向。30.根據(jù)權利要求28所述的方法,還包括在施加所述外部磁場之前,選擇性地加熱所述自由層。31.根據(jù)權利要求27所述的方法,還包括形成所述多個磁性存儲元件的所述釘扎層,其中所述釘扎層具有與所述磁性傳感器元件的所述永磁體的取向基本相同的取向。32.根據(jù)權利要求31所述的方法,其中所述磁性傳感器元件的所述永磁體和所述磁性存儲元件的所述釘扎層包括一對鐵磁層即FM層和反鐵磁層即AFM層。33.根據(jù)權利要求27所述的方法,其中所述磁性傳感器元件包括釘扎層、絕緣層和自由層,其中所述釘扎層被配置為具有固定取向的永磁體,并且所述自由層被配置使得當外部磁場被施加在所述磁性傳感器元件上時,所述磁性傳感器元件的電阻發(fā)生變化。34.根據(jù)權利要求33所述的方法,其中所述磁性傳感器元件的所述電阻的變化指示施加的所述外部磁場的方向。35.根據(jù)權利要求26所述的方法,其中所述磁性傳感器元件的所述永磁體至少包含一對鐵磁層即FM層和反鐵磁層即AFM層,其中一個所述磁性傳感器元件的所述AFM層的阻擋溫度比另一個所述磁性傳感器元件的所述AFM層的阻擋溫度高。36.根據(jù)權利要求35所述的方法,還包括通過以大于較高的阻擋溫度的溫度,在第一方向上施加外部磁場,從而在所述第一方向上磁化所述一對磁性傳感器元件的所述永磁體中的一個。37.根據(jù)權利要求36所述的方法,還包括通過以大于具有較低阻擋溫度的AFM層的較低阻擋溫度但是小于具有較高阻擋溫度的AFM層的阻擋溫度的溫度,在第二方向上施加另一個外部磁場,從而在所述第二方向上磁化所述一對磁性傳感器元件的所述永磁體中的另一個。38.根據(jù)權利要求37所述的方法,還包括將所述永磁體形成為具有長邊和短邊的條紋圖案,所述條紋圖案的寬度和長度的比值限定寬長比,其中所述寬長比在1:1到1:5的范圍內(nèi)。39.根據(jù)權利要求38所述的方法,還包括成形所述短邊使得沿著所述長邊的最長距離基本上沿著所述條紋圖案的中心。40.根據(jù)權利要求39所述的方法,其中所述短邊具有對稱凸拋物線的形狀。41.根據(jù)權利要求39所述的方法,其中所述短邊具有等腰三角形的形狀。42.根據(jù)權利要求32所述的方法,其中所有的所述永磁體都具有多個FM層和AFM層的交互層,其中所述FM層和所述AFM層中的每個都具有在大約10埃和大約1000埃之間的厚度。43.根據(jù)權利要求42所述的方法,其中FM層和AFM層的所述交互層的總厚度在大約0.1微米和大約1.5微米之間。44.根據(jù)權利要求35所述的方法,其中所有的所述永磁體都具有多個FM層和AFM層的交互層,其中所述FM層和所述AFM層中的每個都具有在大約10埃和大約1000埃之間的厚度。45.根據(jù)權利要求44所述的方法,其中FM層和AFM層的所述交互層的總厚度在大約0.1微米和大約1.5微米之間。46.根據(jù)權利要求35所述的方法,還包括將聚磁器安裝在所述一對磁性傳感器元件上,從而使施加的正交于所述一對磁性傳感器元件的所述永磁體的取向的磁場彎曲;以及配置所述一對磁性傳感器元件用于測量施加的正交于所述一對磁性傳感器元件的所述永磁體的取向的所述磁場的方向。47.根據(jù)權利要求25所述的方法,還包括: 提供MEMS基板,所述MEMS基板包括操作層和裝置層; 在所述裝置層上形成傳感器; 在所述集成電路基板上安裝多個IC焊盤;以及 將多個裝置焊盤耦合到所述傳感器;以及 選擇性地將所述多個裝置焊盤耦合到所述多個IC焊盤以便處理所述傳感器產(chǎn)生的信號。48.根據(jù)權利要求46所述的方法,還包括利用導電金屬密封將所述裝置層耦合到所述集成電路基板,從而形成裝置腔體。
【專利摘要】本申請公開了帶有磁性傳感器元件和磁性存儲元件的裝置的方法和系統(tǒng)。該裝置包括集成電路基板。至少含有永磁體的磁性傳感元件的磁性傳感器被安裝在集成電路基板上。多個磁性存儲元件安裝在集成電路基板上,每個元件包含至少一個永磁體。
【IPC分類】G01R33/02
【公開號】CN105579860
【申請?zhí)枴緾N201480045423
【發(fā)明人】S·勞埃德, J·I·申, J·申
【申請人】應美盛有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年7月18日
【公告號】EP3022569A1, WO2015010105A1