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      靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法和系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):9863851閱讀:857來源:國(guó)知局
      靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法和系統(tǒng)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及儀器測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別是設(shè)及一種靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法和系 統(tǒng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 靜電換能器由兩個(gè)可W存儲(chǔ)相反電荷的導(dǎo)體所構(gòu)成的電容器,在功能上包括傳感 器與執(zhí)行器,常見的靜電MEMS(Mic;ro Electro Mechanical Systems,微機(jī)電系統(tǒng))器件包 括RF(Radio化equency,射頻)MEMS開關(guān)、MEMS慣性器件、MEMS壓力傳感器等。W靜電力為驅(qū) 動(dòng)的平行板電容器結(jié)構(gòu),通常是一個(gè)平行板固定(固定平板),另一個(gè)平板由機(jī)械彈黃懸支 (可動(dòng)平板),當(dāng)兩個(gè)平行板上時(shí)加電壓時(shí)就會(huì)產(chǎn)生靜電力,靜電力使兩平板之間的間隙減 少,從而引起位移和機(jī)械回復(fù)力,在靜態(tài)平衡下,機(jī)械回復(fù)力與靜電力大小相等,方向相反。 其中,機(jī)械回復(fù)力隨著極板位置線性變化,而靜電力則隨著極板位置非線性變化。
      [0003] 在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中,機(jī)械沖擊不可避免。在機(jī)械沖擊作用下,可動(dòng)平板將會(huì)發(fā)生位 移,此時(shí)就算施加在平板間的電壓沒有發(fā)生變化,但由于兩平板之間的間隙發(fā)生改變,將會(huì) 導(dǎo)致靜電力也發(fā)生改變運(yùn)可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)出現(xiàn)誤動(dòng)作本來不應(yīng)該發(fā)生接觸的偏置電壓條 件下,由于外界機(jī)械沖擊的作用,導(dǎo)致開關(guān)出現(xiàn)意外的閉合接觸動(dòng)作,嚴(yán)重影響了產(chǎn)品使用 的穩(wěn)定性和可靠性。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 基于此,有必要針對(duì)上述問題,提供一種可提高靜電換能器穩(wěn)定性和可靠性的靜 電換能器可靠性試驗(yàn)方法和系統(tǒng)。
      [0005] -種靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法,包括W下步驟:
      [0006] 對(duì)靜電換能器的輸入電極和偏置電極施加偏置電壓,并經(jīng)預(yù)設(shè)的分壓電阻對(duì)所述 靜電換能器的輸入電極和輸出電極施加直流電壓,所述偏置電壓小于所述靜電換能器的下 拉電壓;
      [0007] 根據(jù)預(yù)設(shè)的沖擊量級(jí)對(duì)所述靜電換能器施加沖擊載荷,進(jìn)行機(jī)械沖擊;
      [000引在機(jī)械沖擊過程中監(jiān)測(cè)所述分壓電阻兩端的電壓;
      [0009] 調(diào)節(jié)所述偏置電壓的幅值,并在所述分壓電阻兩端的電壓大于預(yù)設(shè)電壓闊值時(shí), 測(cè)量得到當(dāng)前沖擊量級(jí)下所述靜電換能器產(chǎn)生誤觸發(fā)的最小偏置電壓并輸出。
      [0010] -種靜電換能器可靠性試驗(yàn)系統(tǒng),包括:
      [0011] 電壓施加模塊,用于對(duì)靜電換能器的輸入電極和偏置電極施加偏置電壓,并經(jīng)預(yù) 設(shè)的分壓電阻對(duì)所述靜電換能器的輸入電極和輸出電極施加直流電壓,所述偏置電壓小于 所述靜電換能器的下拉電壓;
      [0012] 機(jī)械沖擊模塊,用于根據(jù)預(yù)設(shè)的沖擊量級(jí)對(duì)所述靜電換能器施加沖擊載荷,進(jìn)行 機(jī)械沖擊;
      [0013] 電壓監(jiān)測(cè)模塊,用于在機(jī)械沖擊過程中監(jiān)測(cè)所述分壓電阻兩端的電壓;
      [0014] 偏置計(jì)算模塊,用于調(diào)節(jié)所述偏置電壓的幅值,并在所述分壓電阻兩端的電壓大 于預(yù)設(shè)電壓闊值時(shí),測(cè)量得到當(dāng)前沖擊量級(jí)下所述靜電換能器產(chǎn)生誤觸發(fā)的最小偏置電壓 并輸出。
      [0015] 上述靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法和系統(tǒng),對(duì)靜電換能器的輸入電極和偏置電極施 加偏置電壓,并經(jīng)預(yù)設(shè)的分壓電阻對(duì)靜電換能器的輸入電極和輸出電極施加直流電壓;根 據(jù)預(yù)設(shè)的沖擊量級(jí)對(duì)靜電換能器施加沖擊載荷,進(jìn)行機(jī)械沖擊。在機(jī)械沖擊過程中監(jiān)測(cè)分 壓電阻兩端的電壓;調(diào)節(jié)偏置電壓的幅值,并在分壓電阻兩端的電壓大于預(yù)設(shè)電壓闊值時(shí), 測(cè)量得到當(dāng)前沖擊量級(jí)下靜電換能器產(chǎn)生誤觸發(fā)的最小偏置電壓并輸出。實(shí)現(xiàn)在一定的機(jī) 械沖擊條件下,獲得會(huì)導(dǎo)致可動(dòng)平板下拉而產(chǎn)生誤觸發(fā)的最小偏置電壓,支撐靜電換能器 的抗沖擊設(shè)計(jì)W及對(duì)機(jī)械沖擊和靜電力禪合所引起的誤接觸動(dòng)作的預(yù)測(cè)和預(yù)防等,提高了 靜電換能器的穩(wěn)定性和可靠性。
      【附圖說明】
      [0016] 圖1為一實(shí)施例中靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法的流程圖;
      [0017] 圖2為機(jī)械沖擊和靜電力禪合作用下輸入電極和輸出發(fā)生接觸的事件監(jiān)測(cè)的原理 結(jié)構(gòu)圖;
      [0018] 圖3為另一實(shí)施例中靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法的流程圖;
      [0019] 圖4為一實(shí)施例中保持電壓和下拉電壓的測(cè)試原理圖;
      [0020] 圖5為一實(shí)施例中靜電換能器可靠性試驗(yàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖;
      [0021] 圖6為另一實(shí)施例中靜電換能器可靠性試驗(yàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0022] -種靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法,適用于機(jī)械沖擊與靜電力禪合對(duì)靜電換能器可 靠性影響的分析。由于靜電力本身的大小是位移的函數(shù),當(dāng)施加在平行板電容器結(jié)構(gòu)的兩 個(gè)平行板上的電壓增加時(shí),靜電力隨著電荷的增加而增大。同時(shí),力的增大使間隙高度減 小,而間隙高度的減小又依次使電容、電荷和電場(chǎng)增大。在靜電力作用下,當(dāng)可動(dòng)平板運(yùn)動(dòng) 到兩平板間隙的Ξ分之二處時(shí),隨著兩平板間電壓的增加,靜電力的增加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于回復(fù)力 的增加,其結(jié)果是可動(dòng)平板產(chǎn)生下塌從而與固定平板接觸。
      [0023] 定義使可動(dòng)平板運(yùn)動(dòng)到兩平板間隙的Ξ分之二處的電壓為下拉電壓Vpi,則由W上 分析可W看出,當(dāng)兩平板之間的偏置電壓為V〉Vpi時(shí),可動(dòng)平板產(chǎn)生下塌而與固定平板接觸, 當(dāng)兩平板之間的偏置電壓為V<Vpi時(shí),則兩平板不會(huì)發(fā)生接觸?;谠撎匦裕蒞構(gòu)建多種靜 電MEMS器件,如RF MEMS開關(guān),W兩平板之間的偏置電壓作為控制信號(hào):當(dāng)V〉Vpi時(shí),開關(guān)電極 接觸,實(shí)現(xiàn)開關(guān)"開"的功能,當(dāng)V<Vpi時(shí),開關(guān)電極保持開路,實(shí)現(xiàn)"關(guān)"的功能。
      [0024] RF MEMS開關(guān)為Ξ端結(jié)構(gòu),包括輸入電極(對(duì)應(yīng)于可動(dòng)平板)、輸出電極和偏置電極 (對(duì)應(yīng)于固定平板),根據(jù)RF MEMS開關(guān)的工作原理,在輸入電極和偏置電極之間施加一直流 偏置電壓V〉Vpi的話,則輸入電極就會(huì)被下拉到與輸出電極接觸,形成射頻信號(hào)的傳輸路徑, 當(dāng)輸入電極和偏置電極之間的偏置電壓V小于保持電壓VpD(V<Vp。)的話,則輸入電極斷開與 輸出電極的接觸,形成開路。
      [002引對(duì)于RF MEMS開關(guān),當(dāng)一個(gè)射頻電壓V施加在兩個(gè)平行金屬板之間,平行板的重疊 區(qū)域?yàn)锳,間距為g,可定義射頻電壓V:
      [00%] V(t) =Vocos(化 ft)
      [0027]其中Vo是振幅,f為頻率和t是時(shí)間。該電壓產(chǎn)生一個(gè)靜電力Frf。不考慮電容失配, 即沒有反射,則該靜電力為:
      [002引
      [0029] 其中ε〇是自由空間的介電常數(shù)。該力的低頻部分對(duì)應(yīng)于板之間所承受的力,該力 等效的直流電壓等于:
      [0030]
      [0031] 因此,施加在平板之間的射頻電壓,都有一個(gè)等效電壓Veq使平行板之間產(chǎn)生靜電 力,在沖擊環(huán)境中,沖擊與等效的直流電壓的禪合可能會(huì)導(dǎo)致可動(dòng)平板下拉而產(chǎn)生誤動(dòng)作, 即使等效的直流電壓低于該開關(guān)正常條件下的下拉電壓Vpi。
      [0032] 為便于理解,全文均WRF MEMS開關(guān)為例對(duì)靜電換能器可靠性試驗(yàn)方法進(jìn)行解釋 說明,如圖1所示,上述方法包括W下步驟:
      [0033] 步驟S140:對(duì)靜電換能器的輸入電極和偏置電極施加偏置電壓,并經(jīng)預(yù)設(shè)的分壓 電阻對(duì)靜電換能器的輸入電極和輸出電極施加直流電壓。
      [0034] 偏置電壓小于靜電換能器的下拉電壓。具體可先通過合適的夾具將RF MEMS開關(guān) 固定在沖擊臺(tái)上,W便后續(xù)進(jìn)行機(jī)械沖擊測(cè)試。將RF MEMS開關(guān)按圖2所示電路圖進(jìn)行連接, 直流電源2通過其兩端2a和化分別與RF MEMS開關(guān)1的輸入電極la和偏置電極Ic連接從而向 其施加偏置電壓Vb,輸出電極化與分壓電阻4的一端連接,同時(shí),分壓電阻4的另一端連接到 電源3的正端,電源3的另一端與輸入電極la和直流電源2的負(fù)極2a相連接。電壓監(jiān)測(cè)儀表5 連接在分壓電阻4的兩端,電壓監(jiān)測(cè)儀表5具體可采用示波器。
      [0035] 可預(yù)先測(cè)得RF MEMS開關(guān)的下拉電壓Vpi,保持RF MEMS開關(guān)處于通電狀態(tài),并對(duì)輸 入電極la和偏置電極Ic施加偏置電壓化,其中^<Vpi,設(shè)置并使電源3處于輸出狀態(tài)。
      [0036] 步驟S150:根據(jù)預(yù)設(shè)的沖擊量級(jí)對(duì)靜電換能器施加沖擊載荷,進(jìn)行機(jī)械沖擊。預(yù)設(shè) 的沖擊量級(jí)的具體取值可根據(jù)實(shí)際情況選取。在沖擊環(huán)境中,機(jī)械沖擊脈沖會(huì)使可動(dòng)平板 產(chǎn)生位移,對(duì)于一定量級(jí)的機(jī)械沖擊,在RF MEMS開關(guān)不上電的條件下,可能不會(huì)導(dǎo)致輸入 電極la與輸出電極化的碰撞接觸,但是當(dāng)RF MEMS開關(guān)的輸入電極la上存在射頻信號(hào)時(shí),等 效于一個(gè)射頻信號(hào)等效電壓Veq使平行板之間產(chǎn)生靜電力,由于機(jī)械沖擊和靜電力的禪合作 用,可能會(huì)導(dǎo)致輸入電極la被下拉至與輸出電極lb接觸。
      [0037] 如果在沖擊瞬間,輸入電極la與輸出電極化碰撞接觸,但沖擊結(jié)束之后,輸入電極 la就與輸出電極化分開,那么輸入電極la就與輸出電極化的接觸時(shí)間的長(zhǎng)度將與機(jī)械沖擊 的脈沖寬度同個(gè)量級(jí),根據(jù)GJB548B-2005中方法2002.1對(duì)機(jī)械沖擊的規(guī)定,500g峰值加速 度的對(duì)應(yīng)脈沖寬度為1ms,而20000g峰值加速度的脈沖寬度僅為0.2ms,在該時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi),如 果通過實(shí)時(shí)測(cè)試輸入電極la與輸出電極化之間的接觸電阻來判斷兩者之間是否發(fā)生接觸 將極為困難,因?yàn)榻佑|電阻的變化周期太小,測(cè)試電阻值的儀表難W運(yùn)么快速地響應(yīng)并獲 得實(shí)時(shí)測(cè)試數(shù)據(jù),特別是,試驗(yàn)中通常需要通過PC工作站進(jìn)行數(shù)據(jù)的采集與保存,此時(shí)由于 PC工作站與測(cè)試電阻值的儀表之間通訊速度的限制,更加難ww毫秒或者納秒的采樣周期 進(jìn)行接觸電阻的采樣與保存,從而難W判斷沖擊過程輸入電極la與輸出電極化之間是否發(fā) 生接觸。
      [0038] 因此,W
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