]在各種實(shí)施例中，隔離電路還包括第二晶體管，該第二晶體管具有耦合到第一電容器端子的第二控制端子并且具有耦合在第二電容器端子和第二端子之間的第二導(dǎo)電路徑。在一些實(shí)施例中，自動(dòng)控制電路還包括:第一二極管，親合在第一電容器端子和第二電容器端子之間；以及第二二極管，耦合在第一電容器端子和第二電容器端子之間。第一二極管具有第一導(dǎo)電方向，并且第二二極管具有與第一導(dǎo)電方向相反的第二導(dǎo)電方向。在實(shí)施例中，第一二極管包括多個(gè)串聯(lián)的二極管，并且第二二極管包括多個(gè)串聯(lián)的二極管。
[0060]在各種實(shí)施例中，自動(dòng)控制電路還包括電壓限制元件，該電壓限制元件耦合在第一電容器端子和第二電容器端子之間。電壓限制元件被配置為在施加到電壓限制元件的電壓超過導(dǎo)電閾值時(shí)在第一導(dǎo)電方向上傳導(dǎo)電流。在一些實(shí)施例中，第一晶體管是高電壓耗盡晶體管。第一閾值可以等于第一晶體管的閾值電壓。
[0061]在各種實(shí)施例中，接觸測量電路還包括導(dǎo)電設(shè)備，并且導(dǎo)電設(shè)備是繼電器。在一些實(shí)施例中，接觸測量電路還包括導(dǎo)電設(shè)備，并且導(dǎo)電設(shè)備是熔絲、電開關(guān)或插頭接觸。
[0062]本文中描述的各種實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)可以包括在某些應(yīng)用中(諸如用于機(jī)械繼電器)的較小接觸部，從而導(dǎo)致減少成本。另一優(yōu)點(diǎn)可以包括提高的安全性，因?yàn)楫?dāng)接觸電阻上升到閾值水平以上時(shí)電阻被監(jiān)控并且錯(cuò)誤信號被生成。額外優(yōu)點(diǎn)可以包括自動(dòng)地自保護(hù)以便在沒有來自外部控制信號或邏輯控制電路的介入的情況下測量接觸電阻并自動(dòng)地切換到阻斷狀態(tài)的實(shí)施例。
[0063]盡管已經(jīng)參考說明性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是該描述不旨在以限制的意義來解釋。在參考描述之后，說明性實(shí)施例的各種修改和組合以及本發(fā)明的其他實(shí)施例將對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見。因此旨在所附權(quán)利要求涵蓋任何這樣的修改或?qū)嵤├?br>【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種被配置為耦合在第一接觸部和第二接觸部之間的接觸測量電路，所述接觸測量電路包括: 第一晶體管，包括被配置為耦合到所述第一接觸部的第一導(dǎo)電端子、第二導(dǎo)電端子和第一控制端子； 控制電容器，包括耦合到所述第二導(dǎo)電端子的第一電容器端子和耦合到所述第一控制端子的第二電容器端子，其中，所述第二電容器端子被配置為耦合到所述第二接觸部；以及 電壓測量單元，耦合到所述第一電容器端子和所述第二電容器端子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸測量電路，還包括第一阻抗設(shè)備，所述第一阻抗設(shè)備耦合到所述第一導(dǎo)電端子并且被配置為耦合在所述第一導(dǎo)電端子和所述第一接觸部之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸測量電路，還包括電壓限制設(shè)備，所述電壓限制設(shè)備耦合在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間，所述電壓限制設(shè)備被配置為將在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間的電壓限制到第一閾值電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸測量電路，其中，所述電壓測量單元包括Σ-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)05.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸測量電路，其中，所述第一晶體管包括常開型晶體管。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接觸測量電路，其中，所述第一晶體管包括高電壓耗盡型晶體管。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸測量電路，還包括第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合到所述第二電容器端子的第三導(dǎo)電端子、第四導(dǎo)電端子和耦合到所述第一電容器端子的第二控制端子，其中，所述第四導(dǎo)電端子被配置為耦合到所述第二接觸部。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸測量電路，還包括: 第一阻抗設(shè)備，耦合到所述第一導(dǎo)電端子并且被配置為耦合在所述第一導(dǎo)電端子和所述第一接觸部之間，以及 第二阻抗設(shè)備，耦合到所述第四導(dǎo)電端子并且被配置為耦合在所述第四導(dǎo)電端子和所述第二接觸部之間。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸測量電路，還包括電壓限制設(shè)備，所述電壓限制設(shè)備耦合在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間，所述電壓限制設(shè)備被配置為將在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間的電壓限制到第一閾值電壓。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接觸測量電路，其中，所述電壓限制設(shè)備包括: 第一多個(gè)串聯(lián)的二極管，被配置為在從所述第一電容器端子到所述第二電容器端子的電壓高于所述第一閾值時(shí)將電流從所述第一電容器端子傳導(dǎo)到所述第二電容器端子，以及 第二多個(gè)串聯(lián)的二極管，被配置為在從所述第二電容器端子到所述第一電容器端子的電壓高于所述第一閾值時(shí)將電流從所述第二電容器端子傳導(dǎo)到所述第一電容器端子。11.一種使用在接觸部之間的串聯(lián)的元件來測量所述接觸部的接觸電阻的方法，所述串聯(lián)的元件包括串聯(lián)耦合的晶體管和電容器，所述方法包括: 當(dāng)跨所述接觸部的電壓低于第一閾值時(shí)使用所述電容器自動(dòng)地加偏壓使所述晶體管進(jìn)入接通狀態(tài)； 當(dāng)跨所述接觸部的電壓高于第一閾值時(shí)使用所述電容器自動(dòng)地加偏壓使所述晶體管進(jìn)入斷開狀態(tài)； 當(dāng)所述晶體管被加偏壓處于所述接通狀態(tài)時(shí)測量跨所述電容器的電壓；以及 基于測量跨所述電容器的所述電壓來確定所述接觸部的接觸電阻。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，自動(dòng)地對所述晶體管加偏壓包括在沒有接收到來自額外控制電路的任何控制信號的情況下使用所述電容器對所述晶體管的控制端子加偏壓。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述晶體管包括高電壓耗盡設(shè)備。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一閾值等于所述高電壓耗盡設(shè)備的柵源閾值電壓。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括使用電壓限制元件來將跨所述電容器的電壓限制到第二閾值。16.—種接觸測量電路，包括: 第一端子； 第二端子，其中，所述第一端子和所述第二端子被配置為耦合跨導(dǎo)電設(shè)備的接觸部； 隔離電路，耦合到所述第一端子和所述第二端子，所述隔離電路包括第一測量端子和第二測量端子，其中，所述隔離電路被配置為: 監(jiān)控在所述第一端子和所述第二端子之間的端子電壓， 基于監(jiān)控所述端子電壓來阻斷所述第一端子和所述第二端子之間的信號路徑，其中，所述信號路徑在所述端子電壓高于第一閾值時(shí)被阻斷，并且 在所述信號路徑被阻斷時(shí)將所述第一測量端子和所述第二測量端子之間的測量電壓限制到所述第一閾值;以及 測量單元，耦合到所述第一測量端子和所述第二測量端子。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的接觸測量電路，其中，所述隔離電路包括: 第一晶體管，包括第一控制端子并且具有在所述第一端子和所述第二端子之間的第一導(dǎo)電路徑；以及 自動(dòng)控制電路，耦合到所述第二端子和所述第一控制端子。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的接觸測量電路，其中，所述自動(dòng)控制電路由非開關(guān)阻抗元件構(gòu)成。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的接觸測量電路，其中，所述自動(dòng)控制電路被配置為在沒有接收到控制信號的情況下自動(dòng)地控制所述第一晶體管。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的接觸測量電路，其中，所述自動(dòng)控制電路包括與所述第一導(dǎo)電路徑串聯(lián)耦合的電容器， 其中，所述電容器包括第一電容器端子和第二電容器端子， 其中，所述第一電容器端子耦合到所述第一測量端子，并且 其中，所述第二電容器端子耦合到所述第一控制端子和所述第二測量端子。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的接觸測量電路，其中，所述隔離電路還包括第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合到所述第一電容器端子的第二控制端子并且具有耦合在所述第二電容器端子和所述第二端子之間的第二導(dǎo)電路徑。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的接觸測量電路，其中，所述自動(dòng)控制電路還包括: 第一二極管，耦合在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間，所述第一二極管具有第一導(dǎo)電方向；以及 第二二極管，耦合在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間，所述第二二極管具有與所述第一導(dǎo)電方向相反的第二導(dǎo)電方向。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的接觸測量電路，其中，所述第一二極管包括多個(gè)串聯(lián)的二極管，并且所述第二二極管包括多個(gè)串聯(lián)的二極管。24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的接觸測量電路，其中，所述自動(dòng)控制電路還包括電壓限制元件，所述電壓限制元件耦合在所述第一電容器端子和所述第二電容器端子之間，所述電壓限制元件被配置為在施加到所述電壓限制元件的電壓超過導(dǎo)電閾值時(shí)在第一導(dǎo)電方向上傳導(dǎo)電流。25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的接觸測量電路，其中，所述第一晶體管包括高電壓耗盡晶體管。26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的接觸測量電路，其中，所述第一閾值等于所述第一晶體管的閾值電壓。27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的接觸測量電路，還包括所述導(dǎo)電設(shè)備，并且其中，所述導(dǎo)電設(shè)備包括繼電器。28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的接觸測量電路，還包括所述導(dǎo)電設(shè)備，并且其中，所述導(dǎo)電設(shè)備包括熔絲、電開關(guān)或插頭接觸。
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于接觸測量電路的系統(tǒng)和方法。根據(jù)實(shí)施例，一種接觸測量電路被配置為耦合在第一接觸部和第二接觸部之間，并且所述接觸測量電路包括第一晶體管、控制電容器和電壓測量單元。所述第一晶體管包括被配置為耦合到所述第一接觸部的第一導(dǎo)電端子、第二導(dǎo)電端子和第一控制端子。所述控制電容器包括耦合到所述第二導(dǎo)電端子的第一電容器端子和耦合到所述第一控制端子的第二電容器端子。所述電壓測量單元耦合到所述第一電容器端子和所述第二電容器端子，并且所述第二電容器端子被配置為耦合到所述第二接觸部。
【IPC分類】G01R27/08
【公開號】CN105699778
【申請?zhí)枴緾N201510922563
【發(fā)明人】J.巴倫舍恩, A.毛德
【申請人】英飛凌科技奧地利有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月11日
【公告號】DE102015121568A1, US20160169945