一種用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電磁屏蔽桶領(lǐng)域，特別是涉及一種適用不同環(huán)境的杜瓦便攜電磁屏蔽桶。
【背景技術(shù)】
[0002]超導(dǎo)量子干涉器件(SQUID)是一種能測量微弱磁信號的極其靈敏的儀器，就其功能而言是一種磁通傳感器，不僅可以用來測量磁通量的變化，還可以測量能轉(zhuǎn)換為磁通的其他物理量，如電壓、電流、電阻、電感、磁感應(yīng)強度、磁場梯度、磁化率等。SQUID需要在低溫下工作，通常使用杜瓦維持其工作時的低溫環(huán)境。常見杜瓦有兩種類型，分別是金屬杜瓦和非金屬杜瓦，因金屬杜瓦對電磁干擾有較好的屏蔽性，應(yīng)用時其電磁屏蔽基本不做處理，但應(yīng)用場合比較局限。所以在實用上一般使用無磁杜瓦，由于材質(zhì)原因，在不做電磁屏蔽性處理前，使用中對電磁干擾毫無抵抗力。為了解決電磁干擾問題，需對無磁杜瓦進行電磁屏蔽性處理。
[0003]目前，在低溫超導(dǎo)應(yīng)用中，對電磁干擾的防護均是圍繞低溫單元本身作的處理，第一是給杜瓦外層直接包覆金屬導(dǎo)電薄膜進行電磁屏蔽，第二是給超導(dǎo)量子干涉器件(SQUID)套鈮桶進行電磁屏蔽。這兩種處理技術(shù)在實驗室環(huán)境應(yīng)用已經(jīng)很成熟，但針對于外場實驗，這些處理方式均不理想。首先，如直接采用杜瓦外層包覆金屬導(dǎo)電薄膜方式進行電磁屏蔽，整個包覆過程比較復(fù)雜，使得在外場實驗時無法現(xiàn)場進行包覆，只能根據(jù)場地給出的電磁干擾值在實驗室做前期電磁屏蔽層包覆處理，就算如實，也不能確保能應(yīng)對外場復(fù)雜多變的電磁環(huán)境，對這種一次性包覆屏蔽層來保障測試系統(tǒng)正常工作的做法增加實驗失敗的風(fēng)險。其次，就是實驗本身而言，外場實驗主要測試的是主動磁場和運動磁場，如果不僅考慮消除干擾而過多的包覆屏蔽，會對有用信號進行衰減，使實驗結(jié)果不理想。最后，鈮桶屏蔽主要用于實驗室被動場測試，這里不予考慮。為克服所面臨的問題，我們設(shè)計了一種適用于野外的不同環(huán)境的電磁屏蔽桶，確保外場實驗的成功率，從而做到節(jié)省時間成本和經(jīng)費成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的電磁屏蔽設(shè)計無法滿足不同環(huán)境的測試要求的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶，用于對低溫杜瓦單元進行電磁屏蔽處理，所述電磁屏蔽桶至少包括:
[0006]無磁桶型襯底；
[0007]無磁帽型襯底，結(jié)合于所述無磁桶型襯底上，在所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底的結(jié)合處設(shè)置有凹凸鎖，通過凹凸鎖將無磁桶型襯底和無磁帽型襯底密封圍成一密閉空間，以包圍所述低溫杜瓦單元；
[0008]至少一層金屬薄膜，包覆在所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底表面。
[0009]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底為硬質(zhì)或軟質(zhì)材料。
[0010]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底的厚度范圍為3?8_。
[0011]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述凹凸鎖包括設(shè)置在所述無磁桶型襯底上的凹型鎖和設(shè)置在無磁帽型襯底上、與所述凹型鎖配合密封的凸型鎖。
[0012]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述凹型鎖的凹槽壁上設(shè)置有一對凹部，所述凸型鎖上設(shè)置有與所述凹部對應(yīng)的一對凸部，所述凸部卡制于所述凹部中。
[0013]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述凹凸鎖為無磁金屬材質(zhì)。
[0014]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述金屬薄膜的層數(shù)范圍為24?54層，單層厚度范圍為0.5?0.8 μπι。
[0015]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，所述金屬薄膜由均勻排布的多塊分離的小金屬薄膜組成。
[0016]作為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的一種優(yōu)化的方案，在所述金屬薄膜表面還貼設(shè)有識別層。
[0017]如上所述，本實用新型的用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶，用于對低溫杜瓦單元進行電磁屏蔽處理，包括:無磁桶型襯底；無磁帽型襯底，結(jié)合于所述無磁桶型襯底上，在所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底的結(jié)合處設(shè)置有凹凸鎖，通過凹凸鎖將無磁桶型襯底和無磁帽型襯底密封圍成一密閉空間，以包圍所述低溫杜瓦單元；至少一層金屬薄膜，包覆在所述無磁桶型襯底和無磁帽型襯底表面。本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶通過凹凸鎖將無磁桶型襯底和無磁帽型襯底有效密封，并通過設(shè)計不同層數(shù)的金屬薄膜，有效應(yīng)對野外各種程度的電磁干擾，實現(xiàn)不同環(huán)境下低溫超導(dǎo)外場的測試。該實用新型提供的電磁屏蔽桶輕便，易于攜帶，并且可以多次重復(fù)使用，減低成本。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶中凹凸鎖的縱截面示意圖。
[0020]圖3為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶中凹型鎖沿ΑΑ’方向的橫截面示意圖。
[0021]圖4為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶中凸型鎖沿ΑΑ’方向的橫截面示意圖。
[0022]圖5為本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶中金屬薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]元件標號說明
[0024]I低溫杜瓦單元
[0025]2 無磁桶型襯底
[0026]3 無磁帽型襯底
[0027]4凹凸鎖
[0028]41凹型鎖
[0029]411凹部
[0030]42凸型鎖
[0031]421凸部
[0032]5,6金屬薄膜
[0033]7識別層
【具體實施方式】
[0034]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0035]請參閱附圖。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實用新型中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0036]現(xiàn)有技術(shù)中的鈮桶屏蔽主要用于實驗室被動場的測試，如果針對外場實驗，主要測試的是主動磁場和運動磁場，現(xiàn)有的做法是將杜瓦本身進行金屬導(dǎo)電薄膜包覆，這種一次性包覆太厚，會影響測試結(jié)果，并且這種一次性包覆不能應(yīng)對外場多變的電磁環(huán)境。有鑒于此，本實用新型提供一種用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶，能有效防電磁干擾，尤其是在低溫超導(dǎo)量子干涉器件(SQUID)的外場應(yīng)用中，面對電磁環(huán)境多樣性和不確定性，其優(yōu)勢表現(xiàn)特別明顯，為外場實驗節(jié)省時間和金錢成本。以下將詳細闡述本實用新型用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶的原理及實施方式，使本領(lǐng)域技術(shù)人員不需要創(chuàng)造性勞動即可理解本實用新型的便攜電磁屏蔽桶。
[0037]本實用新型提供一種用于杜瓦的便攜電磁屏蔽桶，如圖1所示，用于對低溫杜瓦單元I進行電磁屏蔽處理，所述電磁屏蔽桶至少包括:無磁桶型襯底2、無磁帽型襯底3、凹凸鎖4、至少一層金屬薄膜5、6。
[0038]根據(jù)所使用的實際杜瓦低溫單元I的大小和結(jié)構(gòu)，確定無磁桶型襯底2的尺寸。所述無磁