晶閘管閥合成試驗(yàn)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力電子領(lǐng)域，尤其涉及一種晶閘管合成試驗(yàn)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]晶閘管閥包括單向閥和雙向閥。通常單向閥工作在有功電路中，實(shí)現(xiàn)功率傳輸。雙向閥則通常用于進(jìn)行無供補(bǔ)償。雙向閥能夠在正弦電壓的作用下，實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，而單向閥則僅能實(shí)現(xiàn)單向?qū)ā?br>[0003]高壓直流輸電(HighVoltage Direct Current Transmiss1n, HVDC)閥即為典型的單向閥。靜止無功補(bǔ)償器(Static Var Compensator, SVC)閥即為典型的雙向閥。
[0004]為了保證晶閘管閥所工作電路的正常工作，在將晶閘管閥投入使用之前，需要對(duì)晶閘管閥進(jìn)行性能試驗(yàn)。但是在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)用于晶閘管閥試驗(yàn)的電路的相對(duì)較為復(fù)雜，利用率低且硬件成本高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例期望提供一種至少部分能夠降低晶閘管閥試驗(yàn)成本的晶閘管閥合成試驗(yàn)電路。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]本實(shí)用新型提供了一種晶閘管閥合成試驗(yàn)電路，所述電路包括:
[0008]電壓源回路，用于根據(jù)被接入試品中的試品閥的類型，控制所述電壓源回路內(nèi)電子元件工作狀態(tài)，為所述試品提供試驗(yàn)電壓；其中，所述試品閥的類型包括晶閘管閥中的單向閥及雙向閥；
[0009]電流源回路，用于根據(jù)被接入所述試品閥的類型，控制所述電壓源回路內(nèi)電子元件工作狀態(tài)，為所述試品提供試驗(yàn)電流。
[0010]基于上述方案，所述試品包括試品閥Vt及雜散電容Ct ;其中，所述試品閥Vt為所述單向閥或雙向閥；
[0011]所述電壓源回路包括:變壓器T2、整流橋U3、輔助相控電抗器L1、輔助相控電抗器L2、輔助相控電抗器L3、輔助電容器Cl、輔助電容器C2、輔助閥Va2、輔助閥Va3、輔助閥Va4、輔助閥Va5及輔助閥Va6 ；
[0012]所述變壓器T2的一次側(cè)接入系統(tǒng)母線，二次側(cè)與所述整流橋U3的三相交流端相連；
[0013]所述整流橋U3的共陰極輸出端與輔助相控電抗器L3 —端相連；
[0014]所述輔助相控電抗器L3另一端與輔助電容器C2的高壓端及所述輔助閥Va2的陽極端連在一起；
[0015]所述輔助閥Va2的陰極端、所述輔助閥Va5的陰極端、所述輔助閥Va6的陽極端、所述輔助相控電抗器L2的一端連接在一起；
[0016]所述輔助相控電抗器L2的另一端、所述輔助電容器Cl的高壓端、所述輔助閥Va3的陽極端、所述輔助閥Va4的陰極端連在一起；
[0017]所述輔助相控電抗器LI 一端、所述輔助閥Va3的陰極端、所述輔助閥Va4的陽極端連在一起;
[0018]所述輔助相控電抗器LI另一端、所述試品閥Vt的陽極端、雜散電容Ct的高壓端連在一起；
[0019]所述整流橋U3的共陰極輸出端、所述輔助電容器C2低壓端、所述輔助閥Va5的陽極端、所述輔助閥Va6的陰極端、所述輔助電容器Cl低壓端、所述雜散電容Ct的低壓端以及所述試品閥Vt的陰極端連在一起并接地；
[0020]其中，當(dāng)所述試品閥Vt為單向閥時(shí)，所述輔助閥Va6處于非工作狀態(tài)；當(dāng)所述輔助閥Va6為雙向閥時(shí)，所述輔助閥Va6處于工作狀態(tài)。
[0021]基于上述方案，所述輔助閥Va3與所述輔助閥Va4為相互獨(dú)立的單向閥；或，
[0022]所述輔助閥Va3和所述輔助閥Va4共同組成一個(gè)雙向反并聯(lián)閥。
[0023]基于上述方案，所述輔助閥Va5與所述輔助閥Va6為相互獨(dú)立的單向閥；或，
[0024]所述輔助閥Va5和所述輔助閥Va6共同組成一個(gè)雙向反并聯(lián)閥。
[0025]基于上述方案，所述電流源回路包括:變壓器T1-1、相控電抗器Lxl-1、相控電抗器Lx2-1、相控電抗器Lx3-1、整流橋U1、平波相控電抗器SRl、隔離閥VaO、隔離閥Val、開關(guān)器件FKl-1至開關(guān)器件FK8-1 ；
[0026]所述整流橋UI包括閥V1-1、閥V2-1、閥V3-1、閥V4-1、閥V5-1及閥V6-1 ;
[0027]所述變壓器Tl-1的一次側(cè)均接入系統(tǒng)母線，二次側(cè)A相出線端與相控電抗器Lxl-1的一端、及所述開關(guān)器件FK2-1的一端連接在一起；
[0028]所述相控電抗器Lxl-1的另一端、所述開關(guān)器件FK2-1的另一端、開關(guān)器件FK5-1的一端、開關(guān)器件FK6-1的一端、開關(guān)器件FK7-1的一端連接在一起；
[0029]所述開關(guān)器件FK5-1的另一端與所述閥Vl-1的陽極端連接在一起；
[0030]所述開關(guān)器件FK6-1的另一端與所述閥V4-1的陰極端連接在一起；
[0031]所述變壓器Tl-1的二次側(cè)B相出線端、所述相控電抗器Lx2_l的一端及所述開關(guān)器件FK3-1的一端連接在一起；
[0032]所述相控電抗器Lx2_l的另一端、所述開關(guān)器件FK3-1的另一端、所述閥V3_l的陽極端、所述閥V6-1的陰極端連接在一起；
[0033]所述變壓器Tl-1的二次側(cè)C相出線端、所述相控電抗器Lx3_l的一端及所述開關(guān)器件FK4-1的一端連接在一起；
[0034]所述相控電抗器Lx3_l的另一端、所述開關(guān)器件FK4-1的另一端、所述閥V5_l的陽極端、所述閥V2-1的陰極端連接在一起；
[0035]開關(guān)器件FK8-1的一端、所述平波相控電抗器SRl的一端、所述閥Vl-1的陰極端、所述閥V3-1的陰極端、所述閥V5-1的陰極端相互連在一起，并接地；
[0036]所述開關(guān)器件FK8-1的另一端、所述平波相控電抗器SRl的另一端、所述閥V4_l的陽極端、所述閥V6-1的陽極端、所述閥V2-1的陽極端相互連在一起；
[0037]變壓器Tl-1的二次側(cè)Y形繞組的中性點(diǎn)可通過所述開關(guān)器件FKl-1接地；
[0038]其中，當(dāng)所述試品閥Vt為單向閥時(shí)，打開所述開關(guān)器件FK1-1、所述開關(guān)器件FK5-1、所述開關(guān)器件FK8-1，合上所述開關(guān)器件FK2-1、所述開關(guān)器件FK3-1、所述開關(guān)器件FK4-1、所述開關(guān)器件FK6-1及所述開關(guān)器件FK7-1 ；
[0039]當(dāng)所述試品閥Vt為雙向閥時(shí)，打開所述開關(guān)器件FK2-1、所述開關(guān)器件FK3-1、所述開關(guān)器件FK4-1、所述開關(guān)器件FK5-1、FK6-1、FKlO、FKl I，合上所述開關(guān)器件FKl-1、所述開關(guān)器件FK8-1及所述開關(guān)器件FK7-1 ;并在所述隔離閥VaO的兩端反向并聯(lián)所述隔離閥Val0
[0040]基于上述方案，所述電路包括多個(gè)并聯(lián)的所述電流源回路。
[0041]基于上述方案，所述開關(guān)器件均為連接母排。
[0042]基于上述方案，所述相控電抗器的一次相圈均至少包括兩個(gè)可調(diào)級(jí)，用于通過調(diào)整所連接的級(jí)，滿足實(shí)驗(yàn)所述試品的電流需求。
[0043]本實(shí)用新型實(shí)施例所述晶閘管閥合成試驗(yàn)電路，能夠通過電壓源回路和電流源回路分別控制其內(nèi)部的電子元器件的工作狀態(tài)，來實(shí)現(xiàn)分別向作為單向閥或雙向閥的試品閥提供對(duì)應(yīng)的試驗(yàn)電壓和試驗(yàn)電流；實(shí)現(xiàn)了一種試驗(yàn)電路用于不同類型晶閘管閥的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了不同類型的晶閘管閥的試驗(yàn)電路的復(fù)合，進(jìn)而提升了試驗(yàn)電路中各個(gè)電子元器件的利用率，降低了設(shè)置試驗(yàn)電路所需的硬件成本。
【附圖說明】
[0044]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶閘管閥合成試驗(yàn)電路與試品的連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的電壓源回路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的電壓源回路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所述本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶閘管閥合成試驗(yàn)電路的電路結(jié)構(gòu)不意圖；
[0048]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶閘管閥合成試驗(yàn)電路試驗(yàn)單向閥時(shí)的處于工作狀態(tài)的電子元?dú)饧碾娐方Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶閘管閥合成試驗(yàn)電路試驗(yàn)單向閥時(shí)的處于工作狀態(tài)的電子元?dú)饧碾娐方Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶閘管合成試驗(yàn)方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]以下結(jié)合說明書附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)闡述。
[0052]設(shè)備實(shí)施例:
[0053]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種晶閘管閥合成試驗(yàn)電路，所述電路包括:
[0054]電壓源回路110，用于根據(jù)被接入試品中的試品閥的類型，控制所述電壓源回路內(nèi)電子元件工作狀態(tài)，為所述試品提供試驗(yàn)電壓；其中，所述試品閥的類型包括晶閘管閥中的單向閥及雙向閥；
[0055]電流源回路120，用于根據(jù)被接入所述試品閥的類型，控制所述電壓源回路內(nèi)電子元件工作狀態(tài)，為所述試品提供試驗(yàn)電流。
[0056]在本實(shí)施例中所述的晶閘管合成試驗(yàn)電路，所述電壓源回路110和電流源