一種環(huán)境傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)量領(lǐng)域，更具體地，涉及一種傳感器，尤其涉及一種環(huán)境傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]環(huán)境傳感器利用的是敏感材料的相關(guān)物理效應(yīng)，如壓阻效應(yīng)、壓電效應(yīng)等，敏感材料在受到環(huán)境變量的作用后，其電阻或者電容發(fā)生變化，通過(guò)測(cè)量電路就可以得到正比于環(huán)境變量變化的電信號(hào)，環(huán)境傳感器現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于氣壓、高度、溫濕度、氣體等領(lǐng)域的測(cè)量和控制中。
[0003]近年來(lái)，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品的體積在不斷減小，而且人們對(duì)這些便攜電子產(chǎn)品的性能要求也越來(lái)越高，這就要求與之配套的電子零部件的體積也必須隨著減小。
[0004]現(xiàn)有的環(huán)境傳感器，包括由電路板、外殼圍成的封裝結(jié)構(gòu)，以及位于該封裝結(jié)構(gòu)中的傳感器芯片、ASIC芯片，其中，傳感器芯片和ASIC芯片均固定在電路板上，傳感器芯片和ASIC芯片之間通過(guò)金線電連接，ASIC芯片與電路板之間通過(guò)金線電連接在一起。這樣的連接方式，不但增加了制作工序，而且也不利于環(huán)境傳感器的小型化發(fā)展。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供了一種環(huán)境傳感器。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種環(huán)境傳感器，包括電路板、外殼，以及由電路板、外殼包圍起來(lái)的外部封裝，所述外部封裝上還設(shè)有連通外界的導(dǎo)通孔；還包括設(shè)置在外部封裝內(nèi)部的ASIC芯片、傳感器芯片，其中，所述ASIC芯片通過(guò)植錫球焊接在電路板上，且ASIC芯片的輸出端與電路板上設(shè)置的ASIC輸出端導(dǎo)線電連接在一起，所述ASIC芯片的輸入端與電路板上設(shè)置的ASIC輸入端導(dǎo)線電連接在一起；所述傳感器芯片固定在外部封裝內(nèi)部位于ASIC芯片上方的位置，且傳感器芯片與ASIC芯片在電路板上的投影至少部分重疊；傳感器芯片通過(guò)金線與ASIC輸入端導(dǎo)線電連接在一起。
[0007]優(yōu)選地，所述外部封裝內(nèi)部還固定有保持部，所述保持部中設(shè)有沿垂直方向延伸的、一端與ASIC輸入端導(dǎo)線電連接在一起，另一端與金線電連接在一起的第一連接導(dǎo)線。
[0008]優(yōu)選地，所述保持部固定在電路板上，所述第一連接導(dǎo)線的下端與ASIC輸入端導(dǎo)線直接接觸連接。
[0009]優(yōu)選地，所述保持部固定在外殼上端的內(nèi)壁上；且第一連接導(dǎo)線的一端通過(guò)設(shè)置在外殼側(cè)壁內(nèi)的第二連接導(dǎo)線與ASIC輸入端導(dǎo)線電連接在一起。
[0010]優(yōu)選地，所述傳感器芯片直接固定在ASIC芯片的上端面。
[0011]優(yōu)選地，所述傳感器芯片固定在外殼上端的內(nèi)壁上。
[0012]優(yōu)選地，所述導(dǎo)通孔設(shè)置在外殼上。
[0013]優(yōu)選地，所述導(dǎo)通孔設(shè)置在電路板上。
[0014]優(yōu)選地，所述ASIC芯片倒置，ASIC芯片的輸出端通過(guò)植錫球直接焊接在電路板的ASIC輸出端導(dǎo)線上；ASIC芯片的輸入端通過(guò)植錫球直接焊接在電路板的ASIC輸入端導(dǎo)線上。
[0015]優(yōu)選地，所述傳感器芯片與ASIC芯片正對(duì)設(shè)置。
[0016]本實(shí)用新型的環(huán)境傳感器，傳感器芯片、ASIC芯片分布在外部封裝內(nèi)部的豎直方向上，ASIC芯片通過(guò)植錫球的方式焊接在電路板上，且傳感器芯片通過(guò)金線、設(shè)置在電路板上的ASIC輸入端引線與ASIC芯片電連接在一起，降低了整個(gè)環(huán)境傳感器的在橫向上的尺寸，從而可以節(jié)省外部封裝的空間，使得產(chǎn)品可以做的更小，以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化發(fā)展。同時(shí)也簡(jiǎn)化了傳感器芯片與ASIC芯片之間的連接方式，使其制造工藝簡(jiǎn)單，制程效率高，生產(chǎn)成本低。而且，相對(duì)于傳感器芯片而言，ASIC芯片的尺寸較大，這就使得可以采用金線的方式來(lái)連接傳感器芯片。
[0017]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
【附圖說(shuō)明】
[0018]構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0019]圖1是本實(shí)用新型環(huán)境傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本實(shí)用新型環(huán)境傳感器另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
[0022]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0023]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0024]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0025]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0026]參考圖1，本實(shí)用新型提供了一種環(huán)境傳感器，其可以是壓力傳感器、溫度傳感器、濕度傳感器等用于檢測(cè)周?chē)h(huán)境的傳感器，其包括電路板1、外殼2，所述外殼2固定在電路板I上，并與電路板I共同圍成了環(huán)境傳感器的外部封裝。其中，所述外殼2也可以是呈平板狀，此時(shí)，還需要設(shè)置一獨(dú)立的側(cè)壁部將外殼2支撐在電路板I上，以共同形成環(huán)境傳感器的外部封裝。環(huán)境傳感器的ASIC芯片4、傳感器芯片3設(shè)置在外部封裝的內(nèi)部，其中，在所述外部封裝上還設(shè)有連通外界的導(dǎo)通孔11，以便將傳感器芯片3暴露在外界的環(huán)境中。其中，導(dǎo)通孔11可以設(shè)置在外殼2上，也可以設(shè)置在電路板I上。
[0027]本實(shí)用新型的環(huán)境傳感器，所述ASIC芯片4通過(guò)植錫球9的方式焊接在電路板I上，電路板I上的電路布圖包括ASIC輸出端導(dǎo)線8、ASIC輸入端導(dǎo)線7，ASIC芯片4固定在電路板I上，并使其輸出端與ASIC輸出端導(dǎo)線8電連接在一起，使其輸入端與ASIC輸入端導(dǎo)線7電連接在一起，從而將ASIC芯片4連接到電路板I的電路布圖中。
[0028]在本實(shí)用新型一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述ASIC芯片4倒置安裝，使得ASIC芯片4上的輸出端、輸入端朝下，并通過(guò)植錫球9將ASIC芯片4的輸出端直接焊接在電路板I的ASIC輸出端導(dǎo)線8上；將ASIC芯片4的輸入端直接焊接在電路板I的ASIC輸入端導(dǎo)線7上。當(dāng)然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，也可以在ASIC芯片4的內(nèi)部設(shè)置金屬化通孔，通過(guò)該金屬化通孔可以將位于ASIC芯片4上端的輸出端、輸入端電極引到ASIC芯片4的下端，采用這種方式，使得不再需要將ASIC芯片4倒置，可以直接將ASIC