一種支持s模式工作方式的發(fā)射組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于二次雷達(dá)領(lǐng)域，特別涉及一種支持S模式工作方式的發(fā)射組件。
【背景技術(shù)】
[0002]早期的二次雷達(dá)采用的是單脈沖二次雷達(dá)，此種雷達(dá)采用全呼叫詢(xún)問(wèn)方式，工作時(shí)，地面雷達(dá)向空間發(fā)出全呼叫詢(xún)問(wèn)信號(hào)，安裝在飛機(jī)上的應(yīng)答機(jī)接收詢(xún)問(wèn)信號(hào)后，都會(huì)發(fā)出一個(gè)應(yīng)答信號(hào)，隨著航空運(yùn)輸量的增加，尤其是在大型航空港等飛機(jī)非常密集的地方，單脈沖二次雷達(dá)的時(shí)間不同步和混淆信號(hào)已經(jīng)越來(lái)越嚴(yán)重，同時(shí)單脈沖二次雷達(dá)在數(shù)據(jù)鏈路的需求方面仍然不能令人滿意。針對(duì)上述情況出現(xiàn)了 S模式二次雷達(dá)。S模式是一種先進(jìn)的雷達(dá)詢(xún)問(wèn)系統(tǒng)，它建立在獨(dú)立編址和選擇性詢(xún)問(wèn)的基礎(chǔ)上，能夠解決在模式A/C中具有的信號(hào)干擾、有限的信息編碼、幻影和異步應(yīng)答等問(wèn)題，同時(shí)在數(shù)據(jù)鏈路方面也具有巨大的潛力。
[0003]S模式二次加長(zhǎng)信息鏈對(duì)發(fā)射機(jī)提出了更高的要求，要求發(fā)射組件能夠滿足S模式加長(zhǎng)信息鏈的工作要求，現(xiàn)有技術(shù)下的發(fā)射組件無(wú)法滿足S模式加長(zhǎng)信息鏈的工作要求，而且結(jié)構(gòu)復(fù)雜、性能不穩(wěn)定。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種支持S模式工作方式的發(fā)射組件，本實(shí)用新型解決了 S模式加長(zhǎng)信息鏈的要求，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、散熱效果較好。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)措施:
[0006]—種支持S模式工作方式的發(fā)射組件，本發(fā)射組件包括一級(jí)8W功率放大器，所述一級(jí)8W功率放大器的輸入端連接輸入功率信號(hào)，所述一級(jí)8W功率放大器的輸出端連接二級(jí)60W功率放大器的輸入端，所述二級(jí)60W功率放大器的輸出端連接第一隔離器的輸入端，所述第一隔離器的輸出端連接三級(jí)500W功率放大器的輸入端，所述三級(jí)500W功率放大器的輸出端連接第二隔離器的輸入端，所述第二隔離器的輸出端連接串饋分配器的輸入端，所述串饋分配器的輸出端經(jīng)過(guò)PIN開(kāi)關(guān)后連接四級(jí)500W功率放大器的輸入端，所述四級(jí)500W功率放大器的輸出端連接第三隔離器的輸入端，所述第三隔離器輸出端連接串饋合成器的輸入端，所述串饋合成器的輸出端輸出功率信號(hào)，所述一級(jí)8W功率放大器的TTL控制端、PIN開(kāi)關(guān)的TTL控制端均與BITE控制電路的輸出端相連。
[0007]本實(shí)用新型還可以通過(guò)以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0008]優(yōu)選的，所述四級(jí)500W功率放大器包括500W功率管，所述500W功率管的發(fā)射極連接第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電感、第二電感的一端以及PIN開(kāi)關(guān)的輸出端，所述第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電感、第二電感的另一端接地，所述500W功率管的基極接地，所述500W功率管的集電極連接第一電容、第一電阻、第三電感的一端，所述第一電阻、第三電感的另一端均連接第六電容、第七電容、第八電容、第九電容的一端以及電源，所述第九電容的另一端連接第二電阻的一端，所述第二電阻、第六電容、第七電容、第八電容的另一端均接地，所述第一電容的另一端連接第三隔離器的輸入端。
[0009]優(yōu)選的，所述四級(jí)500W功率放大器、PIN開(kāi)關(guān)、第三隔離器的個(gè)數(shù)相同，且個(gè)數(shù)至少為六個(gè)。
[0010]進(jìn)一步的，所述一級(jí)8W功率放大器功率管的芯片型號(hào)為石家莊新元電子股份有限公司生產(chǎn)的PA1030，所述二級(jí)60W功率放大器功率管的芯片型號(hào)為美國(guó)Microsemi公司生產(chǎn)的MDS60L，所述三級(jí)500W功率放大器、四級(jí)500W功率放大器功率管的芯片型號(hào)均為美國(guó)Microsemi 公司生產(chǎn)的 MDS500L。
[0011]進(jìn)一步的，所述一級(jí)8W功率放大器、二級(jí)60W功率放大器、三級(jí)500W功率放大器、四級(jí)500W功率放大器、第一隔離器、第二隔離器、第三隔離器、串饋分配器、串饋合成器的散熱面材質(zhì)均為銅。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0013]1)、本實(shí)用新型由一級(jí)8W功率放大器、二級(jí)60W功率放大器、三級(jí)500W功率放大器、至少6個(gè)四級(jí)500W功率放大器組成，所述一級(jí)8W功率放大器功率管的芯片型號(hào)為石家莊新元電子股份有限公司生產(chǎn)的PA1030，所述二級(jí)60W功率放大器功率管的芯片型號(hào)為美國(guó)Microsemi公司生產(chǎn)的MDS60L，所述三級(jí)500W功率放大器、四級(jí)500W功率放大器功率管的芯片型號(hào)均為美國(guó)Microsemi公司生產(chǎn)的MDS500L，上述功率放大器功率管均滿足S模式加長(zhǎng)信息鏈的要求，而且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定。
[0014]值得特別指出的是:本實(shí)用新型只保護(hù)由上述物理部件以及連接各個(gè)物理部件之間的線路所構(gòu)成的裝置或者物理平臺(tái)，而不涉及其中的軟件部分。
[0015]2)、所述二級(jí)60W功率放大器、三級(jí)500W功率放大器、四級(jí)500W功率放大器的輸出端均連接有隔離器，隔離器吸收電路中的反射功率，有效的保護(hù)了功率放大器，防止反射功率過(guò)大而造成功率放大器的損壞。
[0016]3)、所述一級(jí)8W功率放大器、二級(jí)60W功率放大器、三級(jí)500W功率放大器、四級(jí)500W功率放大器、第一隔離器、第二隔離器、第三隔離器、串饋分配器、串饋合成器的散熱面材質(zhì)均為銅，增加了發(fā)射組件的散熱率，因此本實(shí)用新型的散熱效果較好。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型的系統(tǒng)組成原理圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型的四級(jí)500W功率放大器的電路原理圖。
[0019]圖中標(biāo)注符號(hào)的含義如下:
[0020]10—一級(jí)8W功率放大器20—二級(jí)60W功率放大器
[0021]30—三級(jí)500W功率放大器40—四級(jí)500W功率放大器
[0022]Vl—500W功率管Cl?C9 一第一電容?第九電容
[0023]LI?L3—第一電感?第三電感 Rl?R2—第一電阻?第二電阻
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0025]如圖1所示，本實(shí)用新型在組合連接過(guò)程中首先選擇6個(gè)四級(jí)500W功率放大器40，6個(gè)所述四級(jí)500W功率放大器40的功率管型號(hào)均為MDS500L，每一個(gè)四級(jí)500W功率放大器40的輸出端均連接第三隔離器的輸入端，6個(gè)所述第三隔離器的輸出端均連接6:1串饋合成器的輸入端，6個(gè)所述四級(jí)500W功率放大器40的輸入端分別連接6個(gè)PIN開(kāi)關(guān)的輸出端，通過(guò)PIN開(kāi)關(guān)的通斷來(lái)控制四級(jí)500W功率放大器40輸入功率的通斷，6個(gè)所述PIN開(kāi)關(guān)的輸入端均