半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，在基片上有規(guī)則地設(shè)置多個(gè)管芯，在每個(gè)管芯中制造具有單獨(dú)功能的可封裝的集成電路。為了對(duì)管芯中的集成電路的每個(gè)電路結(jié)構(gòu)或元器件進(jìn)行測(cè)試，提高測(cè)試效率，通常采用自動(dòng)測(cè)試方法。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中小尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，將管芯2的集成電路中的每個(gè)小尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件41設(shè)置在管芯2之間的劃片道3上，并在劃片道3上設(shè)置多組壓焊塊5，每組壓焊塊5與一個(gè)或多個(gè)被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件4電連接，將劃片道3中的多組壓焊塊通過(guò)探針卡與自動(dòng)測(cè)試機(jī)電連接，完成各個(gè)被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的自動(dòng)測(cè)試。如圖1中，一組壓焊塊與三個(gè)被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件電連接。對(duì)于超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，由于其尺寸遠(yuǎn)大于劃片道3尺寸，無(wú)法將其放置在劃片道3中，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，將超大尺寸的被測(cè)試電路結(jié)構(gòu)或元器件42設(shè)置在管芯2中，并在管芯2中設(shè)置壓焊塊5，完成對(duì)超大尺寸的被測(cè)試電路結(jié)構(gòu)或元器件42的測(cè)試。
[0004]如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，由于超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的壓焊塊設(shè)置在管芯中，不能滿足與小尺寸的被測(cè)試電路結(jié)構(gòu)或元器件的壓焊塊的設(shè)置的規(guī)律性，所以必須在對(duì)小尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件進(jìn)行測(cè)試后，再進(jìn)行超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的測(cè)試，不能進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試，降低了測(cè)試效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)，能夠完成對(duì)所有被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的自動(dòng)測(cè)試，提高了測(cè)試效率。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:基片，設(shè)置在所述基片上的管芯，所述管芯之間設(shè)置的劃片道，被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，與所述被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件電連接的壓焊塊；
[0007]其中，所述壓焊塊為多組，多組壓焊塊按照預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置在所述劃片道上；
[0008]所述被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件包括:第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件和第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，所述第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的尺寸小于所述劃片道的尺寸，所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的尺寸大于所述劃片道的尺寸。
[0009]進(jìn)一步地，如上所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，在所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的電極引出端均位于所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的外部時(shí)，所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件設(shè)置于所述管芯內(nèi)。
[0010]進(jìn)一步地，如上所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，在所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的至少一個(gè)電極引出端位于所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的內(nèi)部時(shí)，所述半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:管芯空置區(qū)；
[0011]所述管芯空置區(qū)和所述管芯空置區(qū)四周的劃片道構(gòu)成第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件設(shè)置區(qū)；
[0012]所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件位于所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件設(shè)置區(qū)內(nèi)，在所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件內(nèi)具有內(nèi)部壓焊塊，所述內(nèi)部壓焊塊為所述多組壓焊塊中的一個(gè)或多個(gè)。
[0013]進(jìn)一步地，如上所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的內(nèi)部電極引出端的數(shù)量與在所述內(nèi)部壓焊塊的數(shù)量相等。
[0014]進(jìn)一步地，如上所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，每組壓焊塊中的壓焊塊等間距地排布。
[0015]進(jìn)一步地，如上所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述每組壓焊塊中的壓焊塊的數(shù)量為六個(gè)或八個(gè)。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試系統(tǒng)，包括:自動(dòng)測(cè)試機(jī)，探針卡及如上任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)；
[0017]所述探針卡與所述半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)的壓焊塊接觸，所述自動(dòng)測(cè)試機(jī)通過(guò)所述探針卡和所述壓焊塊與所述半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)電連接。
[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)，半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)包括:基片，設(shè)置在基片上的管芯，管芯之間設(shè)置的劃片道，被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，與被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件電連接的壓焊塊;其中，壓焊塊為多組，多組壓焊塊按照預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置在劃片道上;被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件包括:第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件和第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的尺寸小于劃片道的尺寸，第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的尺寸大于劃片道的尺寸。能夠完成對(duì)所有被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的自動(dòng)測(cè)試，提高了測(cè)試效率。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中小尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]附圖標(biāo)記:
[0025]1-基片2-管芯3-劃片道
[0026]41-第一被測(cè)試的電 42-第二被測(cè)試的電 5-壓焊塊
[0027]路結(jié)構(gòu)或元器件路結(jié)構(gòu)或元器件
[0028]6-管芯空置區(qū)
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0030]圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3示，本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:基片I，設(shè)置在基片I上的管芯2，管芯之間設(shè)置的劃片道3，被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，與被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件電連接的壓焊塊5。
[0031]其中，壓焊塊5為多組，多組壓焊塊按照預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置在劃片道3上。
[0032]被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件包括:第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件41和第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42，第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件41的尺寸小于劃片道3的尺寸，第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42的尺寸大于劃片道3的尺寸。
[0033]具體地，本實(shí)施例中，基片I可以為硅片。在基片I上設(shè)置多個(gè)管芯2，管芯2中可設(shè)置具有獨(dú)立功能的可封裝的集成電路，在管芯2之間設(shè)置劃片道3，劃片道3的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于管芯2的尺寸。在劃片道3內(nèi)按照預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置多組壓焊塊5。如預(yù)設(shè)規(guī)則可以為每組壓焊塊5的間距相等，也可以為其他預(yù)設(shè)規(guī)則，將被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件與壓焊塊5電連接，保證每個(gè)被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件的電極引出端分別與一個(gè)對(duì)應(yīng)的壓焊塊5電連接。
[0034]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，每組壓焊塊中的壓焊塊5等間距地排布，每組壓焊塊中的壓焊塊5的數(shù)量為六個(gè)或八個(gè)。
[0035]其中，被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件包括:第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件41和第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42，第一被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件41為小尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，其尺寸小于劃片道3的尺寸，即可將被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件設(shè)置在劃片道3上;第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42為超大尺寸的被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件，其尺寸大于劃片道3的尺寸。
[0036]本實(shí)施例中，由于第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42不能設(shè)置在劃片道3中，所以可將第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42設(shè)置在管芯2中，該管芯2可只用于設(shè)置第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42，該第二被測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)或元器件42與劃片道3中的壓焊塊5電連接，即第二被測(cè)試的電路